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公开(公告)号：CN113373417A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110656600.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。它包括：两个平面等离子体靶头分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对；两个平面等离子体靶头、两个励磁线圈和管筒件等轴；两个平面等离子体靶头连接在同一个靶电源上或分别连接两个靶电源；连接在同一个靶电源上时，交替作为阴阳极，通过交替正负脉冲使一个靶头对另一个靶头放电；连接两个靶电源上时，交替作为辅助阳极，通过波形相位关系使一个靶头对真空室放电，另一个靶头作为辅助阳极。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。
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公开(公告)号：CN110205597B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910628957.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源，对待镀样品进行薄膜沉积5～240min，多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源将双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源的单负向脉冲拆分为两段，分别为负向1脉冲和负向2脉冲，在负向1脉冲后施加正向1脉冲，在负向2脉冲后施加正向2脉冲，在负向1脉冲和正向1脉冲之间施加负向1高脉冲，在负向2脉冲和正向2脉冲之间施加负向2高脉冲。本发明用于磁控溅射。
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公开(公告)号：CN109402612B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811391383.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。
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公开(公告)号：CN104827177A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510288758.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K15/06 , B23K15/02 , B23K103/04 , B23K103/10
CPC classification number: B23K15/02 , B23K15/0046 , B23K15/06 , B23K2103/04 , B23K2103/10
Abstract: 一种低电压高束流电子束真空焊接装置及方法，它涉及一种真空焊接装置及方法，具体涉及一种低电压高束流电子束真空焊接装置及方法。本发明为了解决现有电子束焊前准备复杂，且运行成本较高的问题。本发明包括空心阴极、阳极、加速电极、轴向约束磁场、聚焦机构、放电电源、加速电源、真空室、焊接平台和绝缘套，轴向约束磁场、绝缘套、加速电极、聚焦机构、焊接平台由上至下依次设置在真空室内，空心阴极插装在轴向约束磁场内，阳极设置在空心阴极与加速电极之间，且阳极位于空心阴极的正下方，工件放置在工作平台上，放电电源的负极与空心阴极连接，放电电源的正极和加速电源的负极与阳极连接，加速电源与加速电极连接。本发明用于焊接领域。
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公开(公告)号：CN102522964B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210002024.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于Marx高压发生器的IGBT驱动电路，涉及一种驱动电路，为了解决针对单个IGBT设计的Marx高压发生器驱动电路抗干扰能力差的问题。充电IGBT信号发生电路第一输出端和功率放大电路第一输入端连接，放电IGBT信号发生电路第一输出端和功率放大电路第二输入端连接，放电IGBT信号发生电路第二输出端与下拉电路输入端连接，下拉电路输出端与充电IGBT信号发生电路第一输入端和放电IGBT信号发生电路第三输入端连接；充电IGBT信号发生电路第二输出端与放电IGBT信号发生电路第一输入端连接；功率放大电路第一输出端与高压隔离电路第一输入端连接，功率放大电路第二输出端与高压隔离电路第二输入端连接；过流保护电路输出端与放电IGBT信号发生电路第二输入端连接。它用于驱动Marx高压发生器的IGBT电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220454B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810063860.4
申请日：2008-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面抗菌、耐磨的金属/陶瓷纳米多层膜的制备方法，它涉及一种纳米多层膜的制备方法。本发明解决了制备整体抗菌材料成本高、难度高，而表面处理的抗菌材料耐磨性差的问题。本方法如下：采用磁控溅射法，本底真空度为10-4～10-2Pa；在氩气与氮气、乙炔或甲烷三种气体中的一种的气体流量比为2～17∶1，总气压为0.1～1.0Pa，磁控溅射电流为0.2～50A，电压为300～600V，基体偏压为-50～-400V，沉积温度为80℃～400℃的条件下，对对靶进行溅射。本发明制备的纳米陶瓷/金属多层膜的耐磨性能好，抗菌率在95％以上。本发明没有污染，成本低，易于实现，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN102522964A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210002024.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于Marx高压发生器的IGBT驱动电路，涉及一种驱动电路，为了解决针对单个IGBT设计的Marx高压发生器驱动电路抗干扰能力差的问题。充电IGBT信号发生电路第一输出端和功率放大电路第一输入端连接，放电IGBT信号发生电路第一输出端和功率放大电路第二输入端连接，放电IGBT信号发生电路第二输出端与下拉电路输入端连接，下拉电路输出端与充电IGBT信号发生电路第一输入端和放电IGBT信号发生电路第三输入端连接；充电IGBT信号发生电路第二输出端与放电IGBT信号发生电路第一输入端连接；功率放大电路第一输出端与高压隔离电路第一输入端连接，功率放大电路第二输出端与高压隔离电路第二输入端连接；过流保护电路输出端与放电IGBT信号发生电路第二输入端连接。它用于驱动Marx高压发生器的IGBT电路。
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公开(公告)号：CN101700592B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910310588.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种离子注入沉积前处理钎焊异种难焊金属的方法，涉及一种处理钎焊异种难焊金属的方法。它解决了现有离子注入用于异种金属焊接仅适用于异种金属的冷压焊和扩散焊，无法进行钎焊的问题。方法：一、对高熔点母材金属表面进行物理清理和化学清洗，然后置于真空室中并抽本底真空，进行注入沉积前处理；二、对低熔点母材金属进行物理清理和化学清洗，然后与注入沉积前处理后的高熔点母材进行搭接固定，放置钎料并涂覆钎剂，得工件；三、预热焊接炉到钎焊温度，然后将工件置于焊接炉进行钎焊，保温后取出空冷，即完成。本发明提到的离子注入沉积的方法，在待焊母材表面形成的改性层无明显界面，改性层与母材结合好，适用于异种难焊金属进行钎焊。
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公开(公告)号：CN101660186A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910308127.9
申请日：2009-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/02
Abstract: 一种低噪音微弧氧化装置，它涉及一种微弧氧化装置。以解决现有微弧氧化装置在微弧氧化过程中存在噪音大的问题。箱体内装有带冷却水套的桶状不锈钢电解槽，不锈钢遮板设置在箱体上，箱盖设置在不锈钢遮板上，箱体和箱盖的夹层内填充隔音材料，桶状不锈钢电解槽的外周包裹柔性吸音材料，气体排出管道与排气腔连通，气管与桶状不锈钢电解槽相通，冷却水进、出水管与桶状不锈钢电解槽的冷却水套相通，溶液排出管与桶状不锈钢电解槽相通，微弧氧化阴极的两端与微弧氧化电源的负极和桶状不锈钢电解槽的外壁连接，微弧氧化阳极的两端与微弧氧化电源的正极和工件连接。本发明可使噪音对外传播强度大幅度下降，同时能确保微弧氧化工艺的稳定。
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公开(公告)号：CN100584991C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710144856.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 复合多模式等离子体表面处理装置，它涉及一种等离子体表面处理装置。针对复合表面处理工艺处理工件，工件需要在两种不同的设备上进行不同的工艺处理，工件在中间环节时暴露在大气中，形成不利的杂质，影响最终膜层性能的问题。磁控溅射靶(4)、真空阴极弧源(14)、金属离子注入源(11)、低能离子源(5)和泵组(13)固装在真空室(1)的外壁上，真空室(1)内固装有射频天线(6)，中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内，下端与脉冲偏压电源(10)连接，高压靶台(7)固定在中心电极(9)上，真空室上盖(2)与气动装置(12)连接。本发明通过多种粒子产生手段，工件可以获得较厚的膜层，也可以获得膜层种类多样化，提高膜基结合力，实现异型工件的表面处理和多种工艺复合。
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