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公开(公告)号：CN114864694A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210306037.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置，包括通道结构，其沿着第一横向方向延伸并置于基底的上方。半导体装置包括栅极结构，其沿着正交于第一横向方向的第二横向方向延伸并跨立于通道结构。半导体装置包括外延结构，其耦接于通道结构并相邻于栅极结构而设置。半导体装置包括第一间隔物与第二间隔物，各包括沿着第一横向方向置于栅极结构与外延结构之间的第一部分。半导体装置包括气隙，其介于第一栅极间隔物的第一部分与第二栅极间隔物的第一部分之间。气隙暴露出第一栅极间隔物在第一横向方向延伸的第二部分。
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公开(公告)号：CN114823527A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210237048.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括介电鳍状物，在第一半导体通道与第二半导体通道之间。半导体装置包括第一栅极结构。第一栅极结构包括第一部分与第二部分，其通过介电鳍状物而彼此分离。半导体装置包括第一栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第一部分的侧壁延伸。半导体装置包括第二栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第二部分的侧壁延伸。第一栅极间隔物或第二栅极间隔物的至少一个包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分，第二厚度小于第一厚度，且其中第一部分比第二部分还要靠近介电鳍状物。
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公开(公告)号：CN113690305A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110873984.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件，包括：隔离区域；纳米结构，突出得高于隔离区域的顶表面；栅极结构，包裹在纳米结构的周围，该栅极结构具有与隔离区域接触的底表面，栅极结构的底表面延伸到远离纳米结构第一距离，该栅极结构具有被设置为距离纳米结构第二距离的侧壁，第一距离小于或等于第二距离；以及栅极结构的侧壁上的混合鳍。
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公开(公告)号：CN114975255A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210237058.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。第一区中的半导体装置包括隔有第一距离的第一非平面半导体结构；以及第一隔离区，包含第一层与第二层且一起埋置每一第一非平面半导体结构的下侧部分。第一隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。第二区中的半导体装置包括隔有第二距离的第二非平面半导体结构；以及第二隔离区，包含第一层与第二层且一起埋置每一第二非平面半导体结构的下侧部分。第二隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。
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公开(公告)号：CN114121799A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110823708.7
申请日：2021-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法。此方法包括形成多个半导体鳍部于一基底上。形成一第一虚置栅极于半导体鳍部上。形成一凹槽于第一虚置栅极上，且凹槽位于半导体鳍部之间。形成一虚置鳍部材料于凹槽内。去除部分的虚置鳍部材料，以露出第一虚置栅极的上表面，并形成一虚置鳍部。形成一第二虚置栅极于第一虚置栅极的暴露上表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114038913A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110782733.5
申请日：2021-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构，沿着第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一半导体层。栅极结构的下侧部分包括多个第一栅极部分以分别横向对准半导体层，且其中每一第一栅极部分的末端各自沿着该第二横向方向延伸并具有第一弧形轮廓。
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公开(公告)号：CN113690305B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202110873984.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件，包括：隔离区域；纳米结构，突出得高于隔离区域的顶表面；栅极结构，包裹在纳米结构的周围，该栅极结构具有与隔离区域接触的底表面，栅极结构的底表面延伸到远离纳米结构第一距离，该栅极结构具有被设置为距离纳米结构第二距离的侧壁，第一距离小于或等于第二距离；以及栅极结构的侧壁上的混合鳍。
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公开(公告)号：CN115377001A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210706183.3
申请日：2022-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。
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公开(公告)号：CN115148785A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210577919.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/335
Abstract: 一种半导体装置，包括在基底上设置一隔离区域。多个通道自基底延伸并穿过隔离区域，此些通道包括一有源通道和一非有源通道。一虚置鳍部设置在隔离区域上且位于有源通道和非有源通道之间。一有源栅极设置在有源通道和非有源通道的上方且接触隔离区域。一介电材料延伸穿过有源栅极并接触虚置鳍部的顶部。此非有源通道是一最接近介电材料的非有源通道。此有源通道的长轴在第一方向上延伸。此有源栅极的长轴在第二方向上延伸。此有源通道从基底沿着第三方向延伸。介电材料更靠近非有源通道而不是更靠近有源通道。
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公开(公告)号：CN114975120A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210238162.3
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括沿第一横向方向延伸的栅极结构。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构的一侧上的源极/漏极结构，第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构至源极/漏极结构之间的气隙，其中气隙设置在源极/漏极结构的上方。
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