-
公开(公告)号：CN110246905B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910474255.4
申请日：2019-05-31
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。通过在电池正面氮化硅层上进一步增加氧化硅层，可以降低正面膜层的反射率，提升光的利用率，通过在背面氧化铝层与硅基体之间增加氧化硅层，有利于增强氧化铝固定负电荷的作用，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果，从而提高了电池效率。
-
公开(公告)号：CN111628052B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010671746.0
申请日：2020-07-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括以下施工步骤：S1硅基层双面制绒，S2硅基层双面热氧化，S3沉积正面掺杂多晶硅层，S4硅基层背面清洗，S5二次热氧化，S6沉积背面掺杂多晶硅层，S7三次热氧化，S8清洗，S9正面钝化层和正面减反射层沉积，S10二次清洗，S11背面钝化层和背面减反射层沉积，S12金属化；制备工艺过程简单，无需用酸溶液或碱溶液进行背面抛光处理，提升了电池转换效率。
-
公开(公告)号：CN110828583B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910904174.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时，进一步减小金属接触区域的复合速率。
-
公开(公告)号：CN112725900A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011613644.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种扩散源瓶，包括：源瓶和连通管，所述源瓶与所述连通管连通，所述连通管上设置有感应器，所述连通管内的液位与所述源瓶内的液位一致，用于通过感应所述连通管内的液位以监控所述源瓶内的液位；所述感应器包括：低液位感应器，高液位感应器和超高液位感应器，所述低液位感应器、所述高液位感应器和所述超高液位感应器从下到上依次排列设置于所述连通管上，用于监控所述源瓶内的液位；能够实时监测源瓶内源液的液位，使得每台机的使用的源瓶里的源液能够保持安全液位，不需要频繁更换源瓶，有利于批量生产中保持工艺制程的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112289874A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011300449.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及的太阳能电池电极，包括若干电池片，每个电池片具有相对设置的正面及背面，正面上设置有若干条栅线及用以将栅线汇流的汇流线，每条栅线具有沿电池片轴线方向设置的直线部及与直线部连接的折弯部，汇流线与直线部平行设置，且至少部分汇流线与折弯部连接以形成第一汇流点，该太阳能电池电极无需主栅线，电流收集路径更短，效率更高，正面电极和背面电极通过焊接第一汇流点和第二汇流点串联，降低了电极浆料和焊带使用量，减少了因焊带遮挡正面带来的光学损失，提高了正面受光面积，提高了有效利用率，进而提高了光伏组件功率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916528A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010606899.7
申请日：2020-06-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlOx层；且在所述正面和背面沉积SiNx层；然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后，增加退火步骤，调节晶体硅电池内氢浓度，降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减，进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。
-
公开(公告)号：CN111850522A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN111710756A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010620151.2
申请日：2020-07-01
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
Abstract: 本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。本申请还提供具有上述优点的电池。
-
公开(公告)号：CN111628052A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010671746.0
申请日：2020-07-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括以下施工步骤：S1硅基层双面制绒，S2硅基层双面热氧化，S3沉积正面掺杂多晶硅层，S4硅基层背面清洗，S5二次热氧化，S6沉积背面掺杂多晶硅层，S7三次热氧化，S8清洗，S9正面钝化层和正面减反射层沉积，S10二次清洗，S11背面钝化层和背面减反射层沉积，S12金属化；制备工艺过程简单，无需用酸溶液或碱溶液进行背面抛光处理，提升了电池转换效率。
-
公开(公告)号：CN110634983A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920590.2
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.033 seconds)
