公开(公告)号：CN1111318C

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN96121058.3

申请日：1996-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上田政则 ,  川内治 ,  远藤刚 ,  伊形理 ,  桥本研他 ,  山口正恒

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/00

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/14588 ,  H03H9/6436 ,  H03H9/6483

Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范围是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是在大于39°但小于46°的范围。

公开(公告)号：CN1159100A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96121058.3

申请日：1996-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上田政则 ,  川内治 ,  远藤刚 ,  伊形理 ,  桥本研他 ,  山口正恒

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/00

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/14588 ,  H03H9/6436 ,  H03H9/6483

Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是38°-46°。