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公开(公告)号：CN1752268A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510115765.0
申请日：2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明包括以下步骤：硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，干燥后置于真空室内的硅板加热器上；抽真空至4×10－4～4×10－5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空度保持在4×10－4pa～4×10－5Pa；充入氧气，流动氧压保持在5～80Pa；1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层，薄膜居里温度达到296～298K，275K时的TCR高于9％K－1，290K时的TCR为6％K－1；工艺简单，周期短，成本低，薄膜择优生长，结晶形态好。
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公开(公告)号：CN1724463A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510085224.8
申请日：2005-07-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于介电陶瓷制备领域。现有的工艺制备周期长，效率低，能耗大，介电系数小，工业生产选择性少，不利于工业生产实用化的问题。本发明提供了一种Nb2O5－TiO2体系介电陶瓷烧结工艺，其步骤为：在X＝0.01～0.13范围内将Nb2O5和TiO2粉料按配比(Nb2O5)1－x(TiO2)x进行配料；以200℃/小时的升温速率升温至1250℃，保温18小时；在预烧后的粉料中将掺入3％质量浓度的聚乙烯醇(PVA)胶进行造粒，其中胶的重量为粉料总重量的6％；在200MPa压力下，压制成坯体片；以100℃/小时的升温速率升温至1350℃～ 1380℃，并保温2～15小时，然后以150℃/小时的速率降至室温，最终烧结成致密的片状陶瓷体。本发明制备周期短、能耗低、介电系数大，工业应用选择性大。
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公开(公告)号：CN1648103A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510000295.3
申请日：2005-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种高介电常数Al2O3基陶瓷的调节功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。现行技术多采用烧结炉烧结方式制备Al2O3基陶瓷，制备的Al2O3陶瓷的相对介电常数约为10，烧结时间较长，至少需要数小时；烧结过程不易控制；易造成高温烧结时的杂质污染。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接热源加热置于旋转工作台上的Al2O3基陶瓷坯体，在30－60s的时间内使激光功率密度从初始值0上升到630－1030w/cm2，同时开始烧结；经过60－300s的烧结后，在60－300s的时间内降低激光功率密度至初始值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Al2O3基陶瓷介电常数显著提高，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN1460657A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03148244.9
申请日：2003-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/46 , H01B3/12
Abstract: 一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm2，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN115849296A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211628609.4
申请日：2022-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法，将光学介电微球分散液滴在单层二硒化钨上，通过自组装的方法得到光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构。本发明得到的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构具有优异的谷偏振光电性能，为谷电子器件的设计制造应用提供了一种新的方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109626413B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910036493.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明提供一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料。所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法，是用紫外纳秒激光为辐照光源，照射富受主型ZnO微米管，获得微纳结构。本发明提出的一种纳秒紫外激光辐照富受主型ZnO微米管制备微纳结构的方法，以富含Zn空位的富受主型ZnO微米管为基底材料，利用Zn空位点缺陷在激光辐照下独特的光学和电学特性，在较低的功率密度下制备出多种微纳结构，提高了ZnO光电器件性能，拓宽了富受主型ZnO单晶微米管器件的应用领域。
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公开(公告)号：CN107901419B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201711390204.0
申请日：2017-12-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: B29C64/379 , B29C71/02 , B29C71/00 , B33Y40/00
Abstract: 一种退火处理调控PA3200 3D打印成型件表面润湿性的方法，属于3D打印技术与医疗应用领域。本发明利用3D打印激光选区烧结技术(Selective Laser Sintering,SLS)制备PA3200 3D打印成型件，采用管式真空炉对成型件退火，该管式炉具有操作简单、高精度控温，能在多种气氛下工作等优点。设定升温时间1‑3小时，保温时间1‑5小时，降温时间1‑3小时，退火温度100℃‑160℃，退火气氛氧气、氮气等参数对成型件进行退火处理。经过退火处理后，成型件表面的接触角由121°变为60°，表面润湿性由疏水性转变为亲水性，有效调控了PA 3200 3D打印成型件表面润湿性。
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公开(公告)号：CN109529883A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811343344.7
申请日：2018-11-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种激光液相烧蚀制备CdS/C复合纳米材料的制备方法，该方法为将激光器发出的激光经反射照射在CdS靶材上，所用靶材置于异丙醇石墨烯量子点溶液中。所使用的靶材为陶瓷靶，所使用的激光器为YAG调Q激光器，所使用的石墨烯量子点为发红光石墨烯量子点。该制备方法工艺操作简单易行，制备周期短，在制备过程中不引入杂质。制备出的CdS/C复合纳米材料有着较好的光催化降解性能。
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公开(公告)号：CN107639862A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201711093999.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B29C71/04 , B29C71/00 , B29C64/379 , B33Y40/00
Abstract: 一种激光辐照调控PA2200材料3D打印件表面浸润性的方法，属于激光加工、3D打印技术及医疗应用领域。激光辐照法具有可以精确处理成型件表面、控制加工面积和深度、非接触无污染和不会引入杂质离子等优点。本发明是通过以下装置实现的：沿着激光器的激光传输方向依次放置激光器、复眼均束镜、透镜、样品台。本发明利用制备PA2200材料3D打印件，采用波长为248nm的KrF准分子激光，设计光路得到激光辐照光斑面积1-2.7cm2，设定激光器的单脉冲能量密度37-259mJ/cm2，频率2-5Hz，脉冲数200-500对PA2200材料3D打印件进行辐照。经过激光辐照后，打印件表面接触角由120°变为70°，由疏水性转变为亲水性，有效、快速的调控PA3200材料3D打印件表面浸润性。
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公开(公告)号：CN105855697B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610218392.8
申请日：2016-04-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/046 , B23K26/70 , B23K37/047 , B23K26/36 , B23K26/402
Abstract: 一种激光三维精细曲面铣削的方法，属于激光加工领域，涉及一种高效的曲面构件精密三维铣削。本发明包括一种新的加工路径的选取方式，一种新型的焦点的选取方式，以及一种专用的加工夹具。本发明根据待加工曲面轮廓对焦点位置进行三维空间定位，实现包括球形构件在内的曲面构件的型面高精度激光加工。可有效避免因加工面高度变化对激光离焦量的干扰，加工过程中无需采用Z轴实时随动，即可通过严格约束激光束沿曲面聚焦扫描路径的坐标位置达到确保加工精度的曲面铣削目的。定位工艺简单，加工效率高，并且所加工的曲面轮廓适用性广。
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