-
公开(公告)号：CN111403486A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010234092.5
申请日：2020-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种沟槽型MOSFET结构，包括：N型衬底(2)；在N型衬底(2)的上表面由下至上依次设有N型漂移区(3)、N型电流扩展层(4)以及第一P型基区(5)；第一P型基区(5)上表面设有第一P型重掺杂区(7)以及第一N型重掺杂区(6)；第一P型重掺杂区(7)以及第一N型重掺杂区(6)上设有源极(13)；U型栅极沟槽，开口镶嵌于源极(13)内，其内部由源极(13)填充，U型栅极沟槽底部镶嵌于N型电流扩展层(4)；U型栅极沟槽的底部为第二P型基区(8)；U型栅极沟槽的一侧边为金属或者P型多晶硅区域(1)；U型栅极沟槽的另一侧边为另一部分氧化层(11)；N型衬底(2)的下表面设有漏极(14)。
-
公开(公告)号：CN106960787B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710202863.0
申请日：2017-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/311 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种肖特基结的无损伤干法过刻蚀制备方法，包括以下步骤：S1：在外延片上表面制备肖特基结的位置处形成金属阻挡层；S2：在外延片的上表面和金属阻挡层的上表面生长绝缘介质层；S3：采用干法刻蚀方法对金属阻挡层上表面的绝缘介质进行过刻蚀，形成肖特基孔；S4：在绝缘介质层上表面和肖特基孔处形成第二金属层，得到肖特基结和阳极。本发明解决了现有技术中干法刻蚀过刻损伤外延材料的问题，以及湿法刻蚀过程中导致工艺精度无法控制的难题，本发明可以在不增加成本的基础上制作出高质量的肖特基结。
-
公开(公告)号：CN108666206B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810521200.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法，包括：提供碳化硅衬底；将所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，第一温度为300‑400℃，第二温度为700‑900℃，所述第一压力为100‑200mTorr，所述第二压力为700‑900mTorr，所述第一升温速度大于所述第二升温速度。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，有效改善界面质量。
-
公开(公告)号：CN109283298A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811349529.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N33/00
CPC classification number: G01N33/00 , G01N2033/0095
Abstract: 一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC-SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC-SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC-SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC-SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC-SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN109244126A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811004022.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极晶体管包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底上；外延层，形成于所述缓冲层上；结型场效应结构JFET区，形成于所述外延层内，JFET区的宽度为2.5～12μm；CJI掺杂区，形成于所述JFET区中，且所述掺杂区位于栅介质层的厚度拐点处；第一栅介质层，形成于所述外延层上，所述第一栅介质层的厚度为0.5μm～1.2μm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216436A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811065180.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：N+衬底，所述N+衬底上形成有朝背面开口的多个开孔；形成于所述N+衬底上的N-外延层，所述N-外延层包括有源区外延层和终端区外延层，所述有源区外延层包括多个P++区域环和多个凹槽结构，其中，单个P++区域环上形成有单个凹槽结构；所述终端区外延层包括N+场截止环和多个P+保护环；形成于所述有源区外延层上的肖特基接触，形成于所述终端区外延层上的钝化层，以及形成于所述N+衬底背面和所述多个开孔内的欧姆接触。
-
公开(公告)号：CN108770175A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810521241.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: 一种用于微波等离子体发生装置的微孔/微纳结构双耦合谐振腔，包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结构形成双耦合结构从而实现谐振增强和可调，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式，来减少引导模和泄漏模的损耗，达到在固定区域谐振最大程度增强的目的，并能提高等离子体的均匀性，保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下，可改善吸收损耗问题，另外多个谐振腔独立控制，可以有效控制等离子体的温度。
-
公开(公告)号：CN108584963A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810521156.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C01B33/12
Abstract: 一种基于微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：提供碳化硅衬底；所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入含氧气体，产生氧等离子体；氧等离子体与碳化硅反应生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，氧等离子体与碳化硅的反应温度为500-900℃，反应压力为400-1000mTorr。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，可以在SiC和SiO2的界面实现热力学非平衡态，大大提高了界面质量。
-
公开(公告)号：CN108336129A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810032255.4
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供了一种超级结肖特基二极管与其制作方法。该超级结肖特基二极管包括：N+型衬底；N型外延层，设置在N+型衬底的表面上，N型外延层中具有依次叠置设置的P区和P+区，P+区的远离P区的表面为N型外延层的部分表面；正面金属层，设置在N型外延层的远离N+型衬底的至少部分表面上，以使正面金属层与N型外延层形成肖特基结。该超级结肖特基二极管的反向击穿电压较大，能够应用于高压领域中。
-
公开(公告)号：CN107658213A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710779475.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/046 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种碳化硅功率器件终端制作方法，其中包括：步骤一、提供N+-SiC衬底，在N+-SiC衬底上形成N--SiC外延层；步骤二、在N--SiC外延层内部制备P型主结、P型场限环、P-i-N结构以及N型截止环；其中，P型主结和P型场限环的内部刻蚀有浅凹槽，在浅凹槽的内部填充有介质层；P-i-N结构位于P型主结与相邻P型场限环之间以及各个相邻P型场限环之间的N--SiC外延层内，P-i-N结构包括沿平行于终端表面且平行于P型主结的方向分布的P型掺杂区和N型掺杂区；步骤三、在N--SiC外延层表面上淀积覆盖终端表面的钝化层。本发明还提供一种碳化硅功率器件终端。本发明能够提高器件的击穿电压和可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.031 seconds)
