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公开(公告)号：CN111863835A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010334834.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 一种显示装置及制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、像素、驱动晶体管和开关晶体管，其中，像素在衬底上且连接到扫描线和与扫描线相交的数据线，驱动晶体管布置在像素中，驱动晶体管包括布置在衬底上的第一有源层、布置在第一有源层上的第一栅电极和与第一有源层和第一栅电极接触的第二绝缘膜，开关晶体管布置在像素中，并且开关晶体管包括布置在衬底上的第二有源层、布置在第二有源层上的第二栅电极、与第二有源层和第二栅电极接触的第一绝缘膜和覆盖第一绝缘膜的第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜由与驱动晶体管和开关晶体管的第二绝缘膜的材料不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN111445846A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010053523.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , H01L27/12
Abstract: 一种显示设备包括：连接到扫描线以及与扫描线交叉的数据线的像素。像素包括发光元件和驱动晶体管，驱动晶体管根据从数据线施加的数据电压控制供应给发光元件的驱动电流。驱动晶体管包括第一有源层，第一有源层包括掺杂有金属的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN110943107A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910880054.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供一种显示装置和一种制造所述显示装置的方法，所述显示装置包括：基体基底；第一薄膜晶体管，设置在基体基底上；过孔绝缘层，设置在第一薄膜晶体管上；以及发光结构，设置在过孔绝缘层上。第一薄膜晶体管包括：第一栅电极；氧化物半导体，与第一栅电极叠置并且包括锡(Sn)；蚀刻停止件，设置在氧化物半导体上，并且包括不包含锡(Sn)的氧化物半导体材料；第一源电极，与氧化物半导体接触；以及第一漏电极，与氧化物半导体接触，并且与第一源电极间隔开。
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公开(公告)号：CN110931566A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910879068.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/32
Abstract: 提供了一种晶体管基底、制造晶体管基底的方法和包括晶体管基底的显示装置。所述晶体管基底可以包括：基底；有源图案，形成在基底上，有源图案包括包含锡(Sn)的氧化物半导体，并且有源图案包括源区、漏区和形成在源区与漏区之间的沟道区；源极保护图案，形成在源区上；漏极保护图案，形成在漏区上；栅电极，与沟道区的至少一部分叠置；绝缘夹层，覆盖源极保护图案和漏极保护图案；源电极，形成在绝缘夹层上，源电极通过形成在绝缘夹层中的源极接触孔与源极保护图案接触；以及漏电极，形成在绝缘夹层上，漏电极通过形成在绝缘夹层中的漏极接触孔与漏极保护图案接触。
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公开(公告)号：CN104078468B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410119693.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104078468A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410119693.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。
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公开(公告)号：CN119997743A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510165308.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K71/00 , H10K59/131 , G09G3/3233
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底和设置在基底上的像素。像素包括第一晶体管、电连接到第一晶体管的第二晶体管、电连接到第一晶体管的第三晶体管以及电连接第一晶体管和第三晶体管中的至少一个的发光二极管元件。第一晶体管包括第一半导体构件和第一栅电极。第一半导体构件包括氧化物半导体材料。第一栅电极设置在第一半导体构件与基底之间。第二晶体管包括第二半导体构件和第二栅电极。第二半导体构件包括所述氧化物半导体材料。第二半导体构件设置在第二栅电极与基底之间。第三晶体管包括包含硅的第三半导体构件。
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公开(公告)号：CN111092103B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201911004172.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/12 , H10K71/00
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底和设置在基底上的像素。像素包括第一晶体管、电连接到第一晶体管的第二晶体管、电连接到第一晶体管的第三晶体管以及电连接第一晶体管和第三晶体管中的至少一个的发光二极管元件。第一晶体管包括第一半导体构件和第一栅电极。第一半导体构件包括氧化物半导体材料。第一栅电极设置在第一半导体构件与基底之间。第二晶体管包括第二半导体构件和第二栅电极。第二半导体构件包括所述氧化物半导体材料。第二半导体构件设置在第二栅电极与基底之间。第三晶体管包括包含硅的第三半导体构件。
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公开(公告)号：CN117594688A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310973818.0
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种光电晶体管、具有其的电子装置和制造光电晶体管的方法。所述光电晶体管包括：栅电极；半导体层，设置在栅电极上；栅极绝缘层，设置在栅电极与半导体层之间；源电极；漏电极；以及多孔层，设置在源电极、半导体层和漏电极上，其中，在多孔层中限定有多个孔。
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公开(公告)号：CN116705820A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310156998.3
申请日：2023-02-23
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种显示装置以及制造该显示装置的方法。该显示装置包括：电压线；钝化层，设置在电压线上并且具有底切形状；第一连接电极，设置在底切形状内侧；第二连接电极，将电压线和第一连接电极电连接；以及公共电极，通过第一连接电极和第二连接电极中的至少一个电连接到电压线。
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