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公开(公告)号：CN113035981B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011259707.6
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/0336 , H01L31/113 , H10K59/40 , H10K59/60 , H10K59/12
Abstract: 提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。
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公开(公告)号：CN113658870A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110474086.1
申请日：2021-04-29
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 实施例涉及一种制造半导体元件的方法，所述方法包括下述步骤：准备基底；在所述基底上形成半导体层，其中，所述半导体层包括结晶的二维层；在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；通过使用次氯酸钠湿蚀刻所述半导体层，形成半导体构件，其中，所述湿蚀刻导致残留物；以及使用纯净水和惰性气体去除所述残留物。
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公开(公告)号：CN110838431A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910757073.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。
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公开(公告)号：CN110838431B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910757073.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。
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公开(公告)号：CN117594688A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310973818.0
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种光电晶体管、具有其的电子装置和制造光电晶体管的方法。所述光电晶体管包括：栅电极；半导体层，设置在栅电极上；栅极绝缘层，设置在栅电极与半导体层之间；源电极；漏电极；以及多孔层，设置在源电极、半导体层和漏电极上，其中，在多孔层中限定有多个孔。
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公开(公告)号：CN113035981A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011259707.6
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/0336 , H01L31/113 , H01L27/32
Abstract: 提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。
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公开(公告)号：CN221262392U
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202322081104.7
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/0236 , H01L31/10
Abstract: 公开了一种光电晶体管和具有其的电子装置。所述光电晶体管包括：栅电极；半导体层，设置在栅电极上；栅极绝缘层，设置在栅电极与半导体层之间；源电极；漏电极；以及多孔层，设置在源电极、半导体层和漏电极上。该光电晶体管通过收集提供到光电晶体管的外部光或使提供到光电晶体管的外部光内部散射来增加提供到半导体层的外部光的量。
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公开(公告)号：CN112310151B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010691419.1
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/126 , G09G3/3233
Abstract: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的像素，其中，像素包括：发光元件；驱动晶体管，被构造为根据从数据线施加的数据电压控制供应到发光元件的驱动电流；以及第一开关晶体管，被构造为根据施加到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管。驱动晶体管包括：第一有源层，包括氧化物半导体；以及第一氧化物层，设置在第一有源层上并且包括氧化物半导体。第一开关晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层，第一氧化物层不设置在第二有源层上。
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公开(公告)号：CN112771676B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201980063011.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/38 , H10K59/123 , H10K59/122
Abstract: 显示装置包括：基体基底，包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域；第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，布置在基体基底上并且分别包括第一有源图案至第三有源图案；第一像素电极至第三像素电极，分别电连接到第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，并且分别设置在第一子像素区域至第三子像素区域中；蓝色发光层，设置在第一像素电极至第三像素电极上，并且发射蓝光；第一颜色转换图案，在发光层上设置在第一子像素区域中；第二颜色转换图案，在发光层上设置在第二子像素区域中；以及红色滤色器层，设置在发光层与第一有源图案至第三有源图案之间。
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