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公开(公告)号：CN101741343A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910168371.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 富士通株式会社 , 富士通媒体部品株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括：基板；下电极；压电薄膜，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜，第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号：CN101207370A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710198855.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供了薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括：下电极，其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成；压电薄膜，其形成在所述下电极上；上电极，其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区；支撑区，其设置在所述谐振区的周围，该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍，并透射所述波；以及相邻区，其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。
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公开(公告)号：CN1159100A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96121058.3
申请日：1996-10-11
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/14588 , H03H9/6436 , H03H9/6483
Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是38°-46°。
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公开(公告)号：CN1158026A
公开(公告)日：1997-08-27
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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公开(公告)号：CN1913348A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610115410.6
申请日：2006-08-08
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
Abstract: 分波器和梯形滤波器。本发明的课题是，提供可实现低损失化、高衰减量化以及小型化的分波器和梯形滤波器。作为解决手段，本发明的分波器和梯形滤波器，其特征在于，具有：天线端子(Ant)；以及与天线端子连接的第一滤波器(10)和第二滤波器(20)，第一滤波器(10)和第二滤波器(20)的至少一方是梯形滤波器，该梯形滤波器具有并联谐振器和多个串联谐振器，在多个串联谐振器之中的部分串联谐振器(S1)上并联连接电感器(L1)，在最靠近天线端子侧的串联谐振器(S1)上并联连接电感器(L1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1103511C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底，具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅，一排叉指式换能器介于反射栅之间，具有相对的主电极指和副电极指对，在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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公开(公告)号：CN100557969C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710107742.4
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种压电薄膜谐振器和采用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括基板、设在所述基板上的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜以及上部电极，该上部电极设在所述压电膜上，以便具有隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。所述压电膜在谐振部分中的外端比其中所述上部电极和所述下部隔着所述压电膜彼此交叠的相对区域的外端更靠内，并且所述谐振部分是其中所述上部电极和所述下部电极隔着所述压电膜彼此交叠的部分。
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公开(公告)号：CN101309074A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810096545.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/0211 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器和滤波器。压电薄膜谐振器包括：在基板上形成的下部电极；在该基板和该下部电极上形成的压电膜；在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置。
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公开(公告)号：CN101166020A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181952.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/205 , H03H3/00 , H03H3/0073 , H03H3/04 , H03H9/0211 , H03H9/02118 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/15 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/178 , H03H9/54 , H03H9/568 , H03H9/587 , H03H9/588 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/0414 , H03H2003/0471 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49124 , Y10T29/49208 , Y10T29/49224
Abstract: 本发明提供了一种梯型滤波器。该梯型滤波器包括：串联谐振器，该串联谐振器具有第一层叠膜，在该第一层叠膜中，上部电极和下部电极隔着压电膜而彼此面对，并且在该第一层叠膜上设有第一膜；以及并联谐振器，该并联谐振器具有第二层叠膜，该第二层叠膜具有与所述第一层叠膜相似的结构，在该第二层叠膜上设有第二膜以及与所述第一膜相同的另一第一膜。
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公开(公告)号：CN1111318C
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN96121058.3
申请日：1996-10-11
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/14588 , H03H9/6436 , H03H9/6483
Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范围是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是在大于39°但小于46°的范围。
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