公开(公告)号：CN102484114A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003594.6

申请日：2011-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 辻清孝 ,  三河巧 ,  富永健司

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L21/76879 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

Abstract: 包括：俯视时条状的多个第一配线(10)与条状的多个第二配线(20)的各个交点上，在层间绝缘层(80)中，以将多个第一配线的上表面开口的方式形成的多个存储单元孔(101)；在多个第一配线上形成且以到达多个第一配线的上表面的方式在层间绝缘层内形成的多个伪孔(111)；和在存储单元孔和伪孔内部形成的第一电极(30)和电阻变化层(40)的层叠结构。在1个伪孔的下侧开口部露出的第一配线的面积，比在1个存储单元孔的下侧开口部露出的第一配线的面积大，在各个第一配线形成有1个以上的伪孔。

公开(公告)号：CN102473708A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002804.X

申请日：2011-07-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 二宫健生 ,  藤井觉 ,  早川幸夫 ,  三河巧

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。

公开(公告)号：CN102428587A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201180002096.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 早川幸夫 ,  有田浩二 ,  三河巧 ,  二宫健生

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L45/146

Abstract: 一种电流控制元件，在被施加极性不同的电脉冲时也能够防止写入干扰的产生，而且能够在电阻变化元件流过大电流。该电流控制元件具有第1电极(32)、第2电极(31)、电流控制层(33)，电流控制层(33)由SiNx(0＜x≤0.85)构成，并且含有氢或者氟，而且在设氢或者氟的浓度为D(＝D0×1022atoms/cm3)、设电流控制层(33)的膜厚为d(nm)、设能够在第1电极(32)和第2电极(31)之间施加的电压的最大值为V0(V)时，D和x和d和V0满足(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2≤V0、(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2-(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2/2≥0，其中，C＝k1×D0k2、α、β、γ、k1和k2是常数。

公开(公告)号：CN102239557A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148572.1

申请日：2009-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  川岛良男 ,  姬野敦史

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。

公开(公告)号：CN101946321A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980104930.9

申请日：2009-02-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  川岛良男 ,  有田浩二 ,  二宫健生

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置(100)，包括：形成有晶体管(101)的基板(102)；在所述基板上覆盖所述晶体管形成的第一层间绝缘层(103)；在所述第一层间绝缘层上形成、与所述晶体管的漏极电极(101a)或源极电极(101b)电连接的第一接触插头(104)或第二接触插头(105)；覆盖所述第一接触插头的至少一部分形成的电阻变化层(106)；在所述电阻变化层上形成的第一配线(107)；和覆盖所述第二接触插头的至少一部分形成的第二配线(108)，所述电阻变化层的端面和所述第一配线的端面在同一面内。

公开(公告)号：CN101816070A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200980100361.0

申请日：2009-05-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  三河巧 ,  饭岛光辉 ,  冈田崇志

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明一种电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法。该存储元件(3)包括：电阻变化元件(1)，其呈矩阵状地配置在存储装置上，其电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，并且该电阻变化元件(1)维持该变化后的电阻值；和电流抑制元件(2)，其在电脉冲被施加至电阻变化元件(1)时，抑制流动的电流，电流抑制元件(2)包括第一电极、第二电极、以及配置在第一电极和第二电极之间的电流抑制层。电流抑制层由SiNx构成，第一电极和第二电极中的至少一方由α-钨构成。

公开(公告)号：CN101496173A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028452.9

申请日：2007-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性存储装置(25)包括：半导体基板(11)；在半导体基板(11)上形成的下层配线(12)；在下层配线(12)的上方以与该下层配线(12)交叉的方式形成的上层配线(20)；在下层配线(12)和上层配线(20)之间设置的层间绝缘膜(13)；和被埋入形成于层间绝缘膜(13)的接触孔(14)中，与下层配线(12)和上层配线(20)电连接的电阻变化层(15)；上层配线(20)具备至少两层：由具有氢阻挡性的导电性材料构成的最下层(21)、和比该最下层比电阻小的导电体层(22)。

公开(公告)号：CN101395717A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007386.7

申请日：2007-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 魏志强 ,  三河巧 ,  高木刚 ,  川岛良男

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683 ,  Y10T29/49099

Abstract: 本发明提供电阻变化型元件、半导体装置和其制造方法。电阻变化型元件的制造方法包括：在设置于基板上的层间绝缘层(104)中且底部具有下部电极(103)的接触孔(105)中，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的下方的方式堆积电阻变化材料(106)的工序；在堆积的电阻变化材料(106)之上，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的上方的方式堆积上部电极材料的工序；和通过CMP对具有叠层的电阻变化材料(106)和上部电极材料的电阻变化型元件进行元件分离的工序。

公开(公告)号：CN100365816C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200510006303.5

申请日：2005-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  三河巧

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75

Abstract: 在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。

公开(公告)号：CN1409398A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143288.0

申请日：2002-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉川贵文 ,  三河巧

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种强电介质记忆装置。在多个强电介质电容器中的在字线方向及位线方向的一方向上排列的多个强电介质电容器的相邻下部电极之间埋入第一绝缘性氢气阻挡膜。在一方向上排列的多个强电介质电容器的下部电极及第一绝缘性氢气阻挡膜上，形成由在一方向上排列的多个强电介质电容器共用的电容绝缘膜。在共用电容绝缘膜上，形成由在一方向上排列的多个强电介质电容器所共用的上部电极。共用上部电极上由形成的第二绝缘性氢气阻挡膜所覆盖。