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公开(公告)号：CN114754847A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210373599.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种智能车载称重管理系统，其包括硬件部分和软件部分，硬件部分包括：传感器单元，传感器单元包括用于检测倾斜度的水平度传感器和用于检测车辆行驶速度的加速度传感器；应变计，应变计用于检测车辆的应力应变；软件部分，包括；数据采集模块，数据采集模块用于对传感器单元和应变计上检测到的车辆数据进行实时采集；数据处理模块，数据处理模块用于对采集的车辆数据进行处理，得到车辆的动态载重。本发明智能车载称重管理系统通过硬件部分和软件部分相互配合，集成化程度高，可以实现对车辆的动态称重，并且有效保证称重精准度。
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公开(公告)号：CN113299803A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110657401.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置，该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构；在Mi cro‑LED晶粒侧面及凹槽内沉积绝缘层；在Mi cro‑LED晶粒阵列表面沉积电流扩展层；在Mi cro‑LED晶粒阵列外围沉积两圈电极作为阳极与阴极，其中内圈电极置于电流扩展层之上，外圈电极置于N型GaN之上，所有晶粒共用阳极与阴极。该方式利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，同时可实现特定区域内的Mi cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN110614055A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910915519.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供了一种多胶路自动配胶系统，所述的系统包括多个用于储存胶水的胶水储存箱、用于储存固化剂的固化剂桶、用于混合胶水和固化剂的搅拌桶，多个所述的胶水储存箱分别通过注胶管道连通至所述的搅拌桶，所述的固化剂桶通过一固化剂管道连通至所述的搅拌桶。本申请的多胶路自动配胶系统减小了人体与化工原料接触的可能性，更加安全可靠。
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公开(公告)号：CN109870808A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711254537.0
申请日：2017-12-01
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种具有光学屈光度的近眼显示镜片、一种用于近眼显示的视力矫正装置及近眼显示装置，至少包含一层光栅结构，所述光栅结构的光栅结构参数中的一个、两个或多个以改变光场相位为目的随位置变化，所述具有光学屈光度的近眼显示镜片还包括至少一个用于矫正视力的曲面衬底。利用光栅结构实现虚拟三维景物的显示，利用曲面衬底进行视力矫正，直接将视力矫正衬底整合到一个镜片组件中，使之在构建三维近眼显示装置时，能获得和普通三维近眼显示装置一样简洁的结构，视力缺陷认识佩戴该近眼三维显示装置和普通视力正常的人佩戴普通近眼三维显示装置的体验相似，舒适自然。
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公开(公告)号：CN113130296A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118916446A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411390313.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F16/33 , G06F16/35 , G06F18/214 , G06F18/24
Abstract: 本发明公开了一种基于配对信息增强的属性级情感三元组抽取方法，涉及自然语言处理技术领域，包括获取包含用户评价的评论文本数据集；设计基于编码器‑解码器结构的属性级情感三元组生成基线模型；利用T5编码器将评论文本编码为隐藏表示，通过T5解码器生成属性级情感三元组；采用交叉熵损失函数计算三元组生成损失；执行多层次配对信息增强，利用配对层和情感层的对比学习计算配对层对比损失和情感层对比损失；结合三元组生成损失、配对层对比损失和情感层对比损失，构建综合损失函数并进行多任务联合训练。本发明采用T5模型，避免了传统非生成式方法中的误差传播问题，同时能够更深入地探索标签语义，提高了三元组抽取的整体质量。
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公开(公告)号：CN115274939A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210731564.7
申请日：2022-06-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种M i cro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复，能沿纵向腐蚀完M i cro‑LED侧壁的非晶区，沿横向M i cro‑LED结构破坏性较弱，腐蚀后的样品侧壁晶格完整且侧壁垂直；Micro‑LED晶粒形成之后，通过激光共聚焦显微镜与光致发光光谱相结合的光学评价方式对其进行早期性能评估，在封装之后对M i cro‑LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照。本申请实能有效处理M i cro‑LED侧壁损伤层，竖直化M i cro‑LED侧壁，解决干法刻蚀后侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
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公开(公告)号：CN113241297A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110345111.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/32 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、掩膜层与衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长有石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹结构，在衬底层上通过金属有机化学气相沉积生长了氮化镓层，石墨烯掩膜层在氮化镓层生长过程中分解消失留下空气间隙。本发明的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN114705280B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210373596.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G01G19/12
Abstract: 本发明涉及一种车载称重传感器，设置在承载车架与车轴之间，用于将承载车架上的压力传递到车轴上，并检测传递压力的大小，车载称重传感器包括：压力传递杆，一端与承载车架连接，另一端与车轴连接；压力传感器，设置在车轴与压力传递杆之间，通过卡接块套设在压力传递杆的端部，压力传感器包括设置在外部与车轴接触的应变片和设置内部与应变片电连接的处理单元；承载车架用于支撑物料，并将物料的压力通过压力传递杆传递到压力传感器中，使应变片在压力的作用下形变，处理单元根据应变片的应变量计算物料的重量。本发明即装即用，安装方便快速，成本低，可以同时适配前装和后装市场，适用于物流运输中对货物的精确称重。
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公开(公告)号：CN113299803B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110657401.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置，该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构；在Mi cro‑LED晶粒侧面及凹槽内沉积绝缘层；在Mi cro‑LED晶粒阵列表面沉积电流扩展层；在Mi cro‑LED晶粒阵列外围沉积两圈电极作为阳极与阴极，其中内圈电极置于电流扩展层之上，外圈电极置于N型GaN之上，所有晶粒共用阳极与阴极。该方式利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，同时可实现特定区域内的Mi cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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