公开(公告)号：CN104916674A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510181744.2

申请日：2015-04-17

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  顾炎 ,  宋华 ,  张森 ,  苏巍

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0808

Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。

公开(公告)号：CN102315275A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110311820.9

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。

公开(公告)号：CN202616237U

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201220146328.0

申请日：2012-04-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。

公开(公告)号：CN202394981U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120391579.0

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。

公开(公告)号：CN202616236U

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201220145184.7

申请日：2012-04-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  张龙 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。

公开(公告)号：CN220895512U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322261030.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司 ,  东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  孙媛 ,  刘斯扬 ,  王成森 ,  周榕榕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请实施例提供一种氮化镓功率器件，涉及半导体器件结构技术领域。本氮化镓功率器件包括逐层设置的衬底、缓冲层、势垒层。势垒层的远离衬底的一面间隔设置有P型氮化镓层和漏极金属，P型氮化镓层的远离衬底的一面设置有栅极金属；在势垒层的远离衬底的一面，且在栅极金属和漏极金属之间，设置有钝化层；在钝化层和势垒层之间的部分区域，或在钝化层的远离势垒层的一面的部分区域，设置有高K介质层。高K介质层能起到将电极边缘或场板边缘的电场峰值降低的作用，获得更为均匀的电场分布，提高器件的耐压。

公开(公告)号：CN202394980U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120391574.8

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  曹鹏飞 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。

公开(公告)号：CN202394979U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120391462.2

申请日：2011-10-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。