公开(公告)号：CN1585809A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822537.6

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J7/38 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2861

Abstract: 本发明的目的是提供通过给予刺激而在不损伤粘附体的条件下可以容易地完成剥离的粘合性物质，使用它的胶带以及粘合性物质的剥离方法。本发明涉及一种粘合性物质，是含有受刺激后可产生气体的气体发生剂的粘合性物质，由上述气体发生剂产生的气体被释放到上述粘合性物质之外，不会使上述粘合性物质发泡，而且，由上述气体发生剂产生的气体可从粘附体上剥下上述粘合性物质的接合面的至少一部分，从而使粘合力下降。

公开(公告)号：CN101019206A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200480043615.7

申请日：2004-08-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  林聪史 ,  福冈正辉 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  杉田大平 ,  北岛义一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  C09J201/00 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J5/00 ,  C08K5/23 ,  C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。

公开(公告)号：CN1592953A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN1585810A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822538.4

申请日：2002-11-15

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  林聪史 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/02 ,  C09J5/00 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06 ,  C09J2205/302 ,  Y10T156/1121 ,  Y10T156/1922

Abstract: 本发明的目的是提供在不使用光且不损伤粘附体的条件下可容易地完成剥离的粘合性物质、粘合性物质的剥离方法以及连接结构体。本发明是一种粘合性物质，是含有通过给予由超声波或/和碰撞产生的刺激而产生气体的气体发生剂的粘合性物质，所产生的气体被释放到粘合性物质之外，且放出的气体从粘附体上剥下接合面的一部分。

公开(公告)号：CN1507651A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN119631247A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380056890.5

申请日：2023-08-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 宫崎弹一 ,  畠井宗宏

IPC: H01Q15/14 ,  B32B7/025 ,  B32B15/04

Abstract: 本发明涉及一种能够保护导电体，不损害电波反射性的电波反射体。电波反射体(11)具备：包含反射电波的导电体(12)的导电层(16)；和保护导电层(16)的保护层(15)。在对电波反射体(11)进行铅笔硬度试验的情况下，对保护层(15)的表面载荷为500g的条件下的铅笔硬度为F以上。

公开(公告)号：CN100336880C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN02815153.4

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。

公开(公告)号：CN100334689C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN118648191A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202280086118.3

申请日：2022-12-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 野本博之 ,  井手泰明 ,  畠井宗宏

IPC: H01Q15/14 ,  B32B7/025 ,  C09J7/30 ,  E04B1/99 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及提供能够在保持强度的同时反射电波，并且保持景观的电波反射体。本发明的电波反射体是用于反射电波的，存在入射波发生镜面反射时的反射波的强度相对于所述入射波的强度达到‑30dB以上的频率，D65标准光源下的总光线透射率为65％以上。

公开(公告)号：CN105308730A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480034106.1

申请日：2014-08-20

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 永田麻衣 ,  竹田幸平 ,  冈山久敏 ,  畠井宗宏

IPC: H01L21/60 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81091 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制空隙的半导体用粘接剂。本发明的半导体用粘接剂用于具有下述工序的半导体装置的制造方法：工序1，将半导体芯片介由半导体用粘接剂而对位于基板上，该半导体芯片在周缘部、及与该周缘部相比的内侧的半导体芯片面内形成有突起电极，该突起电极具有包含焊料的前端部；工序2，将所述半导体芯片加热至焊料熔点以上的温度而使所述半导体芯片的突起电极与所述基板的电极部熔融接合，并使所述半导体用粘接剂临时粘接；工序3，在加压气氛下加热所述半导体用粘接剂而去除空隙；其中，所述半导体用粘接剂在80～200℃的最低熔融粘度为1000Pa·s以下，通过小泽法求出在260℃下达到反应率40％所需的时间为8秒以上。