公开(公告)号：CN111628052B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202010671746.0

申请日：2020-07-13

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  符欣 ,  连维飞 ,  许亚军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括以下施工步骤：S1硅基层双面制绒，S2硅基层双面热氧化，S3沉积正面掺杂多晶硅层，S4硅基层背面清洗，S5二次热氧化，S6沉积背面掺杂多晶硅层，S7三次热氧化，S8清洗，S9正面钝化层和正面减反射层沉积，S10二次清洗，S11背面钝化层和背面减反射层沉积，S12金属化；制备工艺过程简单，无需用酸溶液或碱溶液进行背面抛光处理，提升了电池转换效率。

公开(公告)号：CN111710756A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620151.2

申请日：2020-07-01

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  南京航空航天大学

Inventor： 许亚军 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  沈鸿烈 ,  杨智 ,  钱洪强 ,  张树德 ,  连维飞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216

Abstract: 本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。本申请还提供具有上述优点的电池。

公开(公告)号：CN111628052A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010671746.0

申请日：2020-07-13

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  符欣 ,  连维飞 ,  许亚军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括以下施工步骤：S1硅基层双面制绒，S2硅基层双面热氧化，S3沉积正面掺杂多晶硅层，S4硅基层背面清洗，S5二次热氧化，S6沉积背面掺杂多晶硅层，S7三次热氧化，S8清洗，S9正面钝化层和正面减反射层沉积，S10二次清洗，S11背面钝化层和背面减反射层沉积，S12金属化；制备工艺过程简单，无需用酸溶液或碱溶液进行背面抛光处理，提升了电池转换效率。