公开(公告)号：CN110610859B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201811178401.0

申请日：2018-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  高魁佑 ,  张铭庆 ,  杨建伦 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。

公开(公告)号：CN115332246A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210677620.3

申请日：2022-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  高魁佑 ,  吕威良 ,  林志翰 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置，包括基板、鳍状物、栅极结构及第一源极/漏极结构。鳍状物形成于基板上并沿着第一方向延伸。栅极结构跨过鳍状物并沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。第一源极/漏极结构沿着第一方向耦接至鳍状物的第一末端。栅极结构包括沿着第一方向朝第一源极/漏极结构凸起的第一部分。凸起的第一部分的尖端边缘垂直高于栅极结构的下表面。

公开(公告)号：CN115249703A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210626197.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  王梓仲 ,  林志翰 ,  古淑瑗 ,  张铭庆

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 半导体装置包括基板。半导体装置包括介电鳍状物，其形成于基板上并沿着第一方向延伸。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。栅极结构包括隔有栅极隔离结构与介电鳍状物的第一部分与第二部分。栅极结构的第一部分具有第一鸟嘴轮廓，且栅极结构的第二部分具有第二鸟嘴轮廓。第一鸟嘴轮廓与第二鸟嘴轮廓指向彼此。

公开(公告)号：CN107170740B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201611242871.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效晶体管器件包括在第一区中具有第一鳍及第二鳍且在第二区中具有第三鳍及第四鳍的衬底，以及分别跨越第一鳍至第四鳍的第一栅极至第四栅极。第一栅极的第一端部侧壁面对第二栅极的第二端部侧壁，且在第一端部侧壁与第二端部侧壁之间形成有第一开口。第三栅极的第三端部侧壁面对第四栅极的第四端部侧壁，且在第三端部侧壁与第四端部侧壁之间形成有第二开口。第一区及第二区具有不同的图案密度，且第一开口的侧壁与衬底之间的夹角不同于第二开口的侧壁与衬底之间的夹角。

公开(公告)号：CN107123677B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201611024414.3

申请日：2016-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明描述了一种鳍片型场效应晶体管装置，其包含衬底、栅极堆叠结构、间隔物以及源极和漏极区域。间隔物包含第一和第二间隔物并且第一间隔物的第一高度大于第二间隔物的第二高度。安置于栅极堆叠结构上的介电层包含接触开口，接触开口暴露源极和漏极区域、第一和第二间隔物以及栅极堆叠结构的一部分。鞘结构安置在接触开口内并且鞘结构与第一和第二间隔物以及栅极堆叠结构的暴露部分接触而不覆盖源极和漏极区域。金属连接器安置在鞘结构内并且连接到源极和漏极区域。

公开(公告)号：CN114121799A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110823708.7

申请日：2021-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  陈振平 ,  高魁佑 ,  李筱雯 ,  林志翰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法。此方法包括形成多个半导体鳍部于一基底上。形成一第一虚置栅极于半导体鳍部上。形成一凹槽于第一虚置栅极上，且凹槽位于半导体鳍部之间。形成一虚置鳍部材料于凹槽内。去除部分的虚置鳍部材料，以露出第一虚置栅极的上表面，并形成一虚置鳍部。形成一第二虚置栅极于第一虚置栅极的暴露上表面上。

公开(公告)号：CN114038913A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202110782733.5

申请日：2021-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  李筱雯 ,  林志翰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构，沿着第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一半导体层。栅极结构的下侧部分包括多个第一栅极部分以分别横向对准半导体层，且其中每一第一栅极部分的末端各自沿着该第二横向方向延伸并具有第一弧形轮廓。

公开(公告)号：CN113707657A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110996149.X

申请日：2016-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个第一间隔件、至少一个源漏结构、至少一个导体以及至少一个保护层。第一栅极结构位于衬底上。第一间隔件位于第一栅极结构的至少一个侧壁上。源漏结构邻近于第一间隔件。导体电连接至源漏结构。保护层位于导体和第一间隔件之间并且保护层位于第一栅极结构的顶面上。本发明还提供了制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN113223964A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110030646.4

申请日：2021-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  高魁佑 ,  陈振平 ,  林志翰 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及用于从栅极去除尖峰的工艺。一种方法包括：在半导体区域上形成虚设栅极电极；在虚设栅极电极的侧壁上形成第一栅极间隔件；以及去除第一栅极间隔件的上部部分以形成凹槽，其中第一栅极间隔件的下部部分保留；用第二栅极间隔件填充凹槽；去除虚设栅极电极以形成沟槽；以及在沟槽中形成替换栅极堆叠。

公开(公告)号：CN113206089A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110192760.7

申请日：2021-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈振平 ,  高魁佑 ,  林士尧 ,  林志翰 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：鳍，该鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，该栅极堆叠在鳍的侧壁之上并且沿着鳍的侧壁；栅极间隔件，该栅极间隔件沿着栅极堆叠的侧壁和鳍的侧壁；外延源极/漏极区域，该外延源极/漏极区域在鳍中并且与栅极间隔件相邻；以及角间隔件，该角间隔件在栅极堆叠和栅极间隔件之间，其中，该角间隔件沿着鳍的侧壁延伸，其中，栅极堆叠和鳍的侧壁之间的第一区域中没有该角间隔件，其中，栅极堆叠和栅极间隔件之间的第二区域中没有该角间隔件。