公开(公告)号：CN101540590A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910008544.1

申请日：2009-01-23

Applicant: 富士通株式会社 ,  国立大学法人千叶大学

Inventor： 上田政则 ,  原基扬 ,  井上将吾 ,  桥本研也 ,  田中康智 ,  山口正恒 ,  大森达也

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/6483

Abstract: 本发明提供了声波器件、双工器、通信模块和通信装置。本发明的声波器件包括其中以阶梯配置连接有多个谐振器的阶梯型滤波器。在该声波器件中，串行连接的谐振器P2和P4被连接在阶梯型滤波器的并行臂中，连接在并行臂中的谐振器P2和P4具有相互不同的谐振频率。可以改善阶梯型滤波器的边缘特性，并且可以减小滤波器元件尺寸。

公开(公告)号：CN1254987A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99123315.8

申请日：1999-10-22

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通媒体器件株式会社

Inventor： 兼田泰文 ,  堤润 ,  桥本研也 ,  大森达也 ,  田岛基行 ,  山口正恒

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02811 ,  H03H9/02637

Abstract: 提供一种反射表面声波的表面声波器件。该表面声波器件的反射器包括电极指。电极指以预定间隔d设置,按宽度分成五组。电极指的宽度在宽度W1、W2和W3间变化,以便反射率变得与汉明函数类似。

公开(公告)号：CN1159100A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96121058.3

申请日：1996-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上田政则 ,  川内治 ,  远藤刚 ,  伊形理 ,  桥本研他 ,  山口正恒

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/00

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/14588 ,  H03H9/6436 ,  H03H9/6483

Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是38°-46°。

公开(公告)号：CN1120569C

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN99123315.8

申请日：1999-10-22

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通媒体器件株式会社

Inventor： 兼田泰文 ,  堤润 ,  桥本研也 ,  大森达也 ,  田岛基行 ,  山口正恒

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02811 ,  H03H9/02637

Abstract: 提供一种反射声表面波的声表面波器件。该声表面波器件的反射器包括电极指。电极指以预定间隔d设置，按宽度分成五组。电极指的宽度在宽度W1、W2和W3间变化，以便反射率变得与汉明函数类似。

公开(公告)号：CN1111318C

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN96121058.3

申请日：1996-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上田政则 ,  川内治 ,  远藤刚 ,  伊形理 ,  桥本研他 ,  山口正恒

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/00

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/14588 ,  H03H9/6436 ,  H03H9/6483

Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范围是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是在大于39°但小于46°的范围。