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公开(公告)号：CN105428236A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511025094.9
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。
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公开(公告)号：CN105094207A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510585502.X
申请日：2015-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
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公开(公告)号：CN112054797B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011050494.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种适用于高速DAC的电流开关驱动器，由同步锁存电路、限幅低交叉电路和电流开关电路组成；同步锁存电路的同步锁存电路输入采样时钟信号CLK和输入信号VIN；同步锁存电路的同步锁存信号DP和DN的输出端分别连接限幅低交叉电路的同步锁存信号DP和DN的输入端；限幅低交叉电路的开关驱动信号DSP和DSN的输出端分别连接电流开关电路的开关驱动信号DSP和DSN的输入端连接；电流开关电路输出输出信号OUTP和OUTN。本发明能够有效降低开关信号幅度和开关信号交叉点，并减小版图的面积。
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公开(公告)号：CN119483601A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311741672.3
申请日：2023-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种逐次逼近和事件驱动混合型电平交叉ADC电路采用了新颖的LC ADC和SAR ADC的混合型架构，可以在很低的时钟频率下实现任意输入频率的电平交叉检测，同时SAR ADC在低时钟频率时具有非常优越的低能耗性能，可以使得整个系统的功耗很低，并且通过SAR ADC可以使得系统的输出不受LC ADC精度的影响，同时也无需进行信号的再生处理，可以直接对输出的数据进行后续的数字信号处理。同时，本发明使用了数模混合设计方法，对于系统中的逻辑处理模块使用数字方法实现，从而无需外部的FPGA等逻辑器件，提高了电路集成度和使用的便捷性。
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公开(公告)号：CN118137642A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410058921.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种TEG能量最大化收集电源管理电路，该电路包括TEG能量源、可充电电池VBAT、输入电容CIN、输出电容COUT、电感L、功率开关、核心控制模块、负载RL。为实现TEG能量最大化收集，通过最大功率追踪电路使得TEG能量在最大功率点处进行转换，在可充电电池供电期间，采用双相位切换的方式，设计了两个电感放电回路。若输入电容CIN上的电压到达了最大功率点电压时，电感电流通过第一放电回路放电，即通过TEG回流至电感，同时将TEG的能量转换到负载；反之，通过第二放电回路放电，即通过续流开关回流至电感。相比传统能量收集系统，本发明通过双相位切换的方式，解决了传统能量收集系统在重载时单纯由电池供电而无法收集TEG能量或无法最大化收集TEG能量的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108964486B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811097892.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种负压断路关断型CMOS射频整流器，包括负压产生单元、电平移位单元和可断路关断射频整流单元；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+；负压产生单元和可断路关断射频整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑；电平移位单元的的电源极接电源VDD，电平移位单元的控制端接控制信号VCTR；负压产生单元的输出连接电平移位单元的输入端；电平移位单元的输出接可断路关断射频整流单元的输入端；可断路关断射频整流单元的输出端作为整个整流器的输出端。本发明在使能状态时具有较高的PCE，在关断状态时具有较低的POFF，电路结构简单，设计容易，版图面积小，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN108649822B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810750358.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n‑1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。
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公开(公告)号：CN110224593B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910542822.5
申请日：2019-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M3/156 , H03K17/284
Abstract: 本发明公开具有内阻自适应的最大功率追踪电路及DC‑DC升压电路，最大功率追踪电路采用开关延时生成电路与开关延时综合电路相结合的电路结构，开关延时生成电路将输入电容上的电压与最大功率点电压进行比较，开关延时综合电路实时根据环境能量源的内阻大小自适应生成不同长短的延时时间，以此生成携带了输入内阻大小信息的开关信号；DC‑DC升压电路利用最大功率追踪电路所生成的携带了输入内阻大小信息的开关信号S0，不仅能够保证其在输入电压的变化范围较宽时系统仍具有较高的追踪效率，追踪效率最高可达99.64％；而且能够保证其在环境能量源的内阻较大的范围内仍具备较高的能量转换效率，能量转换效率最高可达96.25％。
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公开(公告)号：CN109634348B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811517848.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明公开一种适用于双源能量收集系统的最大功率同步追踪电路，包括上升沿检测器A1‑A2，SR锁存器A3，比较器A4‑A5，开关控制电路A6，缓冲器A7‑A9，功率源P1‑P2，最大功率点电压采样电路A10‑A11，电容Cin1‑Cin2，NMOS管NM1‑NM3，电感L1，PMOS管PM1，以及过零比较器A12。本发明通过同时对两个输入能量源的最大功率点电压进行追踪，减小了控制电路的功耗，并提高了追踪效率，追踪效率最大可以达到99.98%，提高了能量的利用率；系统验证表明当输入能量源的输入功率分别为5uW和1mW时，电路的能量转换效率最大能达到85.59%。
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公开(公告)号：CN109525239B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910067022.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开一种数字输出两级双精度生物医学电容传感器接口电路，由电容时间转换电路和时间数字转换电路组成。采用两级双精度振荡器产生低精度、高精度两路参考信号，对被测电容进行双精度测量，在提高电容测量精度的同时，减少测量时间；同时，可根据被测电容的大小，对外接的参考电容的电容值和外部控制的可编程分频器的分频倍数进行调整，实现非固定、宽范围、高精度的电容检测；逻辑控制单元结构，使双精度参考信号可在分频后的被测信号的一个周期内完成测量，减少测量时间；电容的变化直接转换为数字编码输出，可减少模数转换单元，方便与后续芯片级联，降低电容测量误差。
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