一种简单的枝杈长度可调控的小尺寸金纳米星及其制备方法

    公开(公告)号:CN105665741B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201610084054.X

    申请日:2016-02-06

    Abstract: 本发明属于贵金属纳米体系制备调控领域,涉及一种简单的枝杈长度可调控的小尺寸金纳米星及其制备方法。本发明通过一步生长法制备金纳米星并且在制备过程中添加光辐照,从而得到小尺寸金纳米星,并实现金纳米星枝杈长度的可调控。该制备方法利用常用的生物缓冲液试剂——HEPES,作为体系的还原剂、稳定剂以及形状诱导剂,在调节体系的pH值到7.0‑7.5后直接加入一定量的氯金酸(HAuCl4),并添加不同波长的光辐照,一段时间后即可形成小尺寸且不同枝杈长度的金纳米星。该方法操作简单,高效,绿色环保,得到稳定分散性好的不同枝杈长度的小尺寸金纳米星。

    一种将两面通透的超薄氧化铝模板移植到任意固体衬底上的方法

    公开(公告)号:CN107268059A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710525582.9

    申请日:2017-06-30

    CPC classification number: C25D11/045 C25D11/12 C25D11/18

    Abstract: 本发明涉及一种将两面通透的超薄氧化铝模板移植到任意固体衬底上的方法,该方法使用PMMA溶液作为粘合剂,不需要去除,解决了PMMA作为支撑层时去不干净的问题;该方法先将带有铝基的超薄氧化铝模板移植到衬底上再对铝基进行去除,解决了超薄氧化铝模板由于自身厚度过薄,在移植过程中易破裂的问题;移植到衬底表面的超薄氧化铝模板被粘在衬底表面,解决了在去阻挡层过程中超薄氧化铝模板易破碎的问题;所使用的超薄氧化铝模板对衬底没有要求,衬底可为非金属、金属或柔性衬底,有效地扩展了利用超薄氧化铝模板制备纳米粒子阵列的应用范围。

    一种规则球形银纳米颗粒制备方法

    公开(公告)号:CN104525964B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410805382.5

    申请日:2014-12-21

    Abstract: 一种简单的规则球形纳米颗粒的制备方法属于贵金属纳米体系制备技术领域。包括以下步骤:10.将500ml摩尔浓度为0.53mmol/L的硝酸银溶液放置于电炉上,加热至沸腾,逐滴加入10ml摩尔浓度为3.4~3.7mmol/L的柠檬酸钠溶液以制备形貌不规则的银纳米颗粒前驱胶体。20.将200ml前驱体银胶放置在以5r/min转速旋转的培养皿中,利用波长为248nm的KrF准分子激光对其进行辐照,控制单脉冲能量密度位于85~150mJ/cm2,同时逆旋转方向向液体表面吹入气流以保证胶体溶液受到均匀辐照强度。该制备方法能够快速、高效、大量制备稳定、单分散、表面形貌为规则球形的银纳米颗粒。

    一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

    公开(公告)号:CN104195644B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410361090.7

    申请日:2014-07-27

    Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光?化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2?400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70?80℃环境中,腐蚀10s?30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。

    一种高稳定性的非偏振依赖表面增强拉曼散射衬底、制备及应用

    公开(公告)号:CN105442015A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510776370.9

    申请日:2015-11-11

    Inventor: 蒋毅坚 冯超 赵艳

    CPC classification number: C23C14/35 C23C28/00 C25D11/04 G01N21/65 C23C28/40

    Abstract: 一种高稳定性的非偏振依赖表面增强拉曼散射衬底、制备及应用,其制备技术属于材料物理化学领域;其应用范畴属于光散射科学和表面等离子体科学领域;其为由金纳米粒子等边三聚体周期性排列形成的规则阵列。制备工艺为:首先利用电化学腐蚀在铝基片上制备出一层极薄的氧化铝纳米坑等边三聚体周期性阵列,之后在该阵列上沉积一层极薄的金纳米薄膜,然后对沉积有金膜的纳米坑阵列基片进行退火,得到金纳米粒子等边三聚体周期性阵列,即高稳定性的非偏振依赖表面增强拉曼散射衬底。该衬底在表面增强拉曼散射检测的过程中,具有在全360°范围内无视激发光偏振方向,全角度稳定输出表面增强拉曼散射信号的突出优点。

    一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

    公开(公告)号:CN104195644A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410361090.7

    申请日:2014-07-27

    Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2-400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10s-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。

    一种采用激光辐照氮化镓外延片改善氮化镓电学光学性质的方法

    公开(公告)号:CN103956319A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410137383.7

    申请日:2014-04-07

    CPC classification number: H01L21/268

    Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善其电学光学性能的方法,属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片进行预处理,去除表面的污染附着物及有机残留等,改善表面晶格缺陷,采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照,单脉冲能量密度0.15J/cm2-0.6J/cm2,经测试,辐照后样品的光致发光谱发生了显著变化,在455nm(2.72eV)位置的缺陷发光峰强度最高,较辐照前增加明显,最高可较辐照前增加约6倍,这可归因于激光辐照下样品表面原子的互扩散现象以及表面的重结晶作用。并采用磁控溅射的方法在样品表面淀积Ni(30nm)/Au(100nm)金属电极后,再进行如载流子浓度、表面电阻率等测试,结果表明在辐照后其欧姆接触得到了一定的改善。

    一种调控本征氧化锌薄膜可见光发光类型的方法

    公开(公告)号:CN103952669A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410165857.9

    申请日:2014-04-23

    Inventor: 赵艳 聂朦 蒋毅坚

    Abstract: 一种调控本征氧化锌薄膜可见光发光类型的方法,属于半导体光电材料领域。采用不同能量的激光在室温下空气中辐照氧化锌薄膜,使其可见光类型发生由红橙光到蓝绿光一系列的连续变化。其中本征氧化锌薄膜的制备采用脉冲激光溅射沉积的方法,溅射激光波长为248nm,能量为400mJ/pulse,重复频率为3Hz,沉积脉冲数为10000个,温度为室温,气氛为40Pa的氧气气氛;辐照激光波长为248nm,能量为200~700mJ,辐照100个脉冲。本发明方法具有工艺简单、可控性强、重复性高、成本低廉等特点,此方法调控的氧化锌薄膜可得到连续的不同类型的发光,能够应用于LED、LD等发光电子器件中。

    浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法

    公开(公告)号:CN102312293B

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201110257469.X

    申请日:2011-09-01

    Abstract: 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法,属于晶体生长领域。包括以下步骤:将Ta2O5粉料经过球磨、烘干;装入橡胶管中,放入等静压下压制成素坯棒;将素坯棒经烧结后获得多晶棒;将素坯棒或多晶棒作为料棒,并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶,籽晶和料棒在竖直方向成一直线,其接触点与卤素灯处于同一水平线上;升温速率为30~60℃/分钟至料棒和籽晶融化,调整料棒和籽晶的转速和旋转方向,接种;通过聚焦镜的移动或上下棒的移动,使熔区远离聚焦点,使熔区温度下降实现结晶,晶体生长速度10~60mm/h;生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短,制备效率高,能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。

    晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法

    公开(公告)号:CN103227237A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310084670.1

    申请日:2013-03-15

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法。本发明包括以下步骤:1.清洗晶硅硅片;2.制备表面绒层:氩气氛围下用透镜聚焦后的激光器光源扫描硅片表面,形成具有硅微粒和微凹陷的绒层。3.制备隔离层:采用同步送氧气,继续用激光扫描黑硅的边缘,得到二氧化硅隔离层。本发明的有效增益如下:表面绒层和绝缘层可一次成型;仅在氩气氛围下即可制备表面绒层,条件易满足,且得到的绒层250nm~1050nm波段的光反射率在10%以下;提出了绒层和隔离层在同一层面的晶硅太阳电池新结构,隔离层的制备提高了表面绒层利用率;表面绒层和隔离层制备,只涉及氩气和氧气,绿色环保。

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