公开(公告)号：CN109390439A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811124295.8

申请日：2018-09-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵士超 ,  黄锋

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种光强可调的发光器件的制备方法，该方法的先取P型碲化铟半导体块体材料，切合抛光成正方体形状，边长为5毫米；在碲化铟正方体上表面通过旋涂法涂覆一层硫化钨单分子层薄膜；碲化铟正方体左侧面连接电源正极，碲化铟正方体右侧面连接电源负极；输入直流电压24V，电流50mA；碲化铟正方体前后侧面之间施加可变磁场，磁场方向为碲化铟正方体的反面朝向碲化铟正方体的正面；磁场方向与电流方向垂直，磁场通过电磁线圈产生，磁场强度可调变化范围为±150mT。本发明制备的器件，具有通过磁场控制光强的优点。

公开(公告)号：CN109321242A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811123530.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  黄锋 ,  翁嘉鑫 ,  赵士超

IPC: C09K11/68 ,  C09K11/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。

公开(公告)号：CN109321242B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201811123530.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  黄锋 ,  李京周 ,  翁嘉鑫 ,  赵士超

IPC: C09K11/68 ,  C09K11/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。

公开(公告)号：CN109898070A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811550356.7

申请日：2018-12-18

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  黄锋 ,  赵士超

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钨分子层薄膜的制备方法，本发明方法以WS2固态粉末为钼源和硫源，表面生长有氧化锌薄膜的硅片(Si)为基底，采用CVD法在基底表面生长WS2二维薄膜材料。本发明将氧化锌应用到CVD法中来制备WS2薄膜材料，氧化锌起到促进硫化钨成核和控制局部硫蒸汽浓度的作用，这种方法制备的MoS2薄膜制备重复性好。