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公开(公告)号：CN115050890A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210780821.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种量子点修饰的柔性视觉突触忆阻器及其制备方法。该量子点修饰的柔性视觉突触忆阻器包括：柔性衬底；底层电极，形成在所述柔性衬底上；复合功能薄膜，由钙钛矿量子点和有机铁电聚合物组成，形成在所述底层电极上；多个相互间隔的透明顶层电极，形成在所述复合功能薄膜上，对器件施加光源信号与电学脉冲信号，利用钙钛矿量子点的光电响应以及铁电聚合物的电导调制功能，模拟人工视觉系统的光信号感知、数据存储与计算。
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公开(公告)号：CN115036419A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210780823.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种柔性存算一体忆阻器及其制备方法。该柔性存算一体忆阻器包括：底电极，其为第一金属织物；铁电功能薄膜叠层，其包括三层以上掺杂铪基高k介质薄膜，包覆在所述底电极上；顶电极，其为第二金属织物，以与所述底电极交叉的方式形成在所述底电极上，通过对两个顶电极施加电压序列脉冲，实现存储数据与逻辑计算双重功能。
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公开(公告)号：CN114944440A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210693525.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种仿生视觉神经突触器件及其制备方法。该仿生视觉神经突触器件包括：衬底，作为栅电极；栅介质层，形成在所述栅电极上；沟道，形成在所述栅介质层上，包括能带相匹配的第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜，两者相互邻接且有重叠的区域，形成异质结；源电极和漏电极分别形成在所述沟道两侧，通过光脉冲输入图像信息，利用两种二维半导体薄膜构建的异质结形成的光电响应增强效果，对光电信息进行采集、处理与存储，实现视觉系统的图像处理功能，用于构建感存算一体化的神经形态感知系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114005939A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111270357.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；背栅电极，形成在衬底上；背栅介质，其为离子氧化物薄膜，形成在背栅电极上；二维薄膜，形成在背栅介质上且位于背栅电极上方，作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在沟道两端；顶栅电极，形成在背栅介质上，与沟道以一定间隔平行排列，顶栅电极的延伸方向与背栅电极的延伸方向正交，但不相交叠；以及顶栅介质，其为离子凝胶，覆盖沟道和顶栅电极，在顶栅以及背栅同时施加脉冲时序，对沟道电导进行调控，通过离子的迁移与注入实现器件电导范围的定量增加或减小，模拟异源性神经突触的两个前端对一个突触后端的调节过程，实现异源性神经形态计算协同工作模拟。
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公开(公告)号：CN114005936A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111270409.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种离子型两端仿生忆阻器件及其制备方法。该离子型两端仿生忆阻器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上，以一定间隔沿第一方向平行排列，作为忆阻器的一端；离子凝胶，形成在所述底层电极上，作为忆阻器的功能层；顶层电极，形成在所述离子凝胶上，以一定间隔沿第二方向平行排列，与底层电极呈交叉阵列结构，作为忆阻器的另一端，其中，忆阻器的两端分别对应着突触前端与突触后端，忆阻器的功能层对应突触间隙，利用离子凝胶中离子的可扩散性模拟类脑神经突触中的离子迁移，实现导电通道的信息传递，模拟类似生物体中的离子通道作用，完成神经突触权重调制过程。
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公开(公告)号：CN113972318A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111280578.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于同质结的多比特存储器及其制备方法。该基于同质结的多比特存储器，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，其为不同氧含量的多层非晶氧化物薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述功能层上，在向顶电极施加电压时，各层非晶氧化物薄膜自上而下依次形成氧空位导电通道，实现阻态的逐级调制，使得单一器件具有多态存储的功能。
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公开(公告)号：CN112349787A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011155933.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种光电双调制的二维柔性神经突触器件及其制备方法。该光电双调制的二维柔性神经突触器件包括：涂覆有电极的柔性衬底；阻挡层，电荷俘获层和隧穿层，自下而上依次形成在所述电极上；作为沟道的二维材料，间隔分布在所述隧穿层上；源电极和漏电极，分别形成在所述二维材料上，并与所述隧穿层相接触，其中，所述二维材料的电导值用于模拟神经突触中的权重值，利用电脉冲与光脉冲刺激可实现仿生神经突触特性的模拟。通过将二维材料优异的光电响应特性、机械柔韧性与柔性神经突触器件相结合，从而实现灵活的光电双模式调节。
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公开(公告)号：CN112331773A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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