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公开(公告)号：CN109586694B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201811353719.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明请求保护一种高速低功耗的比较器电路，包括输入管、偏置管(2)、动态锁存电路、重置管、反相器。本发明目的在于提高比较器的速度和降低功耗。创新在于使用NMOS管(M1,M2)作为输入将两个比较电压转化为电流并直接输入锁存电路以降低比较器延时，将电流输入级与动态锁存器输出级分离以降低功耗，采用互补反相器(M5,M6,M7,M8)作为动态锁存器，将电流差值进一步放大形成互补电流，M3,M4提供稳定的偏置电路，并将电流转化为电压，通过反相器输出，从而实现一种高速低功耗的比较器电路。
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公开(公告)号：CN111627415A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010350303.1
申请日：2020-04-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G10K11/178
Abstract: 本发明请求保护一种基于自适应MFxLMS算法的主动降噪装置及FPGA实现，其包括动量MFxLMS算法软件部分和FPGA硬件部分，其中，动量MFxLMS算法软件部分包括噪声信号滤波模块、MFxLMS算法模块、次级通道建模模块、白噪声产生器及主通道路径模块；FPGA硬件部分包括WM8731音频编解码器、IIC控制模块、寄存器配置模块、时钟发生模块、2个音频接收模块、音频发送模块、2个FIFO模块以及ANC算法模块，本发明的主动噪声控制算法不仅能降低计算复杂度、建模准确度、稳态性能以及收敛速度，而且利用FPGA的并行处理能力使得算法有更快的运行速度。
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公开(公告)号：CN109945899A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910219754.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明请求保护一种应用于输出缓冲器工艺角补偿的探测编码电路，包括工艺角探测电路、编码电路、逻辑控制电路。其中，工艺角探测电路由两个非门和四个相同尺寸的MOS管PM1—PM4、NM1—NM4构成，根据控制信号RST的变化输出工艺角电压曲线。编码电路包括4个相同比较器和触发器，将工艺角探测电路的输出信号与偏置电压作比较实现编码，本发明采用二极管连接的PMOS管产生偏置电压，通过输入信号Vpulse实现VP1/VP2、VN1/VN2的锁存。逻辑电路由6个与门和3个非门构成，通过逻辑组合锁存信号、DOUT和VDD产生两组3位的工艺角控制信号。通过减小输出信号各补偿类型下的Slew rate的差值达到工艺角补偿的目的。
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公开(公告)号：CN110690884B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201910882377.7
申请日：2019-09-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K17/687 , H03M1/12
Abstract: 本发明请求保护一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，包括开关管、控制逻辑电路、自举电容和负载电容。控制逻辑电路包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12，自举电容包括电容C1和C2，本发明目的在于提高开关电路的线性度和信噪比。创新在于使用CMOS传输门(M6和M7)将输入电压反馈到开关管的栅极，使得开关管的栅源电压保持恒定，使NMOS开关管在采样阶段成为一个定值电阻，从而实现一种高性能的栅压自举开关电路。
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公开(公告)号：CN109586695A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811354625.2
申请日：2018-11-14
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高速动态比较器的电路，包括输入管、偏置管、动态锁存电路、重置管、反相器。本发明目的在于提高比较器的速度，即降低比较器的延时。本发明采用NMOS管M1以及NMOS管M2作为输入将两个比较电压转化为电流，将电流输入偏置管与动态锁存器之间，将电流差值进一步放大形成互补电流，NMOS管M3以及NMSO管M4提供稳定的偏置电路，并将电流转化为电压，通过反相器I1以及反相器I2输出，从而实现一种高速动态比较器的电路。降低了电路的延时，提高了比较器的速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109586694A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811353719.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明请求保护一种高速低功耗的比较器电路，包括输入管、偏置管(2)、动态锁存电路、重置管、反相器。本发明目的在于提高比较器的速度和降低功耗。创新在于使用NMOS管(M1,M2)作为输入将两个比较电压转化为电流并直接输入锁存电路以降低比较器延时，将电流输入级与动态锁存器输出级分离以降低功耗，采用互补反相器(M5,M6,M7,M8)作为动态锁存器，将电流差值进一步放大形成互补电流，M3,M4提供稳定的偏置电路，并将电流转化为电压，通过反相器输出，从而实现一种高速低功耗的比较器电路。
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公开(公告)号：CN111740598B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010627127.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种应用于PWM DC‑DC转换器的低功耗负载电流检测电路，属于微电子技术领域。包括峰值电流传感模块、采样保持电路、模数转换模块等。本发明采用峰值电流检测模块，采样保持电路、模数转换模块，其中所述的峰值电流检测模块输入端通过开关管接到需要检测续流管的漏级，然后其输出端与采样保持电路的输入连接，采样保持电路的输出端与模数转换电路的输入端连接。所述采样保持电路通过开关电容来获得稳定峰值电流信号，并且通过模数转换模块③转化为数字信号VS[0:3]，以VS[0:3]信号的变化来放映负载电流的变化。
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公开(公告)号：CN111740569A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010640269.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种应用于DC-DC转换器中的一种浮动栅宽切换电路。该电路主要包括一个脉宽调制环路，栅宽确定电路，和一个降压核心电路。脉宽调制环路用于产生一个周期不变占空比随输出负载发生变化的PWM(脉宽调制)信号，栅宽确定电路作用是根据负载情况改变驱动信号QP和QN，QP1和QN1以及QP2和QN2三对驱动信号的电平逻辑以改变降压核心模块三对功率MOS管的开关状态。降压核心模块用于给后续电路进行充放电达到稳压目的。减小了整个降压核心模块的寄生电容，减少了在轻载时降压核心模块的开关损耗，提高了电路在轻载情况下的转换效率。
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公开(公告)号：CN109945899B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910219754.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明请求保护一种应用于输出缓冲器工艺角补偿的探测编码电路，包括工艺角探测电路、编码电路、逻辑控制电路。其中，工艺角探测电路由两个非门和四个相同尺寸的MOS管PM1—PM4、NM1—NM4构成，根据控制信号RST的变化输出工艺角电压曲线。编码电路包括4个相同比较器和触发器，将工艺角探测电路的输出信号与偏置电压作比较实现编码，本发明采用二极管连接的PMOS管产生偏置电压，通过输入信号Vpulse实现VP1/VP2、VN1/VN2的锁存。逻辑电路由6个与门和3个非门构成，通过逻辑组合锁存信号、DOUT和VDD产生两组3位的工艺角控制信号。通过减小输出信号各补偿类型下的Slew rate的差值达到工艺角补偿的目的。
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公开(公告)号：CN111129203A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911301972.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/113 , H01L27/02 , H01L29/06
Abstract: 本发明请求保护一种高带宽CMOS APD器件，常规的CMOS APD结构未考虑除耗尽层以外的带宽改善方法，其仅考虑缩小耗尽层横纵宽度来减少少数载流子渡越时间。为进一步提高CMOS APD的带宽，故通过调节电极距离光照区N+层的边界的长度L和电极面积来提高，其还包括在雪崩倍增的情况下，对于P+/N阱型CMOS APD，通过调节在N+上的阴极电极距边界距离L和电极尺寸分别减少空穴横向载流子渡越距离进而提高载流子渡越时间；对于P+/N阱型CMOS APD，通过调节在P+上的阳极电极距边界距离L和电极尺寸分别减少空穴横向电子载流子渡越距离进而提高载流子渡越时间提高带宽。该改进技术从电极距离以及电极面积尺寸两方面进行改进，降低载流子，提高其带宽。
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