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公开(公告)号：CN114589419B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210489798.5
申请日：2022-05-07
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/38
Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆的切割方法和激光切割装置。所述切割方法包括：提供待切割晶圆；其中，所述待切割晶圆包括多个管芯以及位于相邻的两个管芯之间的切割道；所述切割道包括沿所述切割道延伸方向并列设置的至少两个子区域；所述至少两个子区域内的材质厚度分布不同；对第一个所述子区域施加第一激光能量，以切割第一个所述子区域；其中，所述第一激光能量是根据第一个所述子区域内材质厚度分布的第一统计信息确定的；对第二个所述子区域施加第二激光能量，以切割第二个所述子区域；其中，所述第二激光能量是根据第二个所述子区域内材质厚度分布的第二统计信息确定的，所述第二激光能量和所述第一激光能量不同。
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公开(公告)号：CN114589419A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210489798.5
申请日：2022-05-07
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/38
Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆的切割方法和激光切割装置。所述切割方法包括：提供待切割晶圆；其中，所述待切割晶圆包括多个管芯以及位于相邻的两个管芯之间的切割道；所述切割道包括沿所述切割道延伸方向并列设置的至少两个子区域；所述至少两个子区域内的材质厚度分布不同；对第一个所述子区域施加第一激光能量，以切割第一个所述子区域；其中，所述第一激光能量是根据第一个所述子区域内材质厚度分布的第一统计信息确定的；对第二个所述子区域施加第二激光能量，以切割第二个所述子区域；其中，所述第二激光能量是根据第二个所述子区域内材质厚度分布的第二统计信息确定的，所述第二激光能量和所述第一激光能量不同。
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公开(公告)号：CN117650122A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311672599.9
申请日：2023-12-05
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一芯片，第一芯片的上表面设置有多个第一接触垫；第二芯片，堆叠在第一芯片上，第二芯片邻近第一芯片的一侧设置有多个第二接触垫；导电层，位于第一芯片和第二芯片之间，第一芯片和第二芯片通过导电层键合连接；其中，导电层的材料包括一维导电材料，多个第一接触垫和多个第二接触垫通过导电层在垂直于第一芯片的方向一一对应电连接。
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公开(公告)号：CN115939106A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211676917.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L23/48
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法以及检测方法，半导体结构包括：衬底；第一介质层，位于衬底上，且衬底以及第一介质层被划分为沿第一方向分布的第一区域和第二区域；第一方向垂直于第二方向，第二方向为衬底的厚度方向；多个第一导电通孔结构，位于第一区域以及第二区域中，每个第一导电通孔结构沿第二方向从第一介质层延伸至衬底中；至少一个检测结构，至少一个检测结构位于第二区域中，每个检测结构均包括一个第一导电通孔结构以及至少一个第二导电通孔结构，每个第二导电通孔结构沿第二方向从第一介质层延伸至衬底中；所述检测结构用于检测第一导电通孔结构的漏电情况；第二介质层，位于衬底以及第一导电通孔结构之间。
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公开(公告)号：CN115884672A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211642774.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：第一电极，第一电极具有相对设置的第一端和第二端；第一介电层，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；第二电极，位于第一介电层上，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；其中，第二电极和第一介电层显露第一端，第一电极和第二电极通过第一介电层电隔离；第二电极靠近第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，第一台阶面的平面高度小于或者等于第二台阶面的平面高度；第一导电通道，位于第一端上，与第一端电连接；第二导电通道，位于第一台阶面上，与第一台阶面电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831862A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211437675.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/535
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供第一晶圆；沿第一表面，对第一晶圆进行第一深度的刻蚀形成第一凹槽；在第一凹槽中填充第一材料形成阻挡结构；提供第二晶圆；键合第一晶圆的第一表面与第二晶圆；沿第二表面，对第一晶圆进行第二深度的刻蚀形成第二凹槽，第一材料从第二凹槽的底部暴露；去除第一凹槽中的第一材料，使第一凹槽与第二凹槽形成贯通的第三凹槽。本公开实施例中在刻蚀形成第一凹槽时，通过对第一凹槽填充第一材料，形成了对键合胶层具有阻挡、保护作用的阻挡结构。后续在刻蚀形成第二凹槽时，由于阻挡结构对键合胶层的保护作用，可以减少对键合胶层的刻蚀损失，使其不易产生孔洞等问题。
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公开(公告)号：CN115621197B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211463871.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明属于半导体三维集成技术领域，公开了一种硅通孔互联的空腔结构及其形成方法：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆正面带有器件层；在第一硅晶圆的器件层上沉积第一介质层，并在第一介质层上刻蚀形成TDV；在TDV上沉积第二介质层，以使TDV开口封闭且内部中空；在封口后的第一硅晶圆正面进行RDL，形成布线层；将第一硅晶圆与第二硅晶圆键合并减薄，第二硅晶圆为也具有布线层的硅晶圆，第一硅晶圆的布线层与第二硅晶圆的布线层相对设置；在键合后的第一硅晶圆的背面进行刻蚀，使得TDV再次开口连通，且被刻蚀后的TDV底部停留在第一停留层上，从而得到空腔结构。
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公开(公告)号：CN115579282B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211376752.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆的处理方法，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆。本公开实施例可以在键合前或键合后对第一晶圆进行第一修边处理，使最终得到的结构具有第一倾斜面且第一倾斜面可以是凹面或者是平面。这样，若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合，可通过预留的第一倾斜面方便的操作，这样不会对第一晶圆和/或第二晶圆的键合面产生破坏。
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公开(公告)号：CN117059589A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311113636.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：第一基板，第一基板至少包括第一衬底、形成在第一衬底上的第一晶体管以及覆盖第一晶体管的第一介质层；第二基板，位于第一基板上，第二基板至少包括第二衬底、形成在第二衬底上的第二晶体管以及覆盖第二晶体管的第二介质层；第二基板与第一基板通过键合的方式连接；分立设置的第一接触插塞和第二接触插塞，第一接触插塞从第二介质层的上表面延伸至第一晶体管并与第一晶体管电连接，第二接触插塞从第二介质层的上表面延伸至第二晶体管并与第二晶体管电连接，第一接触插塞的高度大于第二接触插塞的高度。
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公开(公告)号：CN115621197A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211463871.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明属于半导体三维集成技术领域，公开了一种硅通孔互联的空腔结构及其形成方法：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆正面带有器件层；在第一硅晶圆的器件层上沉积第一介质层，并在第一介质层上刻蚀形成TDV；在TDV上沉积第二介质层，以使TDV开口封闭且内部中空；在封口后的第一硅晶圆正面进行RDL，形成布线层；将第一硅晶圆与第二硅晶圆键合并减薄，第二硅晶圆为也具有布线层的硅晶圆，第一硅晶圆的布线层与第二硅晶圆的布线层相对设置；在键合后的第一硅晶圆的背面进行刻蚀，使得TDV再次开口连通，且被刻蚀后的TDV底部停留在第一停留层上，从而得到空腔结构。
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