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公开(公告)号：CN101700985B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910272706.2
申请日：2009-11-10
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基封孔涂层的制备方法，该方法是：先将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体，与聚乙烯醇、三聚磷酸钠和水按照配比进行充分球磨混合，制得氮化硅基料浆，该料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，得到生坯；生坯在常温干燥12～24小时后，于200～400℃进行排胶并保温5～24小时；排胶后的生坯在1400～1700℃氮气保护气氛下常压烧结并保温1～5小时，即得到致密的氮化硅基封孔涂层。本发明工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好，所制备的氮化硅基封孔涂层厚度均匀可控，结构致密，无微观裂纹，与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好。
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公开(公告)号：CN102267814A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189177.2
申请日：2010-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B38/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明是一种添加造孔剂的磷酸盐结合氮化硅多孔陶瓷的制备方法，具体是：先将10～50vol.％造孔剂直接与α-氮化硅粉、氧化物粉以乙醇为球磨介质混合均匀，然后烘干得到混合粉；将磷酸按照与氧化物粉形成磷酸盐的化学计量配比加入到混合粉中，得到混合料；将混合料采用模压成型和冷等静压处理，得到成型样品；将成型样品在500～700℃进行热处理并保温2～5小时，然后在800～1200℃氮气气氛保护下常压烧结，即得到所述的氮化硅多孔陶瓷。本发明工艺简单、可重复性好、成本低，而且所制备的氮化硅多孔陶瓷材料具有孔隙分布均匀、孔径尺度小、孔隙率高和力学强度较高等优异性能。
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公开(公告)号：CN101456963B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910060403.4
申请日：2009-01-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于泡沫材料领域。一种微球复合泡沫材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)混料、排泡和成型步骤：按：空心微球为环氧树脂重量的0.1～6wt％，固化剂为环氧树脂重量的10～15wt％；增塑剂为环氧树脂重量0～20wt％，稀释剂为环氧树脂重量的0～20wt％，选取；搅拌混合，得混合物料；然后通过辊压机对混合物料进行辊压排泡处理，得混合均匀的树脂浆体；将树脂浆体倒入模具成型；2)前期低温固化步骤：将装有树脂浆体的模具放入低温真空条件的容器中，固化5～10h，得到高粘度树脂体；3)后期固化步骤：先在固化温度为20～50℃条件下，固化12～24h，然后升温至100～120℃，固化2～4h；得微球复合泡沫材料。该方法制备过程简单，填充的微球分布均匀。
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公开(公告)号：CN102031411A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010566861.8
申请日：2010-12-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法，该方法是；采用Zn粉作为添加剂，将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%，Cu=25.0%~90.0%，Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料，然后放入真空热压炉中，按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料，所述真空热压烧结工艺为：真空度为1×10-3~1×10-4Pa，烧结温度为700℃~900℃，保温时间为1~4h，施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料，具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。
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公开(公告)号：CN101439967A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810237419.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种SnO2陶瓷的制备方法。一种高致密二氧化锡陶瓷的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：按烧结助剂的质量为SnO2粉体质量的0.5～5.0％，选取烧结助剂和SnO2粉体，其中，烧结助剂为MnO2粉体和CuO粉体；2)球磨混料：将SnO2粉体、CuO粉体、MnO2粉体、有机溶剂和混料球放入球磨罐，在行星球磨机中进行混合，得浆体；3)烘干：将浆体倒入玻璃容器中，放入烘箱中进行低温烘烤直至溶剂挥发完毕，研磨后过开口筛，获得混合粉末；4)冷静压成型：冷等静压机中成型，得坯体；5)无压烧结：获得的坯体放入烧结炉中烧结，得到高致密二氧化锡陶瓷。本发明制备的二氧化锡陶瓷具有致密度高的特点。用于抗氧化、耐高温和耐酸碱等的苛刻环境防护材料。
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公开(公告)号：CN101269967A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810047697.2
申请日：2008-05-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种制备碳化硼陶瓷的方法，具体步骤包括：第一步、称取硼粉和碳粉，硼、碳摩尔比为0.5－22.5，混合；第二步、将第一步制备的粉料放入模具中送入放电等离子烧结设备中烧结，在真空条件下升温至1300－2200℃；第三步、将模具从放电等离子烧结设备中取出，降温至室温，退去模具，成品。本发明方法，碳化硼的直接合成和致密化一次快速完成，粉末在真空条件下烧结，制备的碳化硼陶瓷的纯度高，硼碳比多样，硬度高。
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公开(公告)号：CN100354230C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610018178.4
申请日：2006-01-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供了一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法，即：将液体磷酸作为添加剂直接与α-氮化硅陶瓷粉料均匀混合，二者之重量配比为1∶15～2∶1；将混合料采用模压成型或者注浆成型的方法成型；将成型样品在300～500℃进行热处理并保温2～5小时，使氮化硅颗粒表面通过磷酸作用得到净化；将热处理后的产物在900～1500℃氮气保护气氛下常压烧结，控制反应速率为100～200℃/小时和保温时间2～5小时，即得到一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料。本发明工艺简单、可重复性好、成本低，而且所制备的氮化硅多孔陶瓷材料具有孔隙分布均匀、孔径尺度小、孔隙率高和力学强度较高等优异性能。
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公开(公告)号：CN1844042A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610018872.6
申请日：2006-04-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种磷酸锆陶瓷材料的制备方法，即：(1)制备磷酸锆粉体：先将液体磷酸直接与氧化锆陶瓷粉料均匀混合，二者之重量配比为2∶1；再进行热处理，使氧化锆与磷酸充分反应生成磷酸锆；然后对磷酸锆进行煅烧、球磨、干燥、过筛处理即可。(2)用氧化镁、氧化铝、氧化硅作为烧结助剂，与磷酸锆粉体均匀混合。(3)使混合物干压成型。(4)将成型混合物进行冷等静压处理，制得坯体。(5)将坯体在1100～1500℃空气中常压烧结，保温1～5小时，即得磷酸锆陶瓷材料。本发明工艺简单、可重复性好、成本较低，而且所制备的磷酸锆陶瓷材料具有高致密度、较高力学(抗弯)强度和低介电常数与介电损耗等优异性能。
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公开(公告)号：CN1202412C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03128257.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及颗粒测试技术。沉降式激光反射像点粒度测量方法，其特征是将激光扩束成平面光束，照射由被测颗粒组成的液固或气固混合重力沉降体系，使位于平面光束上的颗粒因反射激光，形成高光强像点，进而采用摄像和视频动态图像处理手段，获得每一个像点在铅垂方向上的运动速度，即为颗粒的沉降速度，根据Stokes沉降速度定律求出与沉降速度相对应的颗粒粒度与分布值。本发明实现了高固相浓度、快速及取样分析和在线检测均可使用的颗粒粒度与分布测量。
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公开(公告)号：CN119880992A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510155240.7
申请日：2025-02-12
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种激光烧蚀行为测试系统，包括壳体、样品装载组件、激光发生组件以及测试组件，壳体形成有密闭的腔体，样品装载组件内置于壳体，并具有至少一个用于装载样品的装载位，激光发生组件的激光发射端朝向装载位设置，测试组件包括气体检测件、视频采集件及温度检测件，气体检测件的采集端与腔体的内部相连通，视频采集件的采集端朝向装载位设置，温度检测件连接于壳体，用于检测装载位的温度。本发明能有效的解决因烧蚀测试装置仅具有单一的功能性测试，从而导致难以满足高精度实验需求的问题。
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