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公开(公告)号：CN104328478B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410401688.4
申请日：2014-08-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104294077B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410249289.0
申请日：2014-06-05
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC/Cu复合材料及其制备方法，所述复合材料的连续相为玻璃相，SiC颗粒、Cu颗粒均匀地被包裹在玻璃相中。本发明的SiC/Cu复合材料，玻璃相填充于SiC颗粒和Cu颗粒之间，避免了颗粒之间的接触；低温玻璃相在SiC颗粒、Cu颗粒表面形成界面层，能有效改善SiC/Cu复合材料的界面结合特性，解决了熔融Cu和SiC两相之间不润湿且在高温下容易发生界面反应的问题，增强了界面的结合力，提高了复合材料的硬度和抗弯强度，使复合材料获得良好且稳定的综合力学性能。
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公开(公告)号：CN104328478A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410401688.4
申请日：2014-08-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104294077A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410249289.0
申请日：2014-06-05
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC/Cu复合材料及其制备方法，所述复合材料的连续相为玻璃相，SiC颗粒、Cu颗粒均匀地被包裹在玻璃相中。本发明的SiC/Cu复合材料，玻璃相填充于SiC颗粒和Cu颗粒之间，避免了颗粒之间的接触；低温玻璃相在SiC颗粒、Cu颗粒表面形成界面层，能有效改善SiC/Cu复合材料的界面结合特性，解决了熔融Cu和SiC两相之间不润湿且在高温下容易发生界面反应的问题，增强了界面的结合力，提高了复合材料的硬度和抗弯强度，使复合材料获得良好且稳定的综合力学性能。
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