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公开(公告)号：CN1477859A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03142613.1
申请日：2003-06-03
Applicant: 北京大学
IPC: H04N5/33 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供了一种快闪电荷放大结构的焦平面读出电路及其复位读出方法。该读出电路中的像素单元复位电路位于像素单元电路以外，包括与像素单元电路阵列的列数相等的相同子单元电路，像素单元电路阵列的每一列像素单元共享一个复位子单元电路。其复位读出方法采用的是逐行复位方案。本发明的技术方案，与整个阵列同时复位方案相比，其像素单元中少了一个复位管，可以使得单元阵列的连线简单，读出电路有更大的电荷存储能力。同时，其采用的逐行复位读出方法，可以在不增加控制复杂度的情况下降低芯片中信号线的瞬态峰值电流，减小复位引起的FPN噪声。
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公开(公告)号：CN1455585A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03137083.7
申请日：2003-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H04N5/33
Abstract: 本发明提供了一种快闪电荷放大结构的焦平面读出电路及其读出方法。在电路结构上，像素单元的列数为N，将N列像素单元电路的输出进行分组，最大的一组包括qmax列，列读出级有qmax个单元电路，像素单元电路的输出分别通过一个转移开关和一个列读出电路单元连接，同一组的像素单元电路输出连接不同的列读出电路单元。本发明的电路结构，实现了列读出级单元电路的复用减少了列读出单元的数目从而降低了功耗。在功耗不变的条件下，可以增加读出精度或提高读出速度。同时各列的转移时间可以完全相同，从而消除了由于建立时间不一致引入的输出不一致性。
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公开(公告)号：CN1348209A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01134707.4
申请日：2001-11-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构,属于微电子及光电子领域中成像系统读出电路中的像素阵列设计技术领域。本发明通过确定像素的特殊排列方式和新型的像素布图结构,并在此基础上采用特殊的探测器阵列、像素阵列连接方式进行布图,布图可以采用反转、移位的重复对称布图方式。根据本发明的布图方法提出一种金属布线结构:水平方向长走线与垂直方向长走线采用不同的金属层,避免同层金属线交叉;水平方向长走线采用Metal2、垂直方向长走线采用Metal1;垂直方向短走线采用Meatl1。采用本发明的布图方法和金属布线结构,不仅实现了OES结构,并且使阵列的走线简单、积分电容的面积利用率高。
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公开(公告)号：CN119652319A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411772766.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种数模转换电路、数模转换器以及电子设备，涉及集成电路技术领域。包括：至少一个转换单元和多个缓冲单元；至少一个转换单元与多个缓冲单元连接；至少一个转换单元被配置为接收数字量信号根据数字量信号确定选通的目标缓冲单元以及将数字量信号转换为对应的模拟量信号；多个缓冲单元被配置为向后级电路传输模拟量信号。本发明的数模转换电路，结构采用电阻串复用的方式，电阻串之间关键节点相互连接保证电阻串的模拟输出量基本一致，减小电路的非线性，实现具有较高的转换精度。电阻串复用还能有效减少电阻串的数量，缩减面积开销，降低布局结构的复杂度，满足数模转换精度需求。
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公开(公告)号：CN118971878A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411085962.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种SAR ADC分段电容阵列版图结构，属于模数转换器技术领域，包括：次段版图区，包括多个阵列排布的单位电容和桥接电容，且次段版图区的单位电容与桥接电容之间通过一个冗余电容分隔；单位电容包括：基底以及形成在基底上的多层第一金属线层和多层第二金属线层，多层第一金属线层构成单位电容的上极板，多层第二金属线层构成单位电容的下极板；单位电容还包括至少一层第三金属线层，第三金属线层作为引出线与上极板走线连接；在次段版图区中，每两个单位电容共用一条上极板走线，且上极板走线位于两个单位电容之间。通过本申请提供的一种SAR ADC分段电容阵列版图结构，可以减小次段电容阵列的上极板寄生电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117949095A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311845575.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明提供了一种微分型焦平面读出电路和电子设备，涉及红外成像领域。第一探测器和第二探测器均对同一个像素单元进行探测分别产生第一注入电流和第二注入电流，且产生偏置电压，第一注入电流与第二注入电流之间的差电流传输至注入结构；注入结构将差电流注入后级电路，使得微分型焦平面读出电路进行后续工作；偏压精准控制模块用于控制偏置电平的电压值，重新分配第一探测器和第二探测器各自的偏压，使得第一注入电流和第二注入电流各自的电流值相等。本发明在背景环境下极好的抵消背景电流、暗电流，显著的降低背景电流噪声、暗电流噪声。当目标物进入探测器的视场后出现的光谱微分信号，具有高信噪比的特点。
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公开(公告)号：CN117938170A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410095204.1
申请日：2024-01-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种两步式模数转换电路、模数转换器以及电子设备，涉及集成电路领域。快闪式模数转换器利用电阻串辅助模块对输入电压进行粗量化，得到目标数字值中的高M位数字值以及产生温度计码值，并将高M位数字值传输至数字误差校正器，将温度计码值传输至逐次逼近模数转换器。逐次逼近模数转换器基于温度计码值确定粗量化后的余量，并结合电阻串辅助模块共同对余量进行细量化，得到目标数字值中的中L位数字值和低S位数字值，并传输至数字误差校正器。数字误差校正器对高M位数字值、中L位数字值和低S位数字值进行数字码对齐，输出对应差分输入电压的目标数字值。本发明在简化电路的同时降低功耗，提高CDAC的线性度，具有高精度的优势。
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公开(公告)号：CN117835080A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311845577.8
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种像素近零偏压控制的红外焦平面读出电路和电子设备，涉及红外成像领域。探测器对每个像素进行探测产生注入电流，并产生公共电平和偏置电压，公共电平与偏置电平之间具有电压差。注入结构将注入电流注入后级电路，以使得红外焦平面读出电路进行后续工作；近零偏压控制模块用于控制偏置电平的电压值，使得偏置电平的电压值尽可能的接近公共电平的电压值，进而使得电压差近零。本发明使得探测器两端的电压差近零，暗电流急剧降低，抑制暗电流，从而显著的降低暗电流噪声。使得制冷型红外探测器可以较好的工作在180K‑300K常温环境，极大的降低了制冷设备的要求，从而降低制冷型红外探测器的成本。
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公开(公告)号：CN117193458A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311261635.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 北京大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种具有电流驱动能力的混合型带隙基准和集成电路，涉及集成电路领域。电流模带隙基准核心通过第二电阻修调网络与电压模带隙基准核心连接，电流模带隙基准核心产生一阶零温漂电流，一阶零温漂电流为与温度无关的电流；电压模带隙基准核心基于一阶零温漂电流，通过调节第一电阻修调网络、第二电阻修调网络的电阻补偿带隙基准电压非线性，以及通过驱动模块产生毫安级或毫安级以上的电流驱动能力。本发明创造性的提出基于VBE高阶项补偿的电流‑电压模混合型带隙基准，达到低温漂设计目的同时具有较好电流驱动能力，可应用于高精度AD等需要低温漂和电流驱动能力的应用场景，同时降低修调成本。
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公开(公告)号：CN113162623B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110431548.1
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明提供一种基于电阻分压和电容积分的转换电路和数模转换器，涉及集成电路技术领域。所述电路包括：电阻分压单元和电容积分单元；电阻分压单元接收参考电压，输出第一模拟电压或者第二模拟电压至电容积分单元；电容积分单元包括：第一采样转移模块和第二采样转移模块；第一采样转移模块和第二采样转移模块交替采样，且控制时序互补，当第一采样转移模块进行电荷转移时，第二采样转移模块进行预采样。本发明的转换电路，在保障数模转换器高精度转换、单调性好的基础上，同时变相的降低了整个数模转换所需的时钟频率，相当于降低了数模转换所需功耗，具有较高的实用性价值。
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