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公开(公告)号：CN115145056A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210956858.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，涉及太赫兹波谐振点调制器领域，包括：谐振结构，谐振结构包括双“T”型谐振结构以及双“E”型谐振结构，其中，双“T”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板上形成用于谐振的第一控制区域，双“E”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板形成用于谐振的第二控制区域；调制开关，调制开关用于改变谐振点处太赫兹波的透射系数；其中，介质基板的表面附着有超材料结构层，介质基板、双“T”型谐振结构、双“E”型谐振结构以及调制开关均附着于超材料结构层。本发明可以同时产生两个谐振点，极大提高了太赫兹调制器多工作模式的丰富度，调制效果好。
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公开(公告)号：CN113917713A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111254811.0
申请日：2021-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹双通道调制器及制备方法，外延层生长在衬底上，调制阵列设置在所述外延层上；调制阵列由M*N个阵元结构组成，且每行阵元结构的第一栅极馈线与第一肖特基电极连接，每行阵元结构的第二栅极馈线与第二肖特基电极连接，M>2，N>2；每行阵元结构的第一源漏馈线与第二源漏馈线均与所述欧姆电极连接；调制阵列用于通过不同频率的太赫兹波；第一肖特基电极与第二肖特基电极分别与欧姆电极通过直流电源串联；本发明的有益效果为改变超材料结构的谐振模式，进而实现对多个频段的太赫兹波的调控；实现多个频点的独立调制，调制深度高，且具有尺寸小，易集成等优点。
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公开(公告)号：CN111781160A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010771780.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/03
Abstract: 本发明公开了一种用于黏稠液体样品太赫兹光谱检测的样品池装置，包括基座和样品池盖，所述基座和样品池盖相互配合，还包括第一凸起、第一凹槽、第二凸起和第三凹槽，所述第一凹槽设置在基座的正面上，所述第一凸起设置在第一凹槽的底部，所述第一凸起端部向下凹陷形成用于放置黏稠液体样品的第三凹槽，第一凹槽比第一凸起低，所述样品池盖背面设置第二凸起，所述第二凸起嵌入于第三凹槽配合。本发明优点是：使用方便、便携并且成本低；易于清洁、易于盛装黏稠液体样品；使待测液体样品厚度均匀，减小了由样品厚度造成的误差。
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公开(公告)号：CN113253489B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110595595.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹多通道调制器及其制备方法，该调制器包括衬底和外延层，所述外延层上设有调制阵列、第一肖特基电极、第二肖特基电极和欧姆电极，所述调制阵元包括结构单元，所述结构单元设有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口处分别设有第一高电子迁移率晶体管和第二高电子迁移率晶体管；其中，每行第一高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第一肖特基电极，每行第二高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第二肖特基电极；每行第一高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极，每行第二高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极。通过该方案实现了对多个频点的太赫兹波进行调制。
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公开(公告)号：CN113328232B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110609440.7
申请日：2021-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振可调太赫兹光电导天线及其制备方法，应用于太赫兹光谱系统，包括：半导体衬底层、介质层和图案层；图案层紧贴于介质层表面，介质层位于半导体衬底层表面；所述图案层包含电极结构，电极结构包括中心对称排布的4个天线电极；结合电极的对称结构以及对外延电极偏置电压的施加方法，最终实现45°倍增的各向异性线偏振可调太赫兹辐射，该结构可以实现8个方向的偏振可调；不仅减少了太赫兹时域光谱系统中偏振器的使用，还提高了被测物质太赫兹谱的信噪比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113328232A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110609440.7
申请日：2021-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振可调太赫兹光电导天线及其制备方法，应用于太赫兹光谱系统，包括：半导体衬底层、介质层和图案层；图案层紧贴于介质层表面，介质层位于半导体衬底层表面；所述图案层包含电极结构，电极结构包括中心对称排布的4个天线电极；结合电极的对称结构以及对外延电极偏置电压的施加方法，最终实现45°倍增的各向异性线偏振可调太赫兹辐射，该结构可以实现8个方向的偏振可调；不仅减少了太赫兹时域光谱系统中偏振器的使用，还提高了被测物质太赫兹谱的信噪比。
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公开(公告)号：CN111855607B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010807051.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了太赫兹光谱系统、维生素D的检测方法、样品及制样方法，解决了现有的检测维生素D的方法为有损检测，对样品存在破坏，需要一种新的无损检测方法的问题，本发明包括采用太赫兹时域光谱系统对维生素D进行检测，所述维生素D的结构为高密度聚乙烯顶层‑维生素D层‑高密度聚乙烯底层的三明治结构，维生素D的三明治结构采用压片的方式进行。本发明具有无损检测维生素D，检测快速，准确等优点。
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公开(公告)号：CN111854945B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010757137.7
申请日：2020-07-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单像素紫外光谱偏振成像方法及系统，包括紫外光源，紫外光源依次经过滤波单元、第一透镜、成像目标、第二透镜、空间光调制器、第三透镜、偏振单元和单像素紫外探测模块，单像素紫外探测模块、数据采集模块和图像复原模块依次连接，控制模块、数据采集模块和空间光调制器连接，控制模块用于控制空间光调制器和数据采集模块。发明运用了压缩感知理论，将图像或者光谱信息进行压缩编码，仅使用单个像素的紫外探测器就能获取目标的二维偏振图像或光谱信息，解决了现有的紫外成像仪价格昂贵，存储数据量大的所带来的数据传输问题，并且为实现紫外偏振成像提供了一种新方案。
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公开(公告)号：CN113340844A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110617486.3
申请日：2021-06-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G06F30/27 , G06N3/00 , G06N20/10
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹光谱技术的保健品添加剂定量检测方法及系统，其中方法包括采集样品的太赫兹时域光谱数据；将采集到的太赫兹时域光谱数据转换为样品的太赫兹频域光谱数据；提取所述太赫兹频域光谱数据的吸收系数光谱、折射率光谱或消光系数光谱；将训练集输入定量分析模型进行训练，所述训练集包括样品中添加剂的含量，以及对应的该样品的吸收系数光谱、折射率光谱或消光系数光谱；将待测样品的吸收系数光谱、折射率光谱或消光系数光谱输入训练后的定量分析模型得到该添加剂含量的检测结果。本发明不会对原有样品进行损耗，操作过程简单，检测效率低，能够实现对保健品添加剂的定量检测。
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公开(公告)号：CN112987345A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110350364.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法，每个调制单元包括两个开口的弓形超材料结构、高电子迁移率晶体管、十字形结构连通的第一栅极馈线和第二栅极馈线和源漏馈线，两个弓形超材料结构关于第一栅极馈线对称，弓形超材料结构的开口处匹配高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接弓形超材料结构开口的两侧，高电子迁移率晶体管通过第二栅极馈线与肖特基电极连接，弓形超材料结构通过源漏馈线与欧姆电极连接，采用弓形超材料结构开口，通过外加激励可控制HEMT中的二维电子气的浓度，可控制太赫兹波的通断，器件对极化方向x和y的太赫兹波不敏感，在220GHz处的调制器的调制深度均为93％。
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