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公开(公告)号：CN1574620A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410042331.8
申请日：2004-05-20
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6493 , H03H7/1708 , H03H9/0538 , H03H9/14597 , H03H9/6426 , H03H9/6433 , H03H9/6436 , H03H9/725
Abstract: 一种表面声波滤波器，包括：输入交指型变换器和输出交指型变换器，形成在压电基板上；电容，设置在输入交指型变换器的输入端子与输出交指型变换器的输出端子之间；第一公共接地端子，连接输入交指型变换器的接地端子和输出交指型变换器的接地端子；以及电感，设置在第一公共接地端子与地之间。
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公开(公告)号：CN1540860A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410037511.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/14538 , H03H9/25 , H03H9/6433 , H03H9/6489
Abstract: 获得了有效的横向能量约束，以及同时具有插入损耗和形状因数的理想特性的表面声波滤波器。在所述表面声波滤波器中，一个梳状电极的多个电极指和另一个梳状电极的多个电极指相互交错插入，在汇流排的部分区域形成有比每组多个电极指都厚的厚膜，并且在每组多个电极指的顶端与相对的汇流排的端面之间设有一尖端间隙，其中，每组多个电极指的顶端与相对的汇流排的端面之间的距离被设为不大于0.2λ，其中，λ是梳状电极的一个周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1505263A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310117144.7
申请日：2003-12-02
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/02559
Abstract: 一种表面声波器件，其包括：压电基板，具有其上形成有多个梳状电极的第一表面、和第二表面；以及，支撑基板，被接合到所述压电基板的第二表面。所述压电基板由钽酸锂制成，而所述支撑基板由蓝宝石制成。满足下列表达式：T/t＜1/3(1)，T/λ＞10(2)，其中，T是所述压电基板的厚度，t是所述支撑基板的厚度，λ是沿所述压电基板的第一表面传播的表面声波的波长。
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公开(公告)号：CN1495998A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03101286.8
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 一种SAW装置，此装置包括：上面支承着压电基片的封装体；在此压电基片上形成的至少一个SAW元件；所述SAW元件包括多个沿压电基片上表面声波传播路径设置的叉指式电极，每个叉指式电极包括输入侧叉指式电极与输出侧叉指式电极；将所述输入侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的第一接地焊接区；将所述输出侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的不同的第二接地焊接区。根据本发明，可成功地消除输入侧叉指式电极的接地电极与输出侧叉指式电极的接地电极间的干扰问题，从而能显著改进SAW装置的通带特性。
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公开(公告)号：CN1494210A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03126487.5
申请日：2003-09-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/6483
Abstract: 一种表面声波滤波器包括以梯型结构相连的多个串联支路谐振器和多个并联支路谐振器，每个谐振器都具有一形成在压电基板上的交指型变换器，并且至少一个串联支路谐振器具有和其他串联支路谐振器不同的静态电容。在该表面声波滤波器中，除去位于梯型结构中的第一级的串联支路谐振器以外，至少一个串联支路谐振器的平均谐振频率比其他串联支路谐振器的低。
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公开(公告)号：CN1159100A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96121058.3
申请日：1996-10-11
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/14588 , H03H9/6436 , H03H9/6483
Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是38°-46°。
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公开(公告)号：CN1158026A
公开(公告)日：1997-08-27
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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