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公开(公告)号：CN113249685A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110381490.4
申请日：2021-04-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化银薄膜气敏传感器的制备方法，本发明在二氧化硅基底上，首先沉积生长银薄膜，然后气相硫化生成硫化银薄膜，接着在硫化银表面生长钯纳米颗粒，之后再真空镀膜蒸镀铂叉指电极，获得钯修饰硫化银气敏传感器。本发明钯修饰硫化银作为气敏层，对含硫气体具有较好的气敏性。
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公开(公告)号：CN112701188A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011593301.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/28 , C23C14/26
Abstract: 本发明公开了一种近红外光电探测器及其制备方法，本发明一种近红外光电探测器，包括硫化银薄膜材料、n型InP基片和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片和硫化银薄膜材料上蒸镀有电极。本发明制备的近红外光光电探测器，无需外延生长设备，具有成本低的优点。
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公开(公告)号：CN110373718B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910462792.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。
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公开(公告)号：CN110902713A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911176600.2
申请日：2019-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G21/00
Abstract: 本发明公开了一种制备CsPbX3钙钛矿的方法，本发明将CsX和PbX2按1:1加入水中，按照两者中的最小溶解度进行配料，把溶液放在超声仪中超声使其充分溶解；其中X为I、Br或Cl；将基板放在加热台上加热至200-250℃，再将溶液滴涂在基板上，2-3分钟后，水分以沸腾的形式消失，合成得到CsPbX3钙钛矿。本发明在水中直接合成CsPbX3钙钛矿，避开了有机溶剂等辅料的使用，在加热处理的过程中生成CsPbX3钙钛矿，该制备工艺制备的CsPbX3钙钛矿在空气中表现出非常好的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108588673B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710600863.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
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公开(公告)号：CN107557754B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710600374.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钨薄膜的制备方法。目前二硫化钨薄膜常用的制备工艺是低压、高温和惰性或还原性气氛中硫源与钨源发生反应获得WS2。为了获得WS2制备的高重复性，有些研究报道在制备工艺中使用成核剂。虽然有较多的研究报道了WS2的CVD合成，但WS2单分子层的可控生长仍旧困难。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以WS2为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钨薄膜。该方法制备二硫化钨具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN109904278A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811549344.2
申请日：2018-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及制备方法，本发明的光电探测器从下到上依次为衬底层、电极层、NiO:Cu薄膜、光敏层、n型导电层、电极；所述的NiO:Cu薄膜中的Cu摩尔含量在1-20％，NiO:Cu薄膜中的薄膜厚度为5-40纳米。本发明中采用Cu掺杂的NiO薄膜其在载流子迁移率有5个数量级的提高，同时Cu的引入使NiO薄膜带隙减小，更有利于光敏层中的载流子对外传输。进一步，Cu掺杂的NiO薄膜因其极高的载流子迁移率，保证了其可以做的很薄，根本上减少p型层对光的吸收，增加器件整体的光电响应能力。
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公开(公告)号：CN109346611A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811124266.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光探测器原型器件的制备方法，本发明在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。
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公开(公告)号：CN109321242A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811123530.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。
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