公开(公告)号：CN1781190A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011316.5

申请日：2004-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： Y·宫本 ,  坂下幸雄

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  C04B35/453 ,  C01G29/00

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C01G29/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/30 ,  H01L28/55 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种电介质薄膜(8)，具有第1铋层状化合物层(8a)，该第1铋层状化合物层(8a)用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或者Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的记号m为正数，记号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi的至少1种元素，记号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。在该第1铋层状化合物层(8a)和下部电极(6)之间形成有比第1铋层状化合物层(8a)的组成式过剩地含有铋的第2铋层状化合物层(8b)。

公开(公告)号：CN1742121A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200480002533.8

申请日：2004-01-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： Y·宫本 ,  坂下幸雄

IPC: C30B29/22 ,  C01G29/00 ,  C04B35/01 ,  H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C01G29/00 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

Abstract: c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或Bi2Am－1BmO3m+3表示，所述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或Bi2Am－1BmO3m+3过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.6×m摩尔的范围内。