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公开(公告)号：CN107436382A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610361369.4
申请日：2016-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提出ESD静电防护中的CDM模型的电流检测系统及测试方法，以完成对CDM模型的ESD电流波形的抓取，便于为以CDM模型为基础的ESD静电防护提供数据支持。该系统结构包括：用于支持的测试机台，机台底座上承载测试器件DUT（Device Under Test），机台支架,用于固定系统的检测模块。检测模块包括pogo（弹簧单高跷）探针、测试板等结构。测试机台使用铝合金材质制成，具有螺旋调节升降的功能，同时带有固定装置，可以固定设备的测试板，测试板为双层FR-4板。Pogo探针为手机天线专用探针，可以满足18GHz及以下条件下的信号测试。同轴电缆特性阻抗为50Ω.所使用的校准模块（即校准电容）为FR-4材料，电容值为4pF。
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公开(公告)号：CN105097926A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216642.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
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公开(公告)号：CN105097788A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216645.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/64 , H01L23/528
Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联（或串并联）形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位（或仅中间部位）进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号：CN105093087A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410218481.3
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 一种基于labview控制的TLP测试系统，包括供电系统、脉冲发生系统、电压电流测试系统、漏电流测试系统、探针台系统、上位机，所述供电系统为一高压电源通为同轴电缆充电，所述脉冲发生系统包括同轴电缆、湿簧管、衰减器、滤波器，同轴电缆通过湿簧管经衰减器、滤波器后输出，所述电压电流测试系统是示波器通过同轴线采集衰减器两端电压信号并经USB传输至电脑，经labview处理后显示并存储，所述漏电流测试系统是继电器在脉冲结束后选通漏电流测试仪测试待测器件漏电，所述探针台系统是通过同轴线连接脉冲发生系统输出端至PM5探针台。本发明的有益效果：性能稳定、脉冲波形平坦、控制方便、测试精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104701290A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310650225.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提出一种多圈引线框QFN封装结构。其特点是：封装体外形为正方形；芯片基岛为圆形；芯片基岛底部的导热焊盘为圆形；引线框架为多圈排布于芯片基岛四周，外圈的引线框架通过内圈的结合垫片与芯片连接，引线框架底部为导电焊盘。这种QFN封装结构的优点在于：可以大幅提高引脚密度，提高封装结构的散热性能，减小封装结构的高频寄生效应。
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公开(公告)号：CN104681514A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637955.3
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明以FlipChip（倒装芯片）结构为出发点，提出一种有利于FlipChip封装芯片散热的方案。其特点是：构造一个水（或其他液体）循环冷却系统，在芯片双面均有毛细血管状的管道，同时有一个散热金属片群，管道仍以毛细状通过，还有一个微泵作为动力来源。这种散热方式的好处在于：毛细管道中液体流速较快，可以尽快带走热量，可以有较好的散热效率，在芯片处和散热鳍片处均是如此；双面液冷散热比空气散热效率高的多；本系统不会影响原有的通过触点散热的机制。
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公开(公告)号：CN103186684A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110452459.1
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种封装设计文件全信息保护方法及流程，以解决封装设计文件在不同工具导入导出中出现的信息丢失与不匹配，主要包含输入文件预处理模块和对比失真度模块。
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公开(公告)号：CN103186683A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110452289.7
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种集成电路封装设计的电、热以及力学特性的建模方法，用以提高封装设计的灵活性、直观性和通用性，主要包括电学参数提取模块，电学参数自动优化模块；热学参数提取模块，热学参数自动优化模块；力学参数提取模块，力学参数自动优化模块；公共数据传输模块及公共数据优化模块。
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公开(公告)号：CN103186681A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449674.6
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种集成电路封装的电、热特性协同设计方法与流程。其特征在于在设计阶段充分考虑封装设计的热、电学特性对集成电路性能的影响，同时与核心的集成电路设计进行协同优化，可以根据成本和实现复杂度等因素从封装设计和电路设计两方面优化系统性能，提高封装设计的灵活性。设计方法及流程主要包括封装的物理设计，电学参数提取，热学参数提取，集成电路设计，考虑封装和集成电路的混合模式仿真，输出满足设计要求的集成电路设计及封装的物理设计。
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