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公开(公告)号：CN101974782B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010550306.6
申请日：2010-11-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种碳热还原制备金属硅和α-Al2O3晶须方法，采用含二氧化硅和三氧化二铝的物料(如粉煤灰、铝土矿和赤泥)为原料，碳为还原剂。在高温炉内控制温度1200℃～2000℃进行还原，后在500℃～1000℃进行冷凝，获得单质硅和α-Al2O3晶须。将硅分离后获得的α-Al2O3晶须直径均匀，为2μm～5μm，晶须长度100μm～200μm，长径比为20～100，且工艺流程短、成本低、得率高。本发明方法制备的α-Al3O3晶须具有高比强度、高比模量和高温抗氧化等优越的综合性能，主要用于高性能复合材料，尤其是高温结构陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN101792150B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010132615.1
申请日：2010-03-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明提供一种制备刺激响应性二氧化硅纳米粒子的方法，该方法是在二氧化硅纳米粒子表面通过硅烷化处理，得到末端带羧基官能团的纳米粒子，用合成的硫代烷基氨-2-硫吡啶盐酸盐通过化学共价偶联的方法在纳米粒子表面形成自组装单分子层，然后和还原型的谷胱甘肽混合，通过硫硫键的断裂生产巯基吡啶小分子，离心后取上层清液紫外检测在343nm处有明显吸收峰，以此证明硫硫键对含硫化合物的刺激响应性，由此制备对含硫的有机或生物分子刺激响应性的二氧化硅纳米粒子。该方法制备的纳米粒子具有很好的分子识别功能，刺激响应性高，稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN101486909B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910094093.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 王飞 , 杨斌 , 马文会 , 刘大春 , 戴永年 , 谢克强 , 伍继君 , 刘永成 , 周晓奎 , 汪镜福 , 徐宝强 , 郁青春 , 李永梅 , 易惠华 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒
IPC: C09K11/84
Abstract: 本发明涉及一种绿色荧光粉及其制备方法，该绿色荧光粉化学特征表达式为Gd(1-x-y)2O2S:Tbx，Dyy其中基质为Gd2O2S，激活剂为Tb3+和Dy3+。加入硫磺、掺杂剂和助熔剂，用真空烧结的方法制备荧光粉。在无还原性气氛的条件下，用真空低温烧结的方法直接合成，烧结温度为500～1000℃，烧结时间1.5～4.5小时。在较低的温度且较短的保温时间下可制得性能良好的荧光粉，所制备粉体粒度较小，而且显示更优的发光性能。该荧光粉在紫外线、X射线激发下都可以发出绿色荧光，激发波长为254nm时，主发射波长为545nm；所制得粉体粒度可达几十纳米，并同时发射绿色荧光，发光效率高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN102417990A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110433636.1
申请日：2011-12-22
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/214
Abstract: 本发明公开了一种从电尘灰中富集稀散金属镓的方法，首先将原料进行研磨，研磨后电尘灰与还原剂混合均匀，然后将混合料进行造球处理，球形物料经自然晾干后置于真空炉中，在真空条件下进行真空还原挥发处理，获得产物冷凝物和残留物，冷凝物即为镓富集产物，富集倍数达10～13倍，金属镓直收率可达92%以上，冷凝产物可作为后续提镓工艺的高品质原料，残留物可作建筑材料使用，本发明方法无废气、废水的产生，环境友好，能耗低，使用范围广。
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公开(公告)号：CN101973554A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010283412.2
申请日：2010-09-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明提供一种制备介孔二氧化硅材料的方法，它以生物发电厂的稻壳灰、冶炼企业的含SiO2烟尘、冶金硅厂的微硅粉及天然硅藻土矿物中的一种或几种为原料，磨细后，与摩尔浓度为0.5～4mol/L的盐酸溶液搅拌混合，再在40～60℃温度下处理2～4小时，分离出中间原料；再按中间原料∶NaOH∶结构导向剂∶H2O＝1∶0.2～0.5∶0.05～0.2∶150～200的摩尔比混合搅拌8～24小时；进行水热合成或者微波合成后，调整合成液pH值10～12；烘干合成液后，于400～800℃下焙烧2～5小时，冷却后即得到介孔二氧化硅材料。本发明提供的工艺流程短，操作简单，适用范围广，产品性能优异，环境负荷小、能耗低、成本低，产品附加值高，解决了介孔二氧化硅原料难以寻求等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101746767A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910218379.2
申请日：2009-12-17
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明属于一种高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，特别是用等离子体氢热还原法制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，属于材料技术领域。本发明工艺步骤如下：将含SiO2原料在450～1000℃下处理，研磨成粉，酸浸除杂；等离子体反应炉内密闭进行氢热还原，生成Si气体和SiO气体；以10～1000℃/min的速度冷却，SiO歧化反应，离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒；SiO2和Si的混合物加热到300～800℃氧化处理，最后得到高纯球形纳米SiO2。本方法获得的球形纳米SiO2纯度大于99.99％，粒度分布均匀，平均粒径为50～200纳米。工艺流程短、成本低、经济效益高、节能环保。
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公开(公告)号：CN101476049B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910094009.2
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种从金属矿中脱镁的方法，该法以碳为还原剂，将含镁的金属矿干燥后，与还原剂按一定比例混和制团，在压力15Pa～50Pa、温度1400～1700℃的条件下，通过真空碳热还原使矿中镁杂质还原成镁蒸气冷凝成金属镁而脱除。金属矿中镁的脱除率大于75％，冷凝得到的金属镁纯度大于95％。该工艺流程简单，便于操作，原料适应性广，在金属矿脱镁的过程中，同时可获得结晶良好的金属镁，整个反应过程在真空中进行，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101560609A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910094518.5
申请日：2009-05-26
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及一种粗镍真空蒸馏提纯的方法，以含镍99－99.9质量％的粗镍为原料，在1600℃～1800℃，真空度0.1Pa～10Pa下保温蒸馏2～3小时，得到零号镍(4N)产品，产品中杂质成分总量均在100ppm以下。其工艺过程简单，杂质去除效果好，操作简单，在真空条件下提纯金属镍，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101486909A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910094093.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 王飞 , 杨斌 , 马文会 , 刘大春 , 戴永年 , 谢克强 , 伍继君 , 刘永成 , 周晓奎 , 汪镜福 , 徐宝强 , 郁青春 , 李永梅 , 易惠华 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒
IPC: C09K11/84
Abstract: 本发明涉及一种绿色荧光粉及其制备方法，该绿色荧光粉化学特征表达式为Gd(1－x－y)2O2S:Tbx，Dyy其中基质为Gd2O2S，激活剂为Tb3+和Dy3+。加入硫磺、掺杂剂和助熔剂，用真空烧结的方法制备荧光粉。在无还原性气氛的条件下，用真空低温烧结的方法直接合成，烧结温度为500～1000℃，烧结时间1.5～4.5小时。在较低的温度且较短的保温时间下可制得性能良好的荧光粉，所制备粉体粒度较小，而且显示更优的发光性能。该荧光粉在紫外线、X射线激发下都可以发出绿色荧光，激发波长为254nm时，主发射波长为545nm；所制得粉体粒度可达几十纳米，并同时发射绿色荧光，发光效率高，性能稳定。
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