公开(公告)号：CN118969733A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411050572.0

申请日：2024-08-01

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 曹刚 ,  周榕榕 ,  周宗凌

IPC: H01L21/8222 ,  H01L27/07 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提出一种二极管集成式制造方法及集成式二极管，属于半导体技术领域，制造方法包括：在TMBS的外延衬底上划分TMBS区和TVS区，在TVS区上形成PN结，并在TVS区上形成TVS沟槽栅，在TMBS区上形成TMBS沟槽栅；在TMBS区形成绝缘层和层间介质层，并在TMBS区生成TMBS金属层，在TVS区生成TVS金属层，以得到第三中间晶圆；在第三中间晶圆上生长钝化层，并在钝化层上光刻出TMBS金属层和TVS金属层；在外延衬底的背面上形成背面金属层，以得到TMBS和TVS并联的集成式二极管。如此，TMBS和TVS集成在一块外延衬底上，大大地减少了衬底材料、工艺制程、封装及线材等成本。同时，实现一起封装，从而能够避免因单独封装接线而导致的应用失效风险，极大地降低应用失效风险。

公开(公告)号：CN220895512U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322261030.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司 ,  东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  孙媛 ,  刘斯扬 ,  王成森 ,  周榕榕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请实施例提供一种氮化镓功率器件，涉及半导体器件结构技术领域。本氮化镓功率器件包括逐层设置的衬底、缓冲层、势垒层。势垒层的远离衬底的一面间隔设置有P型氮化镓层和漏极金属，P型氮化镓层的远离衬底的一面设置有栅极金属；在势垒层的远离衬底的一面，且在栅极金属和漏极金属之间，设置有钝化层；在钝化层和势垒层之间的部分区域，或在钝化层的远离势垒层的一面的部分区域，设置有高K介质层。高K介质层能起到将电极边缘或场板边缘的电场峰值降低的作用，获得更为均匀的电场分布，提高器件的耐压。

公开(公告)号：CN222885081U

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202421582061.9

申请日：2024-07-04

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 冯新 ,  周榕榕 ,  蔡彦成

IPC: H10D62/10 ,  H01L21/762

Abstract: 本申请公开了一种沟槽隔离结构及半导体器件，涉及半导体技术领域，本申请的沟槽隔离结构，包括基体，基体上至少包括第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，第一凹槽的槽底设置第一隔离体，第二凹槽的槽底设置第二隔离体，第一隔离体和第二隔离体的上表面与基体的上表面距离相等，第一凹槽和第二凹槽的侧壁还设置有介电层。本申请提供的沟槽隔离结构及半导体器件，能够提高深沟槽区域的雪崩击穿电压。