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公开(公告)号：CN114005939A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111270357.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；背栅电极，形成在衬底上；背栅介质，其为离子氧化物薄膜，形成在背栅电极上；二维薄膜，形成在背栅介质上且位于背栅电极上方，作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在沟道两端；顶栅电极，形成在背栅介质上，与沟道以一定间隔平行排列，顶栅电极的延伸方向与背栅电极的延伸方向正交，但不相交叠；以及顶栅介质，其为离子凝胶，覆盖沟道和顶栅电极，在顶栅以及背栅同时施加脉冲时序，对沟道电导进行调控，通过离子的迁移与注入实现器件电导范围的定量增加或减小，模拟异源性神经突触的两个前端对一个突触后端的调节过程，实现异源性神经形态计算协同工作模拟。
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公开(公告)号：CN114005936A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111270409.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种离子型两端仿生忆阻器件及其制备方法。该离子型两端仿生忆阻器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上，以一定间隔沿第一方向平行排列，作为忆阻器的一端；离子凝胶，形成在所述底层电极上，作为忆阻器的功能层；顶层电极，形成在所述离子凝胶上，以一定间隔沿第二方向平行排列，与底层电极呈交叉阵列结构，作为忆阻器的另一端，其中，忆阻器的两端分别对应着突触前端与突触后端，忆阻器的功能层对应突触间隙，利用离子凝胶中离子的可扩散性模拟类脑神经突触中的离子迁移，实现导电通道的信息传递，模拟类似生物体中的离子通道作用，完成神经突触权重调制过程。
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公开(公告)号：CN113972318A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111280578.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于同质结的多比特存储器及其制备方法。该基于同质结的多比特存储器，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，其为不同氧含量的多层非晶氧化物薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述功能层上，在向顶电极施加电压时，各层非晶氧化物薄膜自上而下依次形成氧空位导电通道，实现阻态的逐级调制，使得单一器件具有多态存储的功能。
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公开(公告)号：CN112349787A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011155933.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种光电双调制的二维柔性神经突触器件及其制备方法。该光电双调制的二维柔性神经突触器件包括：涂覆有电极的柔性衬底；阻挡层，电荷俘获层和隧穿层，自下而上依次形成在所述电极上；作为沟道的二维材料，间隔分布在所述隧穿层上；源电极和漏电极，分别形成在所述二维材料上，并与所述隧穿层相接触，其中，所述二维材料的电导值用于模拟神经突触中的权重值，利用电脉冲与光脉冲刺激可实现仿生神经突触特性的模拟。通过将二维材料优异的光电响应特性、机械柔韧性与柔性神经突触器件相结合，从而实现灵活的光电双模式调节。
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公开(公告)号：CN112331773A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265547A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910512415.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于COMS后端工艺的柔性3D存储器的制备方法。本发明包括以下步骤：提供柔性衬底；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第一电极；在第一电极上形成阻变功能层；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第二电极；在第二电极上形成阻变功能层；交替重复上述两步骤，形成具有多层阻变功能层的柔性3D存储器，其中，位于各层的第一电极的位置不相重叠，位于各层的第二电极的位置不相重叠，并且位于顶层的第二电极形成后，不再形成阻变功能层。本发明简化了工艺过程，降低了成本；制备过程全采用CMOS后端生产工艺，为柔性3D存储器的进一步发展应用提供基础。
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公开(公告)号：CN108666335A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810478676.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种CMOS图像传感器三维集成方法。本发明方法包括：提供制备在全耗尽的SOI晶片上的CMOS图像传感器芯片；形成第一金属互连布线层和钝化层；在所述第一金属互连线上形成嵌入式电极；切割所述CMOS图像传感器芯片，并进行表面等离子体激活处理；以及使两块所述CMOS图像传感器芯片的嵌入式电极相互对应完成键合。本发明利用嵌入式电极将绝缘体上硅层直接结合，不需占用额外的空间，得到高密度堆叠的三维COMS图像传感器。本发明适用于高密度集成。
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公开(公告)号：CN119584855A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410974703.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法，包括：衬底；底电极层包括多个叠层结构，底电极层包括多个并列的台阶结构，所有台阶结构设于衬底上；每一个台阶结构包括第一金属层、多个叠层结构和第一绝缘层；第一金属层设于衬底上，所有叠层结构依次堆叠于第一金属层上，第一绝缘层设于顶部的叠层结构上；铁电材料层覆盖于底电极层；顶电极层覆盖于铁电材料层。本发明具有能在平面器件的面积不减小的前提下，提高剩余极化和电容值，提高铁电存储器的性能。
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公开(公告)号：CN118922058A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974708.0
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种反铁电神经形态器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上生成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层。本发明的有益效果在于：实现铪锆氧化物反铁电材料的非易失性，在非易失性基础上，能够实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强/抑制的神经突触形态学特征与功能。
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公开(公告)号：CN118922057A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974686.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种反铁电人工神经元器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层；通过快速热处理使铪锆氧化物薄膜结晶并产生反铁电性；去除第二金属层；在铪锆氧化物薄膜上形成第三金属层，作为第二电极。本发明的有益效果在于：可实现神经元积累/泄露功能，避免额外的硬件和操作成本，进而实现了包括积累、激发和自恢复的基本神经元特性，能够模拟生物神经元特性。
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