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公开(公告)号：CN115101925A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210734078.0
申请日：2022-06-27
Abstract: 本发明属于天线技术领域，公开了一种基于缺陷地的多频宽带化PIFA天线，包括由上向下依次排列的辐射单元、介质层、接地平面，以及短路壁和同轴馈线；短路壁一端与辐射单元连接，另一端穿过介质层和接地平面连接；同轴馈线一端与辐射单元连接，另一端穿过介质层和接地平面后与馈源连接进行馈电；辐射单元、接地平面平行设置，辐射单元中心处刻蚀有缝隙加载结构，接地平面上刻蚀有缺陷地结构。本发明用于实现PIFA天线的多频及小型化，具有结构简单，加工方便，易于集成的优势。
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公开(公告)号：CN115084368A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210706263.9
申请日：2022-06-21
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于导电丝电极的相变存储器及其制备方法，通过在底电极层施加正电压脉冲，顶电极层接地，使相变材料在晶态与非晶态之间实现相变过程，进而对器件的阻态进行调节。在施加脉冲后，活性电极中金属阳离子会被氧化，在介质层半导体材料中的缺陷中快速迁移，并在介质层中形成稳定的导电丝。由于介质层导电性能差，形成的导电丝作为底电极与相变材料层的接触点，使得相变材料层在相变过程中的升温区域减小，器件的有效相变面积减小，因此使其工作电流减小。该结构可以有效降低相变存储器的功耗，提高了相变存储器的性能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115062583A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210675728.9
申请日：2022-06-15
IPC: G06F30/398 , G06N3/00 , G06N7/08
Abstract: 本发明公开了一种求解优化问题的Hopfield网络硬件电路及操作方法，该电路包括突触模块、退火模块、神经元模块和激活函数模块；突触模块包括偏置单元和电子突触器件阵列的权重单元，偏置单元输出固定偏置电流信号，阵列以电导的形式编码为权重信息，在来自激活函数模块输出的电压信号的作用下产生输出电流输出至神经元模块；退火模块在暂态退火信号和来自激活函数模块输出的电压信号的作用下产生输出电流，输出到神经元模块；神经元模块包括电阻、电容和运算放大器，接收来自突触模块和退火模块的电流，并产生输出电压，输出到激活函数模块进行非线性激活函数运算。本发明可有效减小外围电路，同时还可提升求解组合优化问题的运行速度和收敛效果。
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公开(公告)号：CN113634544B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110939158.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗机构，用于对晶圆进行清洗，所述晶圆的表面贴附有承载膜，包括：绷膜环、清洗槽及清洗支架；其中，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中。本发明在所述晶圆的清洗过程中，由于所述清洗液不接触所述承载膜的表面，从而避免所述清洗液与所述承载膜发生物理化学反应导致所述晶圆受污染，并保证了所述晶圆的清洗洁净度且工艺兼容性高。
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公开(公告)号：CN115000211A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210587796.X
申请日：2022-05-27
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，其位于沟道上。本发明的日盲型紫外光电探测器，导电基底为自带沟道的导电基底，因而在导电基底的沟道两侧自然形成电极，而且目前大多数器件都需要额外制作电极，不仅增加了实验步骤还大大增加了实验成本，本发明采用自带沟道的导电基底不需要额外制备电极，大大简化了实验步骤和实验成本；同时本申请采用In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，使得日盲型紫外光电探测器器件具有更低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114937658A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210858190.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开实施例提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一晶圆，所述第一晶圆中具有阵列排布的多个第一功能芯片；第二晶圆，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；所述第二晶圆中具有阵列排布的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一晶圆上的投影与至少两个相邻的所述第一功能芯片部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个相邻的所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有信号通道多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN114589419B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210489798.5
申请日：2022-05-07
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/38
Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆的切割方法和激光切割装置。所述切割方法包括：提供待切割晶圆；其中，所述待切割晶圆包括多个管芯以及位于相邻的两个管芯之间的切割道；所述切割道包括沿所述切割道延伸方向并列设置的至少两个子区域；所述至少两个子区域内的材质厚度分布不同；对第一个所述子区域施加第一激光能量，以切割第一个所述子区域；其中，所述第一激光能量是根据第一个所述子区域内材质厚度分布的第一统计信息确定的；对第二个所述子区域施加第二激光能量，以切割第二个所述子区域；其中，所述第二激光能量是根据第二个所述子区域内材质厚度分布的第二统计信息确定的，所述第二激光能量和所述第一激光能量不同。
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公开(公告)号：CN114678282B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210586382.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。
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公开(公告)号：CN114824326A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210463351.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 武汉软件工程职业学院 , 湖北江城实验室 , 湖北湘纬新能源科技有限公司
IPC: H01M4/90 , C01G53/00 , H01M8/1253 , H01M8/126
Abstract: 本发明公开了一种新型对称电极材料、燃料电池及其制备方法。所述新型对称电极材料的化学式为Li[NixCo2/3‑xMn1/3]O2，其中，x＝1/6,1/3,1/2,2/3。该电极材料由更稳定的元素组成，具有更优异的催化活性，不仅可有效地传输催化出来的电子和离子，更可以提高三相反应界面，得到各部分结合紧密、热膨胀系数相互匹配、在中低温下仍保持良好电性能的固体氧化物燃料电池。
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公开(公告)号：CN114388350B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210290100.7
申请日：2022-03-23
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及装置，该方法包括：S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物；S2、保持真空腔室的真空环境，向其中通入水蒸气以清洗待清洗晶圆表面的激光保护胶；S3、保持真空腔室的真空环境，将氧化性气体电离形成的等离子体通入其中以清洗晶圆表面的聚合物；S4、保持真空腔室的真空环境，将还原性气体电离形成的等离子体通入其中以还原晶圆表面的氧化铜。本发明方法单纯依赖气体对切割后晶圆进行分步清洗，保证晶圆表面各类杂质彻底清除，同时不破坏承载膜和晶圆表面结构，该方法简化流程，高效环保。
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