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公开(公告)号：CN106374738A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610890464.3
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2001/0048 , H02M2003/075
Abstract: 本申请公开了一种带节点移动的Fibonacci电荷泵，采用将每阶充电电容第二端的连接点位置左移的方式，使Fibonacci电荷泵拥有更短的充/放电路径，该方案显著改善了系统的驱动电流和功率效率，本申请还以此为基础提出了一种6阶、16倍率电荷泵及其自动倍率选择方案，以实现根据实际供给电压进行10、13和16三种不同倍率的切换。
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公开(公告)号：CN106092340A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610564506.4
申请日：2016-07-18
IPC: G01J11/00
CPC classification number: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲模板函数的光纤传感阵列的脉冲延时测量方法。本发明读取信号数据，确定第一个定位脉冲位置，结合脉冲周期数划分信号数据得到数据矩阵A，计算得到方差值向量c，根据脉冲的时间参数构建脉冲模板函数h，计算方差值向量c与脉冲模板函数h的相关值得到相关系数向量d，找出d中最大的K个极大值点得到相关系数向量极大值索引值向量p，对p求差分得到脉冲延时值；本发明的方法极大提高了处理速度；并且，对噪声的抵抗能力显著增强，可以在其他方法无法进行正常判断的情况下仍能准确的计算出脉冲延时值；同时指定输入的参数少，仅需要事先知道脉冲的宽度、上升时间、下降时间和阵列中的传感器数目，因此非常的简便、可靠。
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公开(公告)号：CN105984862A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510085610.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种用于生长碳纳米管的方法，包括：制备表面覆盖有纳米颗粒的衬底；以所述纳米颗粒作为刻蚀掩模，对所述衬底进行刻蚀；将所述纳米颗粒从所述衬底上去除；在所述衬底上淀积催化剂；以及在淀积有催化剂的所述衬底上生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN105702213A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610165199.2
申请日：2016-03-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3258 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/3648
Abstract: 一种显示装置及其显示驱动器，该显示驱动器包括预充电路和预充电路控制单元，预充电路控制单元用于根据前一数字显示信号和当前输入的数字显示信号的比较结果控制预充电路在第一时期对数据线进行充电或放电，在第一时期结束后控制预充电路停止对数据线充电或放电，并控制数据线驱动电路在第一时期时断开与数据线的连接，而在第一时期结束后连接到数据线，使数据线上的信号向目标显示信号靠近。本发明根据前一数字显示信号和当前输入的数字显示信号的比较结果对数据线进行充电或放电，之后再以当前输入的数字显示信号为目标信号进行精确充电或放电，从而可大幅度缩短数据线上的显示信号的建立时间。
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公开(公告)号：CN119061461A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411314662.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种自动调节氮化镓晶体生长的坩埚装置、生长设备以及生长方法，其中，本发明中的坩埚装置包括第一坩埚、活塞以及驱动件；第一坩埚为中空结构，活塞滑动设置于中空结构内且活塞的外周边缘与第一坩埚的内侧壁密封配合，活塞与中空结构构成用于容置高温熔体的容置腔，驱动件与活塞连接并驱动活塞在中空结构内上下滑动以调节容置腔的容量；第一坩埚的内侧壁与第一坩埚的外侧壁之间还设置有溢流槽，溢流槽的顶部槽口与容置腔的顶部开口相连通。上述设计中，通过调节高温熔体的高度，能够将高温熔体表层的杂质流出高温熔体，从而有效增加氮气与高温熔体的接触面积以使氮气更快地在熔体表面解离成N离子，进而促进GaN单晶的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119041003A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411269545.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置、生长设备以及生长方法，其中搅拌装置包括固定架、转轴、旋转传动组件以及装载有熔体的反应釜；转轴连接有驱动件，驱动件用于驱动转轴绕其自身轴线旋转，转轴的外侧连接有至少一个第一传动轴，反应釜转动连接于第一传动轴上，并且反应釜上开设有用于供氮气输入的进气通道，固定架围绕转轴设置，并且反应釜通过旋转传动组件与固定架连接；驱动件驱动转轴旋转时，反应釜绕转轴的轴线进行公转，并且，反应釜通过旋转传动组件绕其自身轴线进行自转。通过上述设计，能够有效解决现有生长GaN单晶的搅拌装置的搅拌效果较差，导致N离子的解离速度较低，无法有效使N离子均匀分布于熔体中的技术问题。
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公开(公告)号：CN118516770A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410706054.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生长的旋转摇摆式装置，涉及于半导体设备技术领域。用于单晶生长的旋转摇摆式装置包括旋转组件、反应釜和第一推杆；旋转组件包括有旋转驱动件和凹型盘；方形凹槽的底壁面为向下凹入的第一曲面；反应釜的底部端面为向下凸出的第二曲面；第一曲面部分与第二曲面部分相抵接，反应釜可摆动地设置于方形凹槽；反应釜的横截面为椭圆形，椭圆形的长轴的长度为a；第一推杆靠近反应釜的一端与反应釜的中心轴线之间间隔的距离为n，n
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公开(公告)号：CN118087044A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410428418.6
申请日：2024-04-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种助熔剂法生长GaN单晶的装置及方法，用于解决现有助溶剂法生长GaN单晶的质量不佳的技术问题。本发明包括可受驱旋转的反应釜，所述反应釜内部固定有坩埚，所述坩埚包括密封连接的坩埚盖以及坩埚体，其中，所述坩埚盖可用于固定籽晶，所述坩埚体的外侧面开设有开口。上述设计中，在GaN单晶生长前，籽晶需被固定在坩埚盖的内侧顶部。熔体升温过程及恒温的开始阶段，籽晶与熔体分离，避免了籽晶被熔体腐蚀，影响籽晶的表面形貌，进而影响GaN单晶的生长质量。在N离子浓度达到过饱和或气液平衡后，通过旋转反应釜可使得籽晶浸没在熔体中，有效地保证了GaN单晶生长过程一直处于N离子的高浓度状态，大大地提高GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118079802A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410415075.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B01J10/00
Abstract: 本发明设计了一种液面高度可调的气液反应装置和方法，该液面高度可调的气液反应装置包括气液反应腔、外套腔、气体系统、检测组件和工控机，气液反应腔置于外套腔内，包括可连通的气液反应区和液体存储区，气体系统包括第一气源、泄气管和气体阀门，检测组件包括第一检测件、第二检测件和连接管，连接管连接第一检测件，外套腔连接第二检测件，本发明气液反应区液面高度变化会引起连接管内气压变化，工控机依据检测组件得出气液反应区当前的液面高度，若当前的液面高度低于或高于设定值，工控机可以发送信号控制第一气源和气体阀门，确保气液反应区液面高度恒定，解决了现有技术的气液反应装置液面高度忽高忽低导致的反应速率不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN117758234A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311790615.4
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种反应装置，包括反应器，所述反应器具有腔室和与所述腔室连通的进气口和出气口；舟，设置在所述腔室内，以将所述腔室划分为连通的上腔室和下腔室，且盛装有化学反应物原料；弹簧，设置在所述下腔室内，且一端与所述舟的外底部连接，另一端与所述反应器的内底部连接。本发明提供的一种反应装置，包括反应器和设置在反应器内部的舟和弹簧，通过在舟的外底部与反应器的内底部之间设置弹簧，可具有稳定舟内液面的功能，当舟内盛装的化学反应物原料消耗而舟的重量减轻时，在弹簧的作用下，舟可整体上移，确保化学反应物原料的液位在反应的过程中始终稳定不变，从而确保反应速率稳定，有利于推广应用。
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