-
公开(公告)号：CN1263160C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310103678.4
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
-
公开(公告)号：CN1790671A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118844.7
申请日：2002-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822
CPC classification number: H01L22/14 , G01R31/2601 , G01R31/2607 , G01R31/3025 , G09G3/00 , G09G3/006 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺，并通过消除浪费以保持缺陷产品形成，能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势，由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件，以便驱动它。
-
公开(公告)号：CN1227714C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01110972.6
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0077 , C23C14/042 , H01L27/32 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/0065 , H01L51/0078 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/56 , Y10S438/942
Abstract: 本发明提供了一种通过蒸发借助于在所需位置选择地淀积用于形成EL层的材料从而形成EL层的方法。当用于形成EL层的材料被淀积时，在船形试样器皿(111)和衬底(110)之间提供一个掩模。通过对所述掩模(113)施加一个电压，用于形成EL层的EL材料的行进方向被控制，从而选择地使所述EL材料淀积在所需位置。
-
公开(公告)号：CN1196093C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN99122027.7
申请日：1999-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
CPC classification number: G09G3/3633 , G09G3/2018 , G09G3/3622 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G5/18 , G09G2310/0205 , G09G2340/0407
Abstract: 本发明可提高有源矩阵半导体显示器件的水平分辨率。通过给有源或无源矩阵半导体显示器件的驱动电路提供在恒定周期对基准时钟信号进行频率调制得到的调制时钟信号，与根据该调制时钟信号抽样的抽样视频信号(图像信号)附近有关的信号信息(边缘存在或不存在，靠近程度)，可写入半导体显示器件的相应像素作为阴影信息。本发明的驱动方法利用了由于阴影信息可明显使图像显示分辨率变高的现象(视觉Mach现象和Craik-O’Brien现象)。
-
公开(公告)号：CN1555082A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410063473.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , B23K26/00 , H01S3/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/082 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1495884A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN200310103678.4
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
-
公开(公告)号：CN1426088A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02156040.4
申请日：2002-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/42384 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。
-
公开(公告)号：CN1293530A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00130493.3
申请日：2000-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成设备,用于精确地形成由聚合物制成的有机EL材料的薄膜,没有位置偏离,而且产量高。由一些堤状物将象素部分分成许多象素线,使薄膜形成设备的头部沿象素线移动,可分别将涂敷液(R)、涂敷液(G)和涂敷液(B)同时涂敷成带状。然后通过加热这些涂敷液,可以形成发射相应红色、绿色和蓝色光的发光层。
-
公开(公告)号：CN1281208A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN99122027.7
申请日：1999-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
CPC classification number: G09G3/3633 , G09G3/2018 , G09G3/3622 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G5/18 , G09G2310/0205 , G09G2340/0407
Abstract: 本发明可提高有源矩阵半导体显示器件的水平分辨率。通过给有源或无源矩阵半导体显示器件的驱动电路提供在恒定周期对基准时钟信号进行频率调制得到的调制时钟信号,与根据该调制时钟信号抽样的抽样视频信号(图像信号)附近有关的信号信息(边缘存在或不存在,靠近程度),可写入半导体显示器件的相应像素作为阴影信息。本发明的驱动方法利用了由于阴影信息可明显使图像显示分辨率变高的现象(视觉Mach现象和Craik－O'Brien现象)。
-
公开(公告)号：CN1107257A
公开(公告)日：1995-08-23
申请号：CN94112813.X
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.032 seconds)
