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公开(公告)号：CN102495501B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110461436.7
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 木村肇
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1337 , G02F1/134363 , G02F1/1362 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G09G3/20 , G09G3/342 , G09G3/3659 , G09G3/3685 , G09G2300/0876 , G09G2310/0235 , G09G2310/024 , G09G2310/027 , G09G2310/0275 , G09G2310/0297 , G09G2320/0233 , G09G2320/0252 , G09G2320/0261 , G09G2320/106 , G09G2340/0435 , G09G2340/16 , G09G2352/00 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H04N9/3102
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置以及电子设备。本发明的目的在于提供一种具有广视角的半导体装置、液晶显示装置、以及电子设备，其中制造工序数量和掩模数量比以往少且制造成本低。本发明的技术要点是一种液晶显示装置，包括：形成在衬底的一个表面的整个面上的第一电极；形成在该第一电极上的第一绝缘膜；形成在该第一绝缘膜上的薄膜晶体管；形成在该薄膜晶体管上的第二绝缘膜；形成在该第二绝缘膜上并具有多个开口的第二电极；以及所述第二电极上的液晶，其中利用所述第一电极和所述第二电极之间的电场控制所述液晶。
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公开(公告)号：CN105807507A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610369130.1
申请日：2016-05-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362 , G02F2001/13396 , G02F2001/13398 , G02F2001/13625 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的实施例提供了显示面板及其制作方法、以及显示装置。显示面板包括相对的第一基板和第二基板。显示面板还包括：隔垫物，其位于第一基板。以及至少两个挡墙，其位于第二基板，其中，至少两个挡墙构成凹陷区域，隔垫物对应凹陷区域，至少两个挡墙被配置为限制隔垫物的移动。根据本发明的实施例，有效防止在显示面板受到外力时，隔垫物滑到显示区域。
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公开(公告)号：CN105785678A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610321552.1
申请日：2016-05-12
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/13 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/13 , G02F1/1362 , G02F1/136259 , G02F2001/136263 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L27/124 , G02F1/1309 , H01L27/1259
Abstract: 本发明提供一种TFT基板的断线修复方法，该方法首先找出所述TFT基板中的断线及该断线上断点的位置，再在所述钝化层与位于所述断点两端的所述断线相交的位置分别进行加工以暴露出所述断线所处的金属层，然后在所述钝化层及断点两端暴露的金属层上形成金属长膜，最后在所述金属长膜的表面形成保护膜或者对所述金属长膜的表面进行平坦化改质，通过保护膜对金属长膜进行保护或者通过平坦化改质使得金属长膜表面的粗糙度降低，防止金属长膜在后续制程中受到腐蚀或摩擦发生断裂，有效地提升TFT基板的断线修复成功率，保证产品质量，提升产品竞争力。
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公开(公告)号：CN105785640A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610365139.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/134309 , G02F1/1396
Abstract: 本发明公开了一种曲面显示装置及其制备方法，涉及液晶显示技术领域，能够有效地解决TN模式下曲面显示装置的混色问题。本发明公开的曲面显示装置，包括对盒的第一衬底基板和第二衬底基板，所述第一衬底基板上设置有彩色光阻层以及位于所述彩色光阻层之上的像素电极层；所述第二衬底基板上设置有第二公共电极层。本发明公开的曲面显示装置及其制备方法适用于曲面显示装置的制备过程中。
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公开(公告)号：CN103760723B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410028576.9
申请日：2014-01-21
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133707 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/13458 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种像素单元和阵列基板，所述像素单元包括：若干像素电极，其包括斜向延伸的斜向像素电极和位于所述斜向像素电极边缘且横向延伸的横向像素电极，所述若干像素电极组成显示区域，所述显示区域具有一开口区；导电单元，其位于所述开口区并与所述斜向像素电极的投影部分重合，所述导电单元靠近所述斜向像素电极的一角为缺角或圆角。从而降低了对开口区周边电场对斜向像素电极电场的影响，减小对开口区液晶导向的影响，改善了像素暗纹现象，提高了像素的开口率，提升了显示质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064159B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410342374.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 戴超
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/1362 , G09G3/36 , G09G3/3677 , G09G2300/04 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2320/043 , G09G2330/02 , G11C19/184 , G11C19/28
Abstract: 本发明提供一种具有自我补偿功能的栅极驱动电路，包括：级联的多个GOA单元，该第N级GOA单元包括：上拉控制模块、上拉模块、下传模块、第一下拉模块、自举电容模块、及下拉维持模块；该上拉模块、第一下拉模块、自举电容模块、下拉维持电路分别与第N级栅极信号点Q(N)和该第N级水平扫描线G(N)电性连接，该上拉控制模块与下传模块分别与该第N级栅极信号点Q(N)电性连接，该下拉维持模块输入第一直流低电压VSS1及第二直流低电压VSS2。本发明通过设计具有自我补偿功能的下拉维持模块来提高栅极驱动电路长期操作的可靠性；还可以设计成直接由一组直流信号源DC控制的下拉维持模块，既可以节省电路版图设计空间，又可以降低电路的整体功耗。
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公开(公告)号：CN103180410B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180051489.X
申请日：2011-12-15
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09K19/38 , C09K19/30 , C09K19/54 , G02F1/13 , G02F1/1337
CPC classification number: C09K19/542 , C09K19/0216 , C09K19/12 , C09K19/3066 , C09K19/56 , C09K2019/0448 , C09K2019/122 , C09K2019/3016 , C09K2019/548 , G02F1/133788 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的含有聚合性化合物的液晶组合物涉及含有由通式（I）表示的聚合性化合物以及由通式（II）表示的化合物的液晶组合物，是用于通过聚合而赋予液晶取向能力的液晶显示元件。聚合性液晶组合物要求在宽温度范围内不析出，具有对应于高速应答的低粘度，并且使用该组合物的液晶显示元件在聚合后的取向性更加稳定，显示特性不发生不良状况。本申请中通过使用特定的化合物解决了这些问题。
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公开(公告)号：CN105633103A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610224746.X
申请日：2016-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/1362 , H01L21/77 , H01L27/1214 , H01L2021/775
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，属于显示技术领域。阵列基板包括栅极层、栅绝缘层、第一有源层、ITO像素电极层、源漏电极层、保护层、公共电极层，阵列基板还包括第二有源层，栅绝缘层覆盖在栅极层上，第一有源层、源漏电极层和ITO像素电极层覆盖在栅绝缘层上；源漏电极层覆盖在第一有源层上，第二有源层覆盖在源漏电极层和第一有源层上；保护层覆盖在源漏电极层、第二有源层和ITO像素电极层上，公共电极层覆盖在保护层上。本发明在制作阵列基板时，在一层有源层的基础上还另外增加了另一层有源层与源漏电极层搭接，由栅极驱动双层有源层，实现了双层A-Si载流子驱动，提升了A-Si载流子的迁移率。
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公开(公告)号：CN103293793B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310215618.5
申请日：2013-05-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 谷新
IPC: G02F1/1347 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/1334 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F2001/133342 , G02F2001/133531
Abstract: 本发明公开了一种双面显示面板及其制造方法，涉及显示技术领域，可以实现显示装置的双面同时显示。所述显示面板包括相对设置的阵列基板和封装基板，所述阵列基板与所述封装基板之间具有显示结构，所述显示结构具有多组矩阵形式排列的显示单元，还包括位于所述阵列基板的第一透明基板和第一电极层之间的第一反射透射层；和/或，位于所述封装基板的第二透明基板和第二电极层之间的第二反射透射层；所述反射透射层包括间隔设置的反射区域和透射区域。
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公开(公告)号：CN102629628B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110294950.6
申请日：2011-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136218 , G02F2001/136236 , H01L21/44 , H01L21/4885 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L27/156 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，在防止半导体有源层受到污染的同时，减少了构图工序，提高了生产效率，降低了生产成本。TFT阵列基板包括：基板，基板上形成的栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层，具有金属氧化物区域的金属阻挡层，金属阻挡层上形成有源极和漏极，金属阻挡层的金属氧化物区域位于所述源极、漏极之间，基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。
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