-
公开(公告)号：CN100559168C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810035500.3
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
-
公开(公告)号：CN100541832C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710171387.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
-
公开(公告)号：CN100460864C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510111361.4
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法，包括：1.在很低注入电流下，通过控制其周围温度获得发光峰位随结温的变化关系；2.在一定注入电流下，测量其在不同温度下发光峰位的变化关系，从中得出高温下发光峰位的变化关系，并外推至坐标轴，得到去除电流屏蔽效应后，在某一温度下的发光峰位；3.将此发光峰位数值代入从1得到的结温与发光峰位的关系判断在此注入电流及温度下发光二极管PN结区的温度。本发明可在很小的误差范围内表征在不同注入电流及温度下GaN基半导体发光二极管PN结区的实际温度，有利于GaN基半导体发光二极管的性能表征和优化研究。
-
公开(公告)号：CN101335309A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041158.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、1010cm－2～1011cm－2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间，使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时，从量子阱引出了另一路横向电流，该横向电流由二维电子气组成，受量子点电场的强烈调制，可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备，但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。
-
公开(公告)号：CN101333686A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041160.5
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B31/22 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法，它提供了在氧化锌单晶晶片或薄膜材料中离子注入过渡族金属离子(III B－VII B族金属)，制备完全定向排列(相对于ZnO基体)的金属纳米锌的方法，具体给出了相应的工艺过程和具体参数，以及采用该方法所获得的定向排列金属纳米锌的结果。本发明提出的途径能高效，简单可控的在氧化锌材料中制备完全定向排列的金属纳米锌，且纳米锌都是单晶的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100444419C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610025716.2
申请日：2006-04-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种探测波长可调的太赫兹光电探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。它是应用外加磁场为调谐手段对探测频率进行调节的多量子阱结构的THz光电探测器。本发明的优点是克服了n-QWIP器件原理上导致的缺点，抑制了热辅助的暗电流和声子散射几率，增大了光生载流子寿命，提高探测器的响应率，并最终提高了探测器的探测率。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。
-
公开(公告)号：CN100424897C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510030062.8
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L31/14
Abstract: 本发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外-可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号，再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换，人眼可以直接观测，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。
-
公开(公告)号：CN101217164A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710173511.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/88
Abstract: 本发明提供了一种半导体量子点亚稳态共振隧穿二极管结构及工作条件。该结构包括：衬底，在衬底上依次排列生长集电极、第二隧道势垒层、与发射极集电极间耦合的量子点、第一隧道势垒层和发射极。工作条件包括工作温度，工作偏压，量子点亚稳态的获得。它可以消除量子点邻近子能级对亚稳能态单电子隧穿的影响，达到提高二极管工作温度的目的。
-
公开(公告)号：CN101188234A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710171905.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种多重光散射耦合的量子阱红外探测器，该探测器由衬底层，依次逐层生长的下电极层、50个周期的多量子阱层、上电极层，在上电极层上有一浸没在有机粘胶剂中的金属小球或表面镀有金属的小球所形成的列阵层，列阵层上有一金属接触层，金属接触层上有一通过倒装焊接互连的读出电路，实现探测信号的读出。本发明的优点是：1.金属小球列阵取代了传统的光栅，通过金属小球之间的多重光散射产生能够被量子阱子带跃迁吸收的电矢量，该电矢量平行于量子阱层的分量，完成正入射光对量子阱的耦合。2.由金属小球列阵替代了传统的倒焊互连的铟柱，形成各向异性导电层，完成导电功能。由于以上特点，一方面能够提高正入射光的耦合效率，另一方面省去了铟柱的生长，简化了倒焊工艺。
-
公开(公告)号：CN101170148A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710171387.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.04 seconds)
