一种用于核磁共振陀螺高精度磁场控制的双线圈结构

    公开(公告)号:CN106024260B

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201610544338.2

    申请日:2016-07-12

    Abstract: 一种用于核磁共振陀螺高精度磁场控制的双线圈结构,该结构采用一个骨架固定密绕螺线管线圈和亥姆赫兹线圈。静磁场采用密绕螺线管线圈和亥姆赫兹线圈共同发生。整套结构置于多层磁屏蔽筒中,通过多层磁屏蔽筒可屏蔽一部分地磁场;密绕螺线管线圈用于生成稳定的强磁场,其磁场均匀度较高,适用于粗略调节静磁场;亥姆核磁线圈用于补偿磁屏蔽筒内的剩余磁场,生成磁场强度较小,其均匀度较差,但调节精度较高。采用两组线圈配合,可减小装置体积,解决数控电子系统控制精度不足的问题。通过采用此种双线圈结构,可将控制精度提高75倍。

    一种微型石英玻璃原子气室的制造方法

    公开(公告)号:CN107311103A

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201710509651.7

    申请日:2017-06-28

    CPC classification number: B81C1/00015 B81C3/001

    Abstract: 本发明公开了一种微型石英玻璃原子气室的制造方法,包括如下步骤:将碱金属原子封装到玻璃微腔中,并充入惰性气体;制造下层封装块、中层封装块和上层封装块;组装下层封装块、中层封装块、上层封装块和玻璃微腔,并密封,形成一个密闭的腔体;以高于玻璃微腔软化点的温度加热多个密闭的腔体,直至玻璃微腔结构被破坏后,停止加热;以中层封装块为基准,切割停止加热后的多个密闭的腔体,形成微型石英玻璃原子气室。本发明通过设置玻璃微腔,确保了原子气室的纯净度,解决了传统微型原子气室制造工艺难度大且腔室纯净度差的问题;通过同步加热多个密闭腔体,实现了原子气室的量产,弥补了传统微型原子气室制造设备要求高且不易批量生产的缺陷。

    一种核磁共振陀螺仪的磁场线圈结构

    公开(公告)号:CN105424022A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510726117.2

    申请日:2015-10-30

    CPC classification number: G01C19/60

    Abstract: 一种核磁共振陀螺仪的磁场线圈结构,包括内层圆柱筒(1)、外层圆柱筒(3)、鞍形线圈(2)和螺旋线(4);内层圆柱筒(1)外壁沿圆柱周长方向均匀分布有四个贴线槽,贴线槽上固定有柔性线路板,鞍形线圈(2)印制在柔性线路板上;鞍形线圈(2)与内层圆柱筒(1)共形,为长方形圈或正方形圈弯曲为弧形;所述鞍形线圈(2)的直边相互平行,且平行于内层圆柱筒(1)的轴线;外层圆柱筒(3)套在内层圆柱筒(1)和鞍形线圈(2)外侧,外层圆柱筒(3)外壁沿圆柱周长方向缠绕有螺旋线(4)。本发明应用螺旋线代替纵向的亥姆赫兹线圈,静磁场的均匀性得到提高,对陀螺仪的性能提高具有重要作用。

    一种三种工作介质的核磁共振陀螺仪闭环控制系统

    公开(公告)号:CN105403211A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510726106.4

    申请日:2015-10-30

    CPC classification number: G01C19/62

    Abstract: 一种三种工作介质的核磁共振陀螺仪闭环控制系统,其中:核磁共振陀螺仪装置中有填充有碱金属气体和三种工作介质的气室,三种工作介质做Larmor进动;信号分离器和频率比较器得到三种工作介质的Larmor进动频率值ωa1、ωa2、ωa3;运算器计算装置内温度T、静磁场大小B0和系统角速度ωR;温度控制器根据T的反馈信号控制加热片保持核磁共振陀螺仪装置的温度T;磁场控制器根据B0的反馈信号控制静磁场线圈核磁共振陀螺仪装置中的静磁场B0;信号发生器和加法器根据三种工作介质的Larmor进动频率值ωa1、ωa2、ωa3控制驱动磁场线圈电流大小使三种工作介质保持在共振频率点。本发明同时对静磁场和温度进行闭环控制,得到更高的系统角速度的精度。

    一种减缓原子自旋弛豫的原子气室内壁镀膜方法

    公开(公告)号:CN105256286A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510701368.5

    申请日:2015-10-26

    Abstract: 本发明提供一种减缓原子自旋弛豫的原子气室内壁镀膜方法,该方法首先采用将铷原子蒸汽充入原子气室内,再通过氢化物固态释气剂(如氢化钛、氢化钙等)向原子气室内释放压强为10Torr~100Torr的氢气,并在温度50℃~150℃下保持数十~数百小时,原子气室内壁会附着一层氢化铷薄膜,最后将气室内残存的氢气抽空,结束镀膜过程,本发明在上述镀膜过程中采用固态释气剂产生氢气,与传统采用高压氢气瓶作为氢源相比,提高了在原子气室内壁进行氢化铷镀膜的工艺安全性,并且氢化铷镀膜后将气室内残余氢气抽空,与将氢气直接密封在气室内相比,有利于提升原子气室性能的稳定性。

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