公开(公告)号：CN114141916B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202111401694.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙捷 ,  黄铭水 ,  严群 ,  田亮 ,  潘魁 ,  叶芸 ,  郭太良

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。

公开(公告)号：CN114141916A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111401694.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙捷 ,  黄铭水 ,  严群 ,  田亮 ,  潘魁 ,  叶芸 ,  郭太良

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。

公开(公告)号：CN114141805A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111401746.X

申请日：2021-11-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙捷 ,  田亮 ,  严群 ,  黄铭水 ,  潘魁 ,  叶芸 ,  郭太良

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。

公开(公告)号：CN114411124A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210104274.X

申请日：2022-01-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙捷 ,  刘义锋 ,  牛萌 ,  杜佳怡 ,  严子雯 ,  田亮 ,  聂君扬 ,  严群 ,  杨天溪 ,  黄忠航

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。

公开(公告)号：CN114141805B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202111401746.X

申请日：2021-11-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙捷 ,  田亮 ,  严群 ,  黄铭水 ,  潘魁 ,  叶芸 ,  郭太良

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。

公开(公告)号：CN114411124B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210104274.X

申请日：2022-01-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙捷 ,  刘义锋 ,  牛萌 ,  杜佳怡 ,  严子雯 ,  田亮 ,  聂君扬 ,  严群 ,  杨天溪 ,  黄忠航

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。