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公开(公告)号：CN103317140A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310255027.0
申请日：2013-06-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F7/02
Abstract: 本发明涉及流延法制备W-Cu体系梯度复合材料的方法，其步骤包括：(1)金属粉非水基流延料浆制备及流延成型：将球磨混合后的金属粉非水基料浆经除泡、过滤后在流延机上流延成型，在空气中干燥后制得单组分金属流延膜带；(2)梯度结构设计、裁剪、叠层：根据铜含量沿厚度方向分布函数C=C0+Axp的设计，将不同W-Cu组分的流延膜片裁剪后叠层成梯度结构的生坯；(3)生坯排胶和热压烧结：将生坯在氮氢混合气氛中排胶后，在真空热压炉中烧结成型。本发明工艺简单、成本低，所制备的复合材料的单组分层厚度可以达到微米量级、组分变化平缓、过渡层光滑连续，并且具有较良好的电热学性能，可以用于电触头、电子封装等热电领域。
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公开(公告)号：CN103059492A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210588080.8
申请日：2012-12-31
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及纳米银粒径和含量可控且分布均匀的高Ag含量Ag/PMMA纳米复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将纳米银种子溶液倒入高温的DMF/PMMA/PVP混合体系中，经高温反应制备Ag/PMMA纳米复合溶胶；（2）将Ag/PMMA纳米复合溶胶涂覆在基板上，在低温下真空干燥除去DMF，得到Ag/PMMA纳米复合材料。本发明的优点在于：（1）可保证高含量的纳米银在PMMA基体中的均匀分散且粒径和含量可控；（2）可提高银离子还原速率，有利于生成粒径均匀的纳米银；（3）在低温下真空干燥，可阻止干燥过程中纳米银的团聚和生长；（4）选择分子量较高的PMMA作为原料，制备的复合材料性能好。
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公开(公告)号：CN102424706B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110305932.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种聚甲基丙烯酸甲酯泡孔梯度材料的制备方法，具体是：将装有聚甲基丙烯酸甲酯的单向开口模具放入高压釜中，控制高压二氧化碳在聚甲基丙烯酸甲酯中定向吸附形成浓度梯度，二氧化碳压力为10～30MPa，温度为50～150℃，保温保压1～60min后泄压，最后用冰水混合物将试样冷却至室温，得到泡孔梯度材料；在表层的高浓度二氧化碳扩散区域形成泡孔直径较小、孔壁较薄的孔结构，在中部的低浓度区域形成泡孔直径较大、孔壁较厚的孔结构，最内层为致密的聚甲基丙烯酸甲酯基体，试样孔隙率从表层到内层由高到低连续变化。该梯度材料的泡孔直径可控制在微米量级，具有良好的尺寸稳定性、较宽的孔隙率变化范围和较高的力学强度。
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公开(公告)号：CN101817083B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010143559.1
申请日：2010-04-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及流延法制备Mg-Cu体系密度梯度材料的方法，该方法包括金属粉非水基流延料浆、流延成型、裁剪、叠层，以及将生坯进行排胶和用热压烧结步骤，其中：所述料浆中各组分质量含量为金属粉40～70％、分散剂0.6～1.2％、粘结剂2.5～3.5％、增塑剂1.6～3.5％、余量为丁酮溶剂，料浆的粘度为1～10000mPa·s，金属粉为镁粉、铜粉中的一种或者二种任意配比的混合粉，该粉粒径≤300目。该方法工艺简单、成本低，最重要的是所制备的Mg-Cu体系密度梯度材料的单层厚度可以达到μm量级、密度变化平缓、过渡层光滑连续的特点。
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公开(公告)号：CN102320837A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110167455.9
申请日：2011-06-21
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及ZrB2-YB4复合粉体的制备方法，包括有以下步骤：1）将钇稳ZrO2和B4C粉末按配料，并混合均匀；2）将原料粉压制成块体，并装入模具中，升温至1700～2000℃并保温15～120min，然后随炉冷却至室温；3）将步骤2）所得块体取出磨碎，在稀盐酸中加热搅拌，然后将其滤干，用去离子水反复冲洗至中性，得到粉体；4）将步骤3）所得粉体烘干即可。本发明所述原料为市售粉末，具有价格低廉、易于获得的优点，合成过程中C元素和O元素结合生成CO气体挥发，Y元素、Zr元素和B元素结合生成YB4及ZrB2，可以有效避免其他杂质的引入，可以获得晶粒细小、混合均匀和纯度较高的ZrB2-YB4复合粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102059449A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010596717.9
申请日：2010-12-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种钨合金与钽合金的低温扩散焊接方法，该方法步骤包括：（1）工件表面清理步骤：将钨合金、钽合金加工到规定尺寸，除去它们和中间层-镍箔待焊面的氧化层；（2）工件组装步骤：将中间层-镍箔置于钨合金与钽合金之间，构造被焊接工件；（3）真空扩散焊接步骤：将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内，加热、保温，当保温开始时对被焊接工件施加轴向压力，保温结束后卸除压力并随炉冷却。本发明能够克服现有焊接技术无法在低温下实现钨合金与钽合金的高质量扩散焊接的问题，特别适合钨合金和钽合金之间在低温下可靠且精密的扩散焊接，所制备的钨钽焊接体可以用于动高压物理和核聚变等研究领域。
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公开(公告)号：CN101983807A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010552439.7
申请日：2010-11-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种金属流延料浆的制备方法。一种稳定的高固相含量W-Cu金属流延料浆的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)原料的选取：按各原料所占质量百分数为：金属粉70～80％、溶剂11～25％、分散剂0.8～1.2％、第一粘结剂1.0～2.0％、第一增塑剂0.6～1.4％、第二粘结剂2.0～4.0％、第二增塑剂0.6～1.4％，选取；2)一次球磨：将溶剂和分散剂混合，加入金属粉后搅拌，球磨；3)二次球磨：加入第一粘结剂和第一增塑剂，球磨；4)三次球磨：加入第二粘结剂和第二增塑剂，球磨；5)除气泡，得到高固相含量W-Cu金属流延料浆。该方法工艺简单、成本低，所制备的料浆具有固相含量高、稳定性好、粘度适中、适合流延成型的特点。
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公开(公告)号：CN101818327A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010137524.7
申请日：2010-03-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 一种在Si单晶基片上制备BaTi2O5铁电薄膜的方法，包括：1)将沿a轴方向生长的Si单晶基片和MgO陶瓷靶材送入沉积室中并抽真空，加热基片并通入高纯氧气，将脉冲激光束照射在靶材表面上，使靶材表面产生等离子体羽辉，最后沉积在基片上形成MgO薄膜缓冲层；2)将沉积有MgO薄膜缓冲层的Si单晶基片和BaTi2O5陶瓷靶材送入沉积室中并抽真空，加热基片并通入高纯氧气，将脉冲激光束照射在靶材表面上，使靶材表面产生等离子体羽辉，最后沉积在基片上形成BaTi2O5铁电薄膜。本发明通过构筑与BaTi2O5铁电薄膜相匹配的MgO薄膜缓冲层，能够获得在Si单晶基片上沿b轴方向择优生长、物相单一的BaTi2O5铁电薄膜，实现BaTi2O5铁电薄膜与半导体工艺的兼容性，有利于与传统半导体器件的集成。
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公开(公告)号：CN101792311A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010123047.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468
Abstract: 本发明涉及一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将BaCO3微粉和TiO2微粉，按摩尔比1∶2配料后，加入无水乙醇机械混合，得到混合原料；烘干后，压制成圆片；2)将混合原料圆片放入电弧熔炼设备中进行熔炼，熔炼时先抽真空，然后充入高纯氩气保护，熔炼时的电极电流为100～200A，每次熔炼时间为0.5～1.5min；经过4～8次反复熔炼后，得到块体；3)将熔炼合成的块体，研磨，然后置入高温石墨模具中，移入热压烧结炉中，以5～20℃/min的升温速率升至1100～1200℃，保温1～3小时并施加20～80MPa的轴向压力；随炉冷却，得到二钛酸钡陶瓷靶材。本发明具有物相单一、致密度较高、尺寸较大的特点。
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公开(公告)号：CN101787515A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010116162.3
申请日：2010-02-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及铝包覆硼复合粉体的制备方法。一种铝包覆硼复合粉体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)硼粉的预处理；2)利用多弧离子镀膜技术在多弧离子镀膜机中对预处理后的硼粉表面进行多弧表面镀铝处理，获得铝包覆硼复合粉体；所述多弧离子镀膜技术的参数为：靶材选择铝靶；首先抽真空至2.0×10-2Pa，然后充氩气至(2.5～3.3)×10-1Pa；氩气发射源的电流55～70A；镀膜温度170～200℃；然后以(5～20)g/分钟的喂料速度向位于真空炉体内的承载台喂预处理后的硼粉，粉末颗粒通过旋转、震动从承载台上的一个台阶跳入或滚入另一个台阶，最后落入粉末收集装置中。本发明的优点在于镀膜时间短、镀层均匀；工艺简单，适宜大规模生产。
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