公开(公告)号：CN104078431B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410300624.5

申请日：2014-06-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱春生 ,  宁文果 ,  李桁 ,  徐高卫 ,  罗乐

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125

Abstract: 本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量；(2)芯片与基板的连接是由铜凸点和含锡焊料凸点两部分构成，实现高密度连接；(3)铜凸点分两次制作，以保证第一层底充胶的完全填充和确保凸点与含锡焊料的足够接触。提供的整个工艺过程与现有IC工艺兼容，有较高的垂直互连密度、较好的电气连接特性、较高的机械稳定性。通过加速热循环等测试可以得出，具有此种封装结构的芯片，寿命得到了较大提高。

公开(公告)号：CN103794544B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210419100.9

申请日：2012-10-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宁文果 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  朱春生

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种电镀铜的方法，先提供一需要制作电镀铜布线的基底，采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层；然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层；接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子层表面制作电镀铜层；最后去除所述图形掩膜及所述图形掩膜覆盖的种子层，以完成制作。本发明具有以下有益效果：本发明首先可以消除电镀铜与溅射铜界面的孔洞，其次可以消除高温退火时形成的孔洞。由此电镀铜的方法获得电镀铜具有无孔洞，电阻小等特点。此工艺改进适于半导体、集成电路等使用电镀铜的方法制作铜引线的领域。

公开(公告)号：CN105118771A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510551283.3

申请日：2015-09-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5222

Abstract: 本发明涉及一种高品质因数电容制造方法，该制造方法至少包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；在所述硅基板正面的掩膜层上形成下电极；在所述下电极上沉积介质层并图形化以暴露部分下电极；E.在所述介质层上形成上电极并图形化后暴露部分介质层和下电极；去除所述深坑结构底部剩余的薄硅基板。本发明用简单的工艺实现了新颖的结构以得到Q值的成倍提高。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空MIM电容以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，提高电容Q值。

公开(公告)号：CN103500729B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201310492853.7

申请日：2013-10-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 叶交托 ,  陈骁 ,  朱春生 ,  徐高卫 ,  罗乐

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。

公开(公告)号：CN104485325A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410758727.6

申请日：2014-12-11

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩梅 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  陆原

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种减小圆片级集成无源器件翘曲的结构和制作方法，包括第一层金属层和第二层金属层，第二层金属层位于第一层金属层的上层，第二层金属层为螺旋状线圈结构，第一层金属层为连接线圈内外的桥线；其特征是：在所述第一层金属层和第二层金属层之间相互交叠的区域设置绝缘层。所述制作方法，包括以下步骤：（1）在圆片上制作第一层金属层；（2）在整个圆片上涂覆光敏有机聚合物，制作通孔；去除掉光敏有机聚合物，保留第一层金属层所在区域的光敏有机聚合物，固化；（3）制作第二层金属层，第二层金属层和第一层金属层之间的交叠区域与绝缘层相重叠。本发明通改善了由于有机介质层导致的圆片翘曲问题。

公开(公告)号：CN102431963B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110419770.6

申请日：2011-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王双福 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  韩梅

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。

公开(公告)号：CN104465428A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310423177.8

申请日：2013-09-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱春生 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  宁文果

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明提供一种铜-铜金属热压键合的方法，所述方法至少包括步骤：先提供待键合的第一圆片和第二圆片，所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti-Cu合金薄膜，所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti-Cu合金薄膜；再将所述第一圆片的第一Ti-Cu合金薄膜表面和第二圆片的第二Ti-Cu合金薄膜表面进行热压键合；最后在保护性气体中进行退火处理，使第一Ti-Cu合金薄膜中的Ti原子向第一钝化层表面扩散，第二Ti-Cu合金薄膜中的Ti原子向第二钝化层表面扩散，并最终在第一、第二钝化层表面形成Ti粘附/阻挡层，而Cu原子向键合面扩散，实现键合。本发明的方法在键合前仅需要对两个衬底分别进行一次共溅射，溅射次数减少了一半，工艺相对简单，可靠性好，且工艺成本较低，最后经过退火处理扩散形成Ti粘附/阻挡层，并使铜的键合效果更佳。

公开(公告)号：CN102610539B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201210015978.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤佳杰 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  陈骁

IPC: H01L21/66 ,  G01K7/01

Abstract: 本发明涉及一种利用集成pn结测量多芯片埋置型高密度封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中分别掺杂磷和硼，利用pn结的导通电压随温度变化的特性来测量芯片接面温度。根据需要选择并控制掺杂剂量和结深。先在衬底上埋置槽内光刻出p型掺杂区并掺杂硼，然后再光刻形成n+掺杂区并掺杂磷，然后淀积金属，光刻腐蚀形成引线焊盘和金属布线。通过控制掺杂剂量和结深调节线性测温范围；通过pn结阵列可以实时获取芯片接面温度和热分布情况。本发明采用了喷胶光刻工艺来形成从埋置槽底部向硅圆片表面的爬坡引线。该工艺采用了光刻等于微电子工艺相兼容的工艺，工艺步骤简单，工艺周期较短。

公开(公告)号：CN102544040B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210014615.0

申请日：2012-01-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 叶交托 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  王双福

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。

公开(公告)号：CN103500729A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310492853.7

申请日：2013-10-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 叶交托 ,  陈骁 ,  朱春生 ,  徐高卫 ,  罗乐

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。