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公开(公告)号：CN103368071A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310308727.1
申请日：2013-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。与传统均匀光栅的制作工艺相比，本发明等效相移光栅制作工艺要简单的多，从而极大降低了光栅分布反馈量子级联激光器的制备难度。
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公开(公告)号：CN102055135B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200910237094.3
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括：衬底，及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器采用脊型台面双沟波导结构，脊型台面结构由均匀脊宽的主控振荡区和锥形结构的增益放大区两部分组成；光子晶体结构用以提供分布反馈波导，制作于上接触层和欧姆接触层之中。利用本发明，能够获得单模近衍射极限光束输出；采用脊型台面结合锥形增益放大区的波导结构，大大降低了远场发散角，在提高输出功率的同时又避免了同类宽脊型大功率器件难以避免的散热问题。
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公开(公告)号：CN102025110B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910092876.2
申请日：2009-09-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。
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公开(公告)号：CN102025110A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910092876.2
申请日：2009-09-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101916965A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231191.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
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公开(公告)号：CN100452584C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510086962.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。
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公开(公告)号：CN100364063C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410049950.X
申请日：2004-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00 , H01L33/00
Abstract: 本发明一种电化学腐蚀制备多孔磷化铟半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将磷化铟基片(11)解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；步骤2：然后去除磷化铟基片表面的氧化层；步骤3：再进行电化学池(2)的安装；步骤4：之后通氮气15分钟；步骤5：最后通电进行腐蚀，得到有规则的四边形，孔壁为竖直的蜂窝状结构的多孔磷化铟形貌。
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公开(公告)号：CN1972047A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510086962.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。
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