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公开(公告)号：CN105489603A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610008442.X
申请日：2016-01-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L27/027
Abstract: 一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、N阱、第四P+注入区构成的PMOS泄放路径，提高器件的维持电压、降低器件的触发电压；另一方面由所述第四P+注入区、所述N阱、所述P阱、所述第二P+注入区构成一条PNPN结构的ESD电流泄放路径，以提高器件的二次失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN105428353A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510953507.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、LDMOS多晶硅栅、第二P+注入区、第三鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第四鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第四N+注入区、第二场氧隔离区和第三场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，器件内部可形成LDMOS-SCR结构的ESD电流泄放路径、鳍式栅控反偏二极管结构的电流泄放路径、栅接电源PMOS与栅接地NMOS串联结构的电流泄放路径，可降低器件的触发电压、提高维持电压，增强器件的电压箝制能力和ESD鲁棒性，此外，鳍式栅控反偏二极管的设计可提高器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN103617996B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310657917.4
申请日：2013-12-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底，N埋层，P下沉掺杂，N阱，P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第四N+注入区，第五P+注入区，多晶硅栅，薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该环形VDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面可形成上、下、左、右四面导通的ESD电流路径，以提高VDMOS器件内部电流导通均匀性、降低导通电阻，提高器件的维持电流。另一方面，可利用高浓度的N埋层与P阱之间的反向PN结击穿，降低触发电压，提高体电流泄放能力。
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公开(公告)号：CN103681660A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310677835.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种双重抗闩锁的环形LDMOS-SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一P阱、第一N阱、第二P阱、P掺杂、第二N阱、第三P阱、隔离区、第一P+、第一N+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第六N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第二N+、第二P+、第一N+、第一P+或由第四P+、第五N+、第六N+、第五P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径，不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高维持电压，降低触发电压；LDMOS-SCR结构的环形版图设计，可减小导通电阻，提高维持电流；具有双重抗闩锁的ESD保护能力。
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公开(公告)号：CN102008316B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010533076.2
申请日：2010-11-05
Applicant: 江南大学
IPC: A61B7/04
Abstract: 本发明涉及一种基于听诊音频谱分析的多功能数字式听诊器电路，该听诊器的内部设有基于CMOS技术的硅麦克风传感器；该传感器可将人体各器官所发出的各种声音转换成相应的电平信号，再经过运算放大、滤波器抗混叠、模数转换将信号送入ASIC进行数字信号处理。其中数字信号处理部分的特征在于：包括针对不同人体器官频谱的FIR滤波器单元、系统主控制单元、FFT运算单元、频谱筛选核心运算单元、数据通信单元等逻辑单元，最终通过耳机接口、UART或VGA，医生可经由耳机听取音频或由所接的显示器显示频谱来进行听诊，可方便地记录、评价和保存诊断结果；同时可结合物联网技术构建实现远距在宅听诊、远距多方会诊、建立全民的人体器官音频频谱库等数字医疗解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102224993A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110143078.5
申请日：2011-05-30
Applicant: 江南大学
IPC: A47G23/04
Abstract: 本发明涉及一种便携式轨道活动型多功能加热保温套件，其包括厢式加热壳体；所述加热壳体上顶端的中心区凹设有加热部，所述加热部内设有用于检测加热温度的温度传感器及用于检测加热重量的压力传感器；所述温度传感器及压力传感器均与控制器的输入端相连，所述控制器的输出端与加热部内的加热器相连；控制器的输入端还与加热壳体上的调节模块相连，通过调节模块向控制器内输入所需的加热温度及加热功率；控制器根据调节模块、温度传感器及压力传感器输入相应的加热信号，调节及控制加热器加热的时间及加热温度。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
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公开(公告)号：CN102008316A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010533076.2
申请日：2010-11-05
Applicant: 江南大学
IPC: A61B7/04
Abstract: 本发明涉及一种基于听诊音频谱分析的多功能数字式听诊器电路，该听诊器的内部设有基于CMOS技术的硅麦克风传感器；该传感器可将人体各器官所发出的各种声音转换成相应的电平信号，再经过运算放大、滤波器抗混叠、模数转换将信号送入ASIC进行数字信号处理。其中数字信号处理部分的特征在于：包括针对不同人体器官频谱的FIR滤波器单元、系统主控制单元、FFT运算单元、频谱筛选核心运算单元、数据通信单元等逻辑单元，最终通过耳机接口、UART或VGA，医生可经由耳机听取音频或由所接的显示器显示频谱来进行听诊，可方便地记录、评价和保存诊断结果；同时可结合物联网技术构建实现远距在宅听诊、远距多方会诊、建立全民的人体器官音频频谱库等数字医疗解决方案。
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公开(公告)号：CN205211752U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521063335.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L23/60
Abstract: 一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该器件一方面由第二P+注入区、第三多晶硅栅、第五N+注入区、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区形成寄生的LDMOS-SCR电流路径，可增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层和第四N+注入区构成的叉指NMOS和寄生电阻，可形成阻容耦合效应，提高维持电压。
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公开(公告)号：CN203013723U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220650968.5
申请日：2012-11-28
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种双向三路径导通的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。包括P-衬底、N+埋层、左/右N型外延、漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅、阳极/阴极接触区。其中漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅构成的NLDMOS结构和阳极接触区、N+埋层、高压P阱和源区构成的正向SCR结构，形成两条高压ESD电流泄放路径，可提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻和触发电压。阴极接触区、左N型外延、高压P阱、N+埋层和漏区构成的反向SCR结构，形成一条反向高压ESD电流泄放路径。上述两种SCR结构的电流路径较长，可提高器件的维持电压，还能实现ESD电流双向泄放，具有双向ESD保护功能。
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公开(公告)号：CN207320108U
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201721489862.0
申请日：2017-11-10
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种全对称双栅控二极管触发SCR结构的双向ESD保护抗闩锁器件，可用于提高IC芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、第四N+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，一方面，该器件具有阻容耦合辅助触发路径，既不用耗费额外的版图面积，又能充分利用阻容耦合电路触发电压低、开启时间短的优势，缩小ESD保护器件的电压回滞幅度。此外，还利用栅控二极管的导通特性，提高N阱寄生阱电阻的电位，加速SCR结构电流泄放路径的开启；另一方面，该器件具有两条ESD电流泄放路径和全对称结构，有助于提高器件的ESD鲁棒性，可实现ESD双向防护。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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