公开(公告)号：CN105428236A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511025094.9

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  康维华 ,  首照宇 ,  高喜 ,  丁志华 ,  莫如愚 ,  李琦 ,  肖功利 ,  蒋行国 ,  翟江辉 ,  徐卫林

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。

公开(公告)号：CN202206448U

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201120313422.6

申请日：2011-08-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 胡聪 ,  牛军浩 ,  李智 ,  莫如愚 ,  唐璐丹 ,  黄卫星

IPC: H04M1/725

Abstract: 本实用新型公开一种智能呼叫电话机，包括至少一台与电话机接口相连的电话分机，所述电话分机上还并联有一智能呼叫器，该智能呼叫器主要由电源、以及与电源相连的微处理器、系统引出接口、铃流检测电路、摘挂机检测电路、语音控制电路、送话音频放大电路、受话音频放大电路和扬声器组成；其中系统引出接口与电话机接口相连；系统引出接口经由铃流检测电路与微处理器的输入端连接，微处理器的输出端经由摘挂机检测电路与系统引出接口连接；微处理器的另一个输出端依次通过语音控制电路和送话音频放大电路连接至系统引出接口；系统引出接口通过受话音频放大电路与扬声器相连。本实用新型能够有效提高电话的利用率和通话率。