-
公开(公告)号：CN112158797A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010880769.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶片辅助对准标记，测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差，计算出对准标记偏差，合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片，实现非透明晶片键合前对准的定量测试，本发明能确保芯片的质量和成品率。
-
公开(公告)号：CN112048707A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010322657.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，属于微电子机械加工技术领域。本发明方法包括如下步骤：制备硅基掩模；调整掩模翘曲使掩模调整为凹形；在掩模边缘制备固定切边；将掩模和基底对准，并在固定切边处将掩模和基底固定；将掩模和基底用薄膜图形化夹具工装固定，进行薄膜的沉积。通过该工装和技术方法，可不通过光刻工艺薄膜沉积的过程中即可实现薄膜图形化，同时避免了薄膜沉积过程中向图形外扩散、均匀性差等问题。
-
公开(公告)号：CN111498797A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010247268.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种圆片级玻璃腔体的制造方法包括以下步骤：对玻璃片进行清洗，去除玻璃表面有机物和颗粒；采用强碱溶液继续对玻璃片进行清洗，增加玻璃片表面OH-浓度，提高金属薄膜粘附性；利用金属薄膜工艺在玻璃片的一面溅射复合金膜；先后利用光刻和刻蚀工艺在金膜上进行光刻，并形成特定图案；采用蓝膜将玻璃片边缘及无金膜面进行保护；将保护好的玻璃片放入HF和水的混合溶液中，腐蚀至预设的一定深度；揭掉蓝膜，并去掉光刻胶及复合金膜，在玻璃片上形成腔体。
-
公开(公告)号：CN111115552A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911284371.6
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器混合集成封装结构及其封装方法，包括：陶瓷管壳的内腔台阶有多个金属焊盘，底面有金属化结构；MEMS敏感结构通过粘接的方式固定在陶瓷管壳内腔底面上；PCB电路基板带有不少于一处缺口或开槽，通过标准电容作为支撑架设在MEMS敏感结构之上，电容使用导电或绝缘粘合剂粘接；金属导线穿过PCB基板的缺口或开槽将MEMS敏感结构和PCB电路基板连接；PCB电路基板通过金属导线与陶瓷管壳内腔金属焊盘相连；金属盖板通过平行封焊与陶瓷管壳侧壁相连，形成气密封装。本发明通过使用标准化管壳和PCB基板，可在较低成本下和较短时间内实现较小面积的MEMS传感器系统集成，同时具有较好的温度特性。
-
公开(公告)号：CN111044757A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911360780.X
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种三层键合的电容式微加速度计结构电极引出方法，(1)生成上玻璃极板；(2)生成下玻璃极板；(3)生成中间硅-质量块极板；(4)生成三明治加速度计圆片；(5)生成电极焊盘。使用所述方法避免了划片工艺中水进入腔体内引起器件失效的问题，可进行晶圆级加工和实现圆片级键合，适合大批量生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190025A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910380598.4
申请日：2019-05-08
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法。具体加工步骤如下：将硅片进行标准清洗；在清洗后的硅片背面制备支撑层；在硅片的正面制备刻蚀掩膜层并进行图形化；将硅片放入硅刻蚀机中进行正面的硅通孔刻蚀，加工至硅材料刻蚀完成；去除硅片正面剩余的掩膜层；去除背面的支撑层材料，并进行标准清洗。该方法通过在硅片背面制备支撑层，解决刻蚀终点时由于硅片背部氦气漏率大导致静电卡盘结构的刻蚀机刻蚀工艺无法正常运行的问题。
-
公开(公告)号：CN109353985A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811196468.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种微机械静电驱动的弧形梳齿结构，涉及微机械静电驱动技术领域；包括n组相同的弧形梳齿组；n组弧形梳齿组均匀分布在外部圆弧形器件的外沿；每组弧形梳齿组包括静梳齿和动梳齿；静梳齿和动梳齿为交错配合的F型锤状结构；在外部静电的驱动下；动梳齿以外部圆弧形器件中心为圆心，相对静梳齿进行靠近或远离的弧形运动；静梳齿与动梳齿配合时，第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间；第二动电极位于第二定电极的径向外侧；本发明实现了在与传统技术相同的真空环境和驱动电压下，提高机械运动位移，并且不增加工艺难度。
-
公开(公告)号：CN108645397A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810291497.5
申请日：2018-04-03
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5769
Abstract: 本发明公开了一种石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的制造方法，包括如下步骤：刻蚀碳化硅晶圆，制作与盘式谐振子微结构相对应的刻蚀槽；对刻蚀完成的碳化硅晶圆和石英玻璃进行键合；以高于石英玻璃软化点的温度对晶圆键合结构进行加热，直至石英玻璃均匀灌入碳化硅晶圆的刻蚀槽内，停止加热；对灌入石英玻璃的碳化硅晶圆进行减薄抛光，去除刻蚀槽以外石英玻璃；采用干法刻蚀工艺去除碳化硅，完成石英盘式谐振子结构释放。本发明解决了石英盘式微结构制造工艺难度大的问题，实现了石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的高精度批量制造。
-
公开(公告)号：CN108083226A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711268166.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。
-
公开(公告)号：CN105068190A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510548810.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G02B6/35
CPC classification number: G02B6/3518 , G02B6/3584
Abstract: 本发明公开了一种MEMS光开关，包括驱动模块、折叠梁、支撑梁、微反射镜、输入光纤和输出光纤，其中微反射镜位于支撑梁中间位置，支撑梁的两端设置有驱动模块，驱动模块侧面设置有折叠梁；沿支撑梁方向顺向排布的驱动模块为静电梳齿驱动结构，由可动梳齿和固定梳齿组成，微反射镜为M形，其中间部位形成尖端，通过改变输入光纤与M形微反射镜中间部位尖端的相对位置，使得来自输入光纤的输入光通过微反射镜不同位置处的反射传输至不同的输出光纤。本发明在相同驱动电压的作用下，左右两驱动端产生同向的静电力，其合力为传统单端驱动结构产生的驱动力的两倍，提高了MEMS光开关静电驱动能力，有利于降低驱动电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.042 seconds)
