公开(公告)号：CN103956319A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410137383.7

申请日：2014-04-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  谈浩琪 ,  赵艳

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善其电学光学性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2-0.6J/cm2，经测试，辐照后样品的光致发光谱发生了显著变化，在455nm（2.72eV）位置的缺陷发光峰强度最高，较辐照前增加明显，最高可较辐照前增加约6倍，这可归因于激光辐照下样品表面原子的互扩散现象以及表面的重结晶作用。并采用磁控溅射的方法在样品表面淀积Ni(30nm)/Au(100nm)金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等测试，结果表明在辐照后其欧姆接触得到了一定的改善。

公开(公告)号：CN104659174B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510065338.X

申请日：2015-02-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  谈浩琪 ,  赵艳

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2‑0.6J/cm2，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。

公开(公告)号：CN104659174A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510065338.X

申请日：2015-02-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  谈浩琪 ,  赵艳

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/322 ,  H01L33/00

Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2-0.6J/cm2，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。