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公开(公告)号：CN116841127A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210306927.2
申请日：2022-03-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司 , 山东蓝贝思特教装集团股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G02F1/1333 , G02F1/13
Abstract: 本申请公开了一种阵列基板及液晶面板，属于显示技术领域。阵列基板，包括：衬底，以及位于衬底上的多个层叠设置的图案化的膜层结构。由于图案化的膜层结构中位于第一拼接显示区内的部分是基于掩膜板的第一掩膜和第二掩膜形成的，并且在两次曝光分别采用了掩膜版中的不同位置处的两组掩膜标尺。因此，在阵列基板中基于同一个掩膜板形成的图案化的膜层结构中，两个相邻的正常显示区之间的第一拼接显示区的宽度可以由两个相邻的正常显示区内的标尺结构得到。如此，本申请实施例中的阵列基板内各个图案化的膜层结构中的第一拼接显示区的宽度能够被稳定的可靠的控制，进而提高后续形成的显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN105786263B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610320032.9
申请日：2016-05-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式触摸屏及其驱动方法、显示装置，用以在不影响像素开口率的情况下实现触控。所述内嵌式触摸屏，包括多个触控电极和遮光结构，所述遮光结构包括多条沿第一方向平行设置的第一遮光条和多条沿第二方向平行设置的第二遮光条，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；所述第一遮光条具有导电性，每一所述触控电极与每一所述第一遮光条一一对应且电性相连。
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公开(公告)号：CN105633103B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610224746.X
申请日：2016-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，属于显示技术领域。阵列基板包括栅极层、栅绝缘层、第一有源层、ITO像素电极层、源漏电极层、保护层、公共电极层，阵列基板还包括第二有源层，栅绝缘层覆盖在栅极层上，第一有源层、源漏电极层和ITO像素电极层覆盖在栅绝缘层上；源漏电极层覆盖在第一有源层上，第二有源层覆盖在源漏电极层和第一有源层上；保护层覆盖在源漏电极层、第二有源层和ITO像素电极层上，公共电极层覆盖在保护层上。本发明在制作阵列基板时，在一层有源层的基础上还另外增加了另一层有源层与源漏电极层搭接，由栅极驱动双层有源层，实现了双层A‑Si载流子驱动，提升了A‑Si载流子的迁移率。
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公开(公告)号：CN106898623A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710256719.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种阵列基板和显示装置，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板的非显示区域中设置有至少三层相互绝缘的信号线，信号线中包括沿相同方向延伸的第一层信号线和第二层信号线，以及与第一层信号线和第二层信号线交叉绝缘设置的第三层信号线，第三层信号线与衬底基板之间的距离大于第一层信号线和第二层信号线与衬底基板之间的距离，第一层信号线在衬底基板上的正投影与第三层信号线在衬底基板上的正投影具有第一重叠区域，第二层信号线在衬底基板上的正投影与第三层信号线在衬底基板上的正投影具有第二重叠区域，第一重叠区域和第二重叠区域至少部分不重叠，从而解决段差较大的第三层信号线容易产生断裂的问题。
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公开(公告)号：CN105786263A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610320032.9
申请日：2016-05-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式触摸屏及其驱动方法、显示装置，用以在不影响像素开口率的情况下实现触控。所述内嵌式触摸屏，包括多个触控电极和遮光结构，所述遮光结构包括多条沿第一方向平行设置的第一遮光条和多条沿第二方向平行设置的第二遮光条，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；所述第一遮光条具有导电性，每一所述触控电极与每一所述第一遮光条一一对应且电性相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898623B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710256719.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种阵列基板和显示装置，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板的非显示区域中设置有至少三层相互绝缘的信号线，信号线中包括沿相同方向延伸的第一层信号线和第二层信号线，以及与第一层信号线和第二层信号线交叉绝缘设置的第三层信号线，第三层信号线与衬底基板之间的距离大于第一层信号线和第二层信号线与衬底基板之间的距离，第一层信号线在衬底基板上的正投影与第三层信号线在衬底基板上的正投影具有第一重叠区域，第二层信号线在衬底基板上的正投影与第三层信号线在衬底基板上的正投影具有第二重叠区域，第一重叠区域和第二重叠区域至少部分不重叠，从而解决段差较大的第三层信号线容易产生断裂的问题。
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公开(公告)号：CN105633103A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610224746.X
申请日：2016-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/1362 , H01L21/77 , H01L27/1214 , H01L2021/775
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，属于显示技术领域。阵列基板包括栅极层、栅绝缘层、第一有源层、ITO像素电极层、源漏电极层、保护层、公共电极层，阵列基板还包括第二有源层，栅绝缘层覆盖在栅极层上，第一有源层、源漏电极层和ITO像素电极层覆盖在栅绝缘层上；源漏电极层覆盖在第一有源层上，第二有源层覆盖在源漏电极层和第一有源层上；保护层覆盖在源漏电极层、第二有源层和ITO像素电极层上，公共电极层覆盖在保护层上。本发明在制作阵列基板时，在一层有源层的基础上还另外增加了另一层有源层与源漏电极层搭接，由栅极驱动双层有源层，实现了双层A-Si载流子驱动，提升了A-Si载流子的迁移率。
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公开(公告)号：CN103165680B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310072120.8
申请日：2013-03-07
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1333 , G02F1/133502 , H01L27/1218 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种显示用基板及显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的透明薄膜透过率低的问题。一种显示用基板，包括：基板以及设置在所述基板上的多个像素结构；所述像素结构分为透光区和非透光区，且所述像素结构中位于所述透光区的部分包括多个透明薄膜，所述多个透明薄膜中至少三个相邻的透明薄膜的折射率依排列顺序依次变化；所述基板上依次设置有栅绝缘层、钝化层和像素电极，所述多个透明薄膜中至少三个相邻的透明薄膜的折射率依排列顺序依次变化具体为：所述栅绝缘层、钝化层和像素电极的折射率依次变化。本发明适用于显示装置的制造领域。
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公开(公告)号：CN103337477A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310200126.9
申请日：2013-05-27
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
Inventor： 冀新友
CPC classification number: H01L27/1296 , G02F1/1362 , G02F2001/136254 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板和显示装置，所述阵列基板包括像素区、对位区和像素测试区，其特征在于，所述对位区包括依次形成在基板上的对位栅层、对位绝缘层和对位像素电极层，所述像素测试区包括依次形成在基板上的测试栅层、测试绝缘层和测试像素电极层，所述对位栅层和所述测试栅层与所述像素区中的栅层同层设置，所述对位像素电极层和所述测试像素电极层与所述像素区中的像素电极层同层设置，所述对位绝缘层和所述测试绝缘层与所述像素区中的栅绝缘层同层设置或与所述像素区中的钝化层同层设置。本发明用于测量像素电极的线宽。
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公开(公告)号：CN103165680A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310072120.8
申请日：2013-03-07
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1333 , G02F1/133502 , H01L27/1218 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种透明薄膜及其制作方法、显示用基板及显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的透明薄膜透过率低的问题。一种透明薄膜，包括层叠的至少三个子层，所述至少三个子层的折射率各不相同，且位于最底层和最顶层之间的任一个子层的折射率介于与其相邻的两个子层的折射率之间。本发明适用于显示装置的制造领域。
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