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公开(公告)号：CN104315462A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410573393.5
申请日：2014-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21V17/00 , F21V19/00 , F21V29/74 , F21Y101/02
CPC classification number: F21K9/20 , F21V5/046 , F21V14/06 , F21V19/001 , F21Y2101/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统，包括：高功率密度发光阵列，其由多个LED发光芯片阵列式的制作在线路基板上形成；散热元件，其放置在所述线路基板下方或附近，用以散热；集光匀光元件，其放置在所述高功率密度发光阵列的光路前方，用以将光线收集并形成均匀光线；投影元件，其放置在集光匀光元件光路前方，用于进一步调节光线。本发明其以高功率密度发光阵列做为光源，提供强光光源的同时也更利于二次光学设计。另外，本发明提供了具有匀光作用的集光元件，简化系统结构进而实现系统小型化。
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公开(公告)号：CN102683522B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210180422.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN102569566B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210060166.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使LED芯片固定于支架上；用金线将LED芯片的电极与LED支架相连；将LED芯片与LED支架一起浸泡，使打好金线的LED芯片与LED支架分离；将银浆涂覆在功率型LED支架上，然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上，以LED芯片侧面接触LED支架；在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉；在LED芯片上方的上方盖合一透镜；在透镜内填充硅胶，并固化，完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率，同时也大大改善了其远场分布。
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公开(公告)号：CN103824926A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410079219.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/641 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种多芯片LED封装体的制作方法，该多芯片LED封装体包括LED芯片、金属基板和PCB基板。这种多芯片封装体采用金属基板作为封装主体，能有效提高散热效果，同时结合PCB板制作背电极和通孔，使得该多芯片封装体在后面的灯具制作过程中可以使用插针接触或回流焊，制作工艺更加简便。
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公开(公告)号：CN103579478A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553600.6
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L27/15 , H01L33/50 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103486474A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310447405.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统，包括：多路投影系统，用于提供室内投影式照明系统的投射光线；控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信；多路反射系统，用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述系统通过设置多组投影光路和多个反射面来放大光斑和调整光斑形状。同时，在投影系统中的增加了散热部件，可更大程度的降低系统热量。本发明既节省了传统照明设备中灯具透镜和反射器所占用的空间，又为提供了更大的照明灵活性。
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公开(公告)号：CN103367386A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287949.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种交流发光二极管，包括：一绝缘衬底；至少一发光二极管组，其具有至少六个发光二极管单元，该发光二极管单元彼此绝缘分离设置于该绝缘衬底上；所述发光二极管单元分为五组，其中四组作为四条整流分支，另外一组作为输出分支，所述输出分支中包括至少两路并联的发光二极管支路；一钝化层，其设置于所述发光二极管单元的侧面和发光二极管单元之间的绝缘衬底上；一金属层，其形成于发光二极管单元和部分钝化层上，所述的金属层使各相邻的发光二极管单元之间形成串联或并联形式的电连接。利用本发明，提高了有源区的面积利用率，改善了电流扩展，提高了提取效率，有效地提高了交流LED芯片的发光效率，降低了交流LED芯片的成本。
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公开(公告)号：CN103281840A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310229330.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路，包括：一交流电源；一整流桥，其输入端与交流电源连接，输出端接地；一恒流源，其一端与整流桥的另一输出端连接；至少两个以上的LED组的LED串，其LED组为串联、并联或串并联，该LED串为串联，该LED串的正极与恒流源的另一端连接；一串联的反馈电阻串，其一端与LED串的负极连接，另一端接地；多个n沟道耗尽型半导体器件，每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接，S端与LED串的负极连接，G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。
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公开(公告)号：CN102903815A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210380553.5
申请日：2012-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入层上；一N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层生长在下衬底上；一P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。
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公开(公告)号：CN102691102A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210180973.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底表面排列一单层紧密排列的聚苯乙烯球；2)在聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加温加热处理，使聚苯乙烯球气化，在二氧化硅凝胶的表面形成二氧化硅纳米碗阵列掩模；4)采用ICP的方法，干法刻蚀或者湿法刻蚀，把二氧化硅纳米碗阵列掩膜转移到蓝宝石衬底上；5)在BOE溶液中进行处理，将蓝宝石衬底表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成蓝宝石纳米碗阵列图形，完成制作。本方法能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，大大提高出光效率，改善器件的性能。
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