公开(公告)号：CN106960787A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710202863.0

申请日：2017-03-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 郭栋 ,  刘晓宇 ,  周静涛 ,  杨成樾 ,  金智

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供了一种肖特基结的无损伤干法过刻蚀制备方法，包括以下步骤：S1：在外延片上表面制备肖特基结的位置处形成金属阻挡层；S2：在外延片的上表面和金属阻挡层的上表面生长绝缘介质层；S3：采用干法刻蚀方法对金属阻挡层上表面的绝缘介质进行过刻蚀，形成肖特基孔；S4：在绝缘介质层上表面和肖特基孔处形成第二金属层，得到肖特基结和阳极。本发明解决了现有技术中干法刻蚀过刻损伤外延材料的问题，以及湿法刻蚀过程中导致工艺精度无法控制的难题，本发明可以在不增加成本的基础上制作出高质量的肖特基结。

公开(公告)号：CN106960787B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201710202863.0

申请日：2017-03-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 郭栋 ,  刘晓宇 ,  周静涛 ,  杨成樾 ,  金智

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种肖特基结的无损伤干法过刻蚀制备方法，包括以下步骤：S1：在外延片上表面制备肖特基结的位置处形成金属阻挡层；S2：在外延片的上表面和金属阻挡层的上表面生长绝缘介质层；S3：采用干法刻蚀方法对金属阻挡层上表面的绝缘介质进行过刻蚀，形成肖特基孔；S4：在绝缘介质层上表面和肖特基孔处形成第二金属层，得到肖特基结和阳极。本发明解决了现有技术中干法刻蚀过刻损伤外延材料的问题，以及湿法刻蚀过程中导致工艺精度无法控制的难题，本发明可以在不增加成本的基础上制作出高质量的肖特基结。